Antena giratoria. Esquema, descripción

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Dispositivo de antena giratoria. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Las antenas giratorias se utilizan cada vez más entre los radioaficionados que se dedican a la televisión y trabajan en ondas cortas o ultracortas. Muchas personas se desaniman por el uso de este tipo de antenas debido a su complejidad. A continuación se describe un conjunto giratorio relativamente simple que funciona según el principio de una parte superior.

En la figura 3 se muestra una antena de televisión con una unidad giratoria. 1. El tubo 2 se conecta directamente a la parte superior del mástil de forma inmóvil mediante la brida 1. En el tubo 2 se inserta una sección giratoria del tubo 6, en cuya parte superior se encuentran los elementos de antena, y en la parte inferior, como se muestra en la figura. dibujo, gira en los anillos 7 y 9, que funcionan como cojinetes deslizantes radiales.

rotador de antena
Arroz. 1. La parte superior de la antena con una "parte superior" giratoria

Para recibir la carga de la antena, se usa un cojinete de empuje, se sujeta con una cubierta 8. Se inserta fijamente un taladro helicoidal común en el extremo de la tubería 6, se colocan dos bolas de un cojinete de bolas en la protuberancia 4 en las ranuras del taladro, que se colocan en la protuberancia 4. La protuberancia XNUMX se mueve hacia arriba y hacia abajo en la broca, y por desplazamiento radial, está limitada a dos ranuras simétricas (las ranuras en el dibujo no están sombreadas).

Cuando tensamos el cable hacia abajo, la protuberancia 4, superando la tensión de los resortes, se mueve hacia abajo a lo largo de la ranura de la tubería 2 hasta que se detiene con los pernos 5 al final de la ranura de la tubería. Entre las dos bolas, se genera una fuerza en el brazo giratorio, por lo que el taladro gira y la sección de tubería con la antena también gira con él.

Cuando se baja la cuerda de tensión, los resortes, al comprimirse, producen una rotación de retorno. El frenado, o más bien la fijación de la parte giratoria, se realiza mediante una palanca de freno, que se clava en el tubo 6 con un extremo afilado cuando se tensa el cable, cuando se afloja, el resorte retrae la palanca de freno. En la fabricación de un conjunto giratorio de este tipo, es necesario que la antena de televisión con el vibrador esté centrada y, en la medida de lo posible, plantada más cerca de su parte superior (tapa 8). Esto se hace para reducir la distorsión en el hombro entre los dos anillos 7 y 9. El interior del nudo debe lubricarse con vaselina técnica.

Tabla 1
NN Nombre de las partes número Материал Peso de 1 pieza (kg)
1 Tubo. Ø 1/4", largo=475 1 ST-3 1.5
2 Tapa 82x12 1 ST-3 0,308
3 Anillo O 89X15 1 ST-3 0.4
4 Anillo O 68/66X12 1 ST-3 0,03
5 Cojinete de bolas de empuje al No. 8109 1 cn. Connecticut 0,15
6 Anillo de empuje O 68X30 1 ST-3 0,5
7 Perno М12Х30 2 ST-3 0,04
8 Tuerca М12 2 ST-3 0,024
9 Primavera O 20 2 ST-65G 0.19
10 Tubo O 76X3,5; l=670 1 ST-3 4,15
11 Anillo O 68x30 1 ST-3 0,53
12 Inserto O 35x40 1 ST-3 0,238
13 Broca helicoidal Ø 17 mm 1 cn. Connecticut 0.4
14 Bola O 10 2 cn. Connecticut 0,004
15 Jefe O 68X30 1 ST-3 0,15
16 Especificación de perno. M12X40 2 ST-3 0,075
17 Tubo O 11/4", l=150 1 ST-3 0,47
18 Hilo O 4, l=15000 1 ST-0 1,4
19 Brida O 160/77x12 1 ST-3 1,4
20 Perno М12Х26 1 ST-0 0.037
21 Lavadora 8 1 ST-0 0,0023
22 Chaveta O 2x20 1 ST-0 0,005
23 Esquina 25x25x4, l=30 2 ST-3 0,04
24 Rodillo O 8X28 1 ST-3 0,008
25 Hilo O 3, l=15000 1 ST-0 0,83
26 Palanca l=80 1 ST-5 0,1
27 Primavera O 20 1 ST-65G 0.19
28 Oreja 25X20X4 1 ST-3 0,015

Autores: E. Mandro, N. Zakrevskiy, Smela, región de Cherkasy; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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El método propuesto por los científicos permitió realizar las mediciones más sensibles de la velocidad de movimiento de una carga eléctrica en el silicio, y esto es un indicador de su eficacia como semiconductor. Como resultado, el nuevo método permitirá evaluar con mayor precisión el efecto de ciertos dopantes en la conductividad del silicio y constituirá la base para mejorar las características de los dispositivos semiconductores. Esta es una oportunidad de mejorar el rendimiento de los chips casi gratis solo a través de una mejor comprensión de los procesos. Llevar a cabo la afinación, por así decirlo.

Tradicionalmente, la movilidad de los electrones y los huecos en el silicio se medía por el método de Hall. Este método asume que los contactos están soldados en una muestra de silicio (semiconductor) para pasar una corriente eléctrica. La desventaja de este método es que aparecen defectos o impurezas en los puntos de soldadura, que introducen distorsiones en los resultados de la medición.

Para la pureza del experimento, los científicos del NIST utilizaron un método sin contacto. La muestra de silicio se expuso primero a luz de baja intensidad en forma de pulsos ultracortos de luz visible, y luego la muestra se irradió con pulsos de radiación en el rango de microondas o infrarrojo lejano. La luz visible débil producía un efecto de fotodopaje en el silicio: aparecían partículas cargadas en la capa de silicio en forma de electrones y huecos.

La luz visible, por razones obvias, no podía penetrar en el espesor del silicio. Para ello, la muestra fotodopada se irradió con radiación de terahercios (en el rango del infrarrojo lejano), para lo cual el silicio es transparente. Y cuantas más partículas cargadas haya en la muestra, más luz penetra o es absorbida por la muestra. Es importante señalar aquí que para una medición más precisa de la movilidad de los electrones en la muestra, su espesor debería haber sido bastante grande, hasta 1 mm. Esto descartó la influencia de defectos en la superficie de la muestra en las mediciones.

Sin embargo, el número de electrones y huecos "introducidos" por la luz visible en la muestra tenía que ser lo más pequeño posible para reducir el umbral de sensibilidad durante las mediciones. Por lo general, para esto, la muestra se irradió con un fotón, pero en el caso de una muestra gruesa, un fotón eliminó las partículas de silicio con carga insuficiente. Se encontró una salida irradiando la muestra con dos fotones de luz visible. Después de eso, la radiación de terahercios pasó libremente a través de la muestra con un número mínimo de partículas cargadas en la mayor parte del material. Según los científicos, el umbral de sensibilidad se redujo en un factor de 10, de 100 billones de portadores de carga por cm2 a 10 billones.

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