Switch de dos dispositivos para puerto LPT. Esquema, descripción

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Switch de dos dispositivos para puerto LPT. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Usando este esquema, puede conectar 2 dispositivos a un puerto de impresora. Esto puede ser útil, por ejemplo, cuando se conectan 2 computadoras a través del puerto LPT para una impresora, cuando aún se debe conectar una impresora a este puerto.

Conmutador de dos dispositivos para puerto LPT

Publicación: cxem.net

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El atractivo de los hombres cariñosos. 14.04.2024

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Memoria de giro STT-MRAM 23.01.2015

La memoria giratoria STT-MRAM está libre de las deficiencias de la memoria flash, como la confiabilidad y durabilidad relativamente bajas, así como el consumo de energía relativamente alto al escribir datos. Se ve como un reemplazo para la memoria flash y DRAM

La agencia de Singapur A*STAR (Agencia para la ciencia, la tecnología y la investigación) representada por el DSI (Instituto de almacenamiento de datos) y Micron Technology anunció la continuación del desarrollo conjunto de memoria magnética de acceso aleatorio, que utiliza el efecto de la transferencia magnética aleatoria de par de giro. memoria de acceso, STT-MRAM). El acuerdo de cooperación original de tres años, firmado en otoño de 2011, se ha prorrogado por otros tres años.

Las capacidades de A*STAR DSI y la experiencia del instituto en STT-MRAM ayudaron a Micron a establecer un centro de investigación en Singapur. En la etapa inicial de cooperación, el instituto también compartió la experiencia necesaria para la fabricación exitosa de chips STT-MRAM.

Sobre la base de la exitosa experiencia de trabajar juntos, los socios tienen la intención de centrarse en desarrollar un mecanismo de conmutación de baja potencia y mejorar el rendimiento de STT-MRAM en la nueva fase. Las partes esperan que la cooperación acerque la nueva tecnología de memoria a las aplicaciones comerciales.

Recuerde que la memoria STT-MRAM está libre de las deficiencias de la memoria flash, como una confiabilidad y durabilidad relativamente bajas, así como un consumo de energía relativamente alto al escribir datos. Tiene tal combinación de cualidades que puede considerarse como un reemplazo para la memoria flash y la memoria de acceso aleatorio (DRAM).

Micron y A*STAR no son los únicos que desarrollan STT-MRAM. Hace dos años, los especialistas de Toshiba lograron crear un elemento de memoria STT-MRAM con el menor consumo de energía del mundo y, a principios de octubre de este año, TDK mostró prototipos de chips de memoria STT-MRAM con una densidad de 8 Mbps. En la primavera del año pasado, IMEC y Globalfoundries anunciaron la expansión de la cooperación en el desarrollo de la memoria STT-MRAM.

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