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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Dispositivos de memoria. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Radioaficionado principiante robo Los chips de RAM se basan en transistores bipolares y MOS. El elemento de memoria en el primero de ellos es el disparador más simple, en el segundo, un disparador o un condensador cargado a un voltaje correspondiente a un solo estado del elemento. Los microcircuitos de disparo bipolar tienen una velocidad significativa y los microcircuitos MIS tienen una mayor capacidad de memoria. Además, los microcircuitos MIS consumen mucha menos energía. Un ejemplo típico de RAM de activación es un registro paralelo. Con cuatro bits de información almacenada, todos sus componentes encajan en una carcasa con 14 pines que brindan acceso a todas las entradas y salidas de los cuatro elementos de memoria. La organización de la memoria en forma de registros separados se utiliza al crear RAM de baja capacidad. Con un aumento en la capacidad de RAM, surge el problema de acceder a cada elemento de memoria con un número limitado de pines en el paquete. Este problema se resuelve con la ayuda de la organización de direcciones de la memoria utilizando un decodificador de código de dirección. Como se mencionó anteriormente, un decodificador con n entradas de direcciones descifra 2n estados Así, con cuatro entradas, es posible organizar el acceso a 16 elementos de memoria con 10 a 1024 elementos. Un dispositivo de memoria de tipo dirección consta de tres bloques principales: una matriz de elementos de memoria (acumulador), un bloque de búsqueda de dirección (descodificador de dirección) y un bloque de control. Considere el propósito y la interacción de estos bloques utilizando el ejemplo de una RAM de 64 bits con una organización de muestreo de direcciones de 16 palabras de cuatro bits (16 palabras x 4 bits = 64 bits). Una imagen condicional y un diagrama funcional de dicho microcircuito se muestran en la Figura 1, a. La matriz de memoria está formada por 16 cadenas de disparo de cuatro bits. Con la señal V=0, entra en funcionamiento una de las cadenas correspondientes a la dirección configurada A1-A4, y sus señales se alimentan a las entradas del elemento AND (7-10). Con una señal V-1, todas las salidas de CC son bajas y, por lo tanto, todos los disparadores están desactivados desde los buses de salida del variador. Cuando V=0 y W=0, la cadena seleccionada recibe entradas de señales de información (D0-D4) y el elemento 1 genera una señal de grabación. En este modo, cuando se cambia la información en la entrada de RAM, se sobrescribe la información en la palabra dada de la matriz. Con las señales V=1 y W=0, la información de entrada pasa directamente a la salida del microcircuito, sin pasar por la matriz de activación (el decodificador no selecciona ninguno de los circuitos). Y, por último, cuando V=1 y W=1, se prohíbe el funcionamiento del decodificador, del nodo que genera la señal "Record", y de los elementos de entrada AND.
Así, la unidad de control (diez elementos Y) asegura el funcionamiento de la RAM en los siguientes modos: escritura, lectura, transferencia de extremo a extremo, almacenamiento de información. Las puertas AND de salida son de colector abierto, lo que permite que las salidas Q de varios chips RAM se conecten entre sí. En este caso, se aumenta la capacidad de la RAM: dos microcircuitos: 32 palabras, tres: 48, etc. El control de dirección A1-A4, las entradas de información D1-D4 y la salida Q1-Q4 de todos los microcircuitos se combinan en buses comunes, y la elección de la matriz de trabajo se realiza mediante un decodificador adicional para las entradas V y W. Así es como funciona el K155RU2 se construye el microcircuito, Figura 1,b.
