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Ultrasonido contra roedores. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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En busca de los ultrasonidos, que tienen un efecto disuasorio sobre los animales de una u otra especie, se suelen construir generadores que varían la frecuencia de la radiación de una forma u otra. En la figura se muestra un diagrama esquemático de uno de estos