ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Amplificador de tres vías. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de transistores Dividir la señal en bandas en la ruta de preamplificación es una forma eficaz de mejorar la calidad de la reproducción del sonido. Esto permite reducir la distorsión de intermodulación, obtener una respuesta lineal de amplitud-frecuencia en términos de presión sonora utilizando medios relativamente simples y simplificar el diseño de los amplificadores de potencia, ya que cada uno de ellos opera en una banda de frecuencia estrecha.
Los parámetros principales:
Cada canal del dispositivo (amplificador estéreo) consta de un bloque de filtros de separación con coeficientes de transmisión ajustables por separado en las bandas de señal HHF de baja frecuencia (LF), media frecuencia (MF) y alta frecuencia y un tres bandas. amplificador de poder. El bloque de filtro contiene un interruptor de nivel de señal (S1), un control de volumen (R2), dos etapas de amplificador (VI, V2) con filtros de paso alto (C2R3C3R4C4R5) y filtros de paso bajo (R7C6R8C7R9C8) conectados en la entrada, y dos Seguidores de emisor (V3, V4) también con filtros de paso alto (C16R18C17R19C18R20) y de paso bajo (R17C11R14C12R15C13) en la entrada. Las frecuencias de corte de los dos primeros filtros son de 400 Hz, las de los segundos son de 4000 Hz. Por lo tanto, desde el control deslizante de la resistencia variable R12, los componentes con una frecuencia inferior a 400 Hz se suministran a la entrada del amplificador de paso de banda correspondiente, desde el control deslizante de la resistencia R24, con una frecuencia de 400 a 4000 Hz, y desde el control deslizante de la resistencia R23. - con una frecuencia superior a 4000 Hz. Cada uno de los amplificadores de potencia de paso de banda (Fig. 1) está fabricado con un amplificador operacional y dos pares complementarios de transistores.
Los circuitos amplificadores para las bandas de señales de frecuencia media y baja son casi idénticos y sólo se diferencian en que este último está cubierto por un circuito de retroalimentación de corriente positiva (POC). La señal de esta conexión se elimina del control deslizante de la resistencia de recorte R10 y, a través de la resistencia R9, se suministra a la entrada no inversora del amplificador operacional A3. Las etapas de salida de los amplificadores de banda de frecuencia media y baja funcionan en modo B, y los amplificadores de banda de alta frecuencia funcionan en modo AB.
En la siguiente figura se muestra el diagrama esquemático de una fuente de alimentación de amplificador bipolar. Usando el interruptor S2, el umbral de protección electrónica se puede configurar en 1 o 3 A. Los voltajes + 18 y -18 V se utilizan para alimentar los amplificadores de las bandas de frecuencia media y baja, así como la etapa de salida del amplificador de banda HF. Se utilizan +12 y -12 V para alimentar el amplificador operacional AJ de este amplificador. La unidad de filtro se alimenta mediante un estabilizador de voltaje de baja potencia en el transistor V8. Además de los indicados en el diagrama, en los amplificadores de medios y graves se pueden utilizar los amplificadores operacionales K140UD6A, KN0UD6B, K140UD8A, K140UD8B, K553UD1. Los pares complementarios de transistores KT502B, KT503B se pueden reemplazar por pares KT502G, KT503G; KT502V, KT503V y también (en el amplificador de RF) un par de transistores KT361E, KT315E. Los coeficientes de transferencia de corriente estática de los transistores de reemplazo deben ser al menos 40. Para obtener distorsiones no lineales bajas, se recomienda seleccionar pares de transistores de la etapa de salida de acuerdo con el coeficiente h21e con una desviación de no más de ± 10% (V7, V8 y V13, V14) y ± 20% (todos los demás). Los transistores V13-V18 (Fig.2) deben instalarse en disipadores de calor con aletas con un área efectiva de 300...400 cm2, los transistores V15 y V22 (Fig.3) - en disipadores de calor con aproximadamente el doble de área. El transformador T1 de la fuente de alimentación está enrollado en un circuito magnético toroidal retorcido con un diámetro exterior de 115, un diámetro interior de 60 y una altura de 40 mm. El devanado I contiene 880 vueltas de cable PEL - 0,6 con un grifo de la vuelta 510, el devanado II - 2 X 70 vueltas de cable PEL - 1,5. El inductor L1 está enrollado sobre un núcleo magnético hecho de placas de Ø10 (espesor del juego: 10 mm). Su devanado contiene aproximadamente 1000 vueltas de cable PEL - 0,17. Los altavoces tienen forma de bass reflex y la carcasa (dimensiones exteriores 320 x 240 x 500 mm) es de aglomerado de 20 mm de espesor. El cabezal del woofer se monta en el panel frontal desde el interior, todos los demás se montan desde el exterior. El orificio para el cabezal del woofer está ubicado en el eje de simetría vertical del panel a una distancia de 130 mm de la pared inferior, los orificios para los cabezales de medios y agudos son simétricamente con respecto a este eje (cada par está al mismo nivel ) a una distancia de 310 y 420 mm de la misma pared, respectivamente, y de 130 y 165 mm entre sí. Los parches de medios están aislados del resto del volumen de la carcasa mediante una tapa en forma de medio cilindro con un diámetro de 130 mm hecha de duraluminio de 0,5 mm de espesor. Las medias bases de la campana están fabricadas en lámina de espuma de 15 mm de espesor. El orificio para el túnel bass reflex (tubo de cartón de 1,5 mm de pared delgada con un diámetro interior de 45 y una longitud de 150 mm) se encuentra en la parte superior del panel frontal, entre los cabezales HF. La frecuencia de sintonización del bass reflex es de 30 Hz. Todas las conexiones de la carcasa están selladas con plastilina. Las paredes, excepto el frente, están revestidas con una capa compactada (30 mm de espesor) de algodón presionada contra ellas con una malla de plástico. Se coloca caucho microporoso entre la pared frontal y el cuerpo. Primero se instala la unidad de filtrado. Colocando los controles deslizantes de las resistencias R2, R12, R24 y R23 (Fig.1) en la posición superior (según el diagrama), se aplica a la entrada una tensión alterna de 200 mV con una frecuencia de 200, 2 y 000 Hz. y se miden los voltajes en las salidas del bloque. Si estas tensiones resultan inferiores a 10 mV, los transistores VI y V000 se sustituyen por otros de mayor pendiente. La instalación de amplificadores de potencia se realiza con una corriente de respuesta de protección de 1 A. La corriente de reposo de los transistores V13, V14 (aproximadamente 100 mA) se establece seleccionando la resistencia R14, el voltaje constante mínimo en la salida (valor permitido ± 0,1. ...0,2 V) - seleccionando la resistencia R3*. La ausencia de voltaje constante en las salidas de los amplificadores de las bandas de frecuencia media y alta se logra construyendo las resistencias R11 y R12. Después de esto, se aplica un voltaje de 100 mV con una frecuencia de 200 Hz a la entrada del bloque de filtro y, seleccionando la resistencia R7*, se establece un voltaje de 10,5 V en la carga equivalente del amplificador LF. frecuencias de 2 y 10 kHz, seleccionando las resistencias R2* y R4*, el voltaje se establece en la carga equivalente del amplificador de rango medio, el voltaje es 10,5 V, y en la carga equivalente del amplificador RF - 9V. Por último, se selecciona la profundidad del POS. Al conectar los altavoces y colocar los controles deslizantes de las resistencias R12 y R23, R24 (Fig. 1) en la posición inferior (según el diagrama), se suministra a la entrada una señal musical con predominio de sonidos graves. Al mover gradualmente el control deslizante de la resistencia R12 hacia arriba, logramos el sonido más agradable de las frecuencias de audio más bajas. Ver otros artículos sección Amplificadores de potencia de transistores. 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