Conjunto de diodos KD638AS. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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El conjunto de diodos de silicio de alta potencia KD638AS se fabrica mediante tecnología epitaxial-planar. El conjunto se compone de dos diodos que tienen un terminal cátodo común. El dispositivo está diseñado para usarse en fuentes de alimentación conmutadas y otros componentes de equipos de uso generalizado.

El conjunto de diodos está alojado en una caja de plástico KT-28 con terminales de placa rígida (Fig. 1), el peso del dispositivo no supera los 2.5 g. El análogo extranjero es BYV16-200T.

Principales datos técnicos en T_{av. av.}= 25^°C (para un diodo)

Corriente de diodo inverso constante a voltaje inverso 200 V, no más	5 uA
Tensión directa constante del diodo a corriente continua 8A, no más	en 1.25
El tiempo de recuperación inversa del diodo con una corriente directa de 1 A, una tensión inversa de 30 V, una tasa de disminución de la corriente directa de 50 A/μs y una corriente inversa igual a 0.25 de su valor máximo, no más	35 ns
Resistencia térmica, carcasa de transición para el conjunto en su conjunto, no más	1.3 °C/W

Valores límite

El voltaje inverso constante más alto del diodo. en 200 La corriente directa promedio más alta del diodo con funcionamiento simultáneo del segundo diodo en el mismo modo. Un 8 Temperatura de unión más alta 150 °C Límites del rango de funcionamiento de la temperatura ambiente -60 ... + 100 °C Valor admisible del potencial estático* en 500

*IV grado de rigidez según OST 11073.062

No está permitido operar diodos en los valores límite de dos o más parámetros. Al instalar el conjunto en la placa, no se permite doblar los cables más de dos veces a una distancia de al menos 5 mm del borde de la caja en un ángulo de 90 grados. con un radio de curvatura de al menos 1.5 mm (no se permite doblar los cables en el plano del cuerpo). En este caso, es necesario tomar medidas para evitar la transferencia de fuerza al cuerpo.

La distancia desde la carcasa hasta el lugar de estañado y soldadura de los cables no debe ser inferior a 5 mm. El número permitido de resoldaduras de los terminales de montaje durante las operaciones de instalación y ajuste es de tres.

Para reducir la resistencia térmica del cuerpo del disipador de calor, se recomienda utilizar pasta conductora de calor, por ejemplo, KPT-8 (GOST 19783). No suelde la placa del disipador de calor del conjunto al disipador de calor. Si es necesario aislar el conjunto del disipador, hay que tener en cuenta el aumento de resistencia térmica de la unión-disipador provocado por la junta (o pasta) aislante.

Las dependencias gráficas de los parámetros del conjunto de diodos KD638AS se muestran en la Fig. 2-5. La Figura 2 muestra la dependencia de la corriente inversa constante del voltaje inverso constante, y la Figura 3 muestra las características de corriente-voltaje a varios valores de la temperatura de la carcasa. La dependencia de la capacitancia del diodo del voltaje inverso constante se muestra en la Fig. 4, y la dependencia de la temperatura del voltaje de ruptura se muestra en la Fig. 5.

Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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