Al diseñar una RAM con una capacidad de cientos de miles de bits en un paquete, es difícil crear decodificadores con tal cantidad de salidas. Se superaron al construir acumuladores de matriz, en los que cada elemento de memoria se muestrea no a lo largo de un bus, sino a lo largo de dos (por filas y columnas). El diagrama funcional de dicha RAM con una capacidad de 256 bits se muestra en la Figura 2. Se requieren ocho entradas de dirección para seleccionar 256 celdas. Se dividen en dos cuádruples, cada uno de los cuales controla el decodificador de 16 posiciones. Para cualquier combinación de señales A1-A8, los valores unitarios de las señales en el bus de fila y el bus de columna estarán en un solo elemento de memoria. Solo este elemento percibirá las señales de control que pasan por los buses comunes: chip select CS (Chip Select), bit bus 1, bit bus 0. Un análisis de la estructura lógica de la unidad de control local (tres elementos AND) le permite compilar una tabla de modos de funcionamiento de esta memoria RAM.
El amplificador de salida de RAM en el modo de grabación y almacenamiento de información está en el tercer estado (estado con alta resistencia), lo que permite aumentar la cantidad de memoria de la misma manera que para el chip K155RU2. El pinout de los microcircuitos K176RU2 y 1K561RU2 (las RAM con tal estructura están hechas de acuerdo con la tecnología CMDP se muestra en la Figura 2, b. Usándolos, debe recordarse que la información sobre la dirección (A1-A8) y las entradas de información debe cambiar a un nivel alto de la señal CS, como en el modo de grabación, y en el modo de lectura. De lo contrario, la información registrada anteriormente será destruida. El cambio de información debe realizarse al menos 0,1 µs antes del inicio de la CS= 0 señal o no antes de 0,5 µs después de que finalice. PFU Las memorias permanentes permiten únicamente la lectura de la información ingresada en ellas. La ROM contiene una palabra preestablecida de m bits para cada dirección de n bits. Por lo tanto, las ROM son convertidores del código de dirección en un código de palabra, es decir, un sistema combinacional con n entradas y m salidas. Una unidad ROM generalmente se implementa como un sistema de buses perpendiculares entre sí, en cuyas intersecciones hay (1 lógico) o ausente (0 lógico) un elemento que conecta los buses horizontales y verticales correspondientes. Las palabras se muestrean de la misma manera que en la RAM, usando un decodificador. Los transistores de salida de los amplificadores pueden ser de colector abierto o de tercer estado. Luego, con una señal estroboscópica V = 1, el microcircuito se desconecta del bus de salida, lo que permite aumentar la memoria simplemente combinando las salidas de los microcircuitos ROM. Actualmente se está produciendo una gran cantidad de ROM, o memoria no volátil, tanto en serie como en paralelo. En este articulo solo hablare de ROMs paralelas, ya que para hablar de ROMs seriales como yo2. Considere una ROM programable de una sola vez k155re3. Su capacidad de información es de 256 bits, la organización es de 32x8. En estas ROM, el elemento de memoria es un transistor bipolar con un puente quemable. Cuando se programa en una celda donde se debe escribir 0, se pasa un pulso de corriente a través del transistor, suficiente para destruir el puente. Chip K573RF6 ROM con borrado ultravioleta, tamaño de memoria 64Kbit organización 8192x8. El microcircuito tiene una ventana en su carcasa, que se usa cuando se borra con luz ultravioleta. Después de borrar, esta ventana se sella con una película opaca. Después de borrar, todas las celdas están en un estado lógico. El microcircuito funciona en modo de programación cuando el voltaje de la fuente de alimentación es de 25 voltios, en la entrada -OE el voltaje es alto. Para escribir información, debe enviar un byte de datos a las salidas de datos. Las señales de dirección y las señales de datos son de nivel TTL. Cuando se establece la dirección y la información de entrada, se aplica un pulso de programación con un nivel TTL y una duración de 50 ms a la entrada -CE / PGM. Se da un pulso de programación por cada byte de información que se escribe. Después de programar cada celda, es necesario verificar si está programada correctamente. Si el byte leído de la ROM no corresponde con el que se está escribiendo, entonces se debe repetir el procedimiento de programación para esta celda. Autor: -=GiG=-, gig@sibmail; Publicación: cxem.net
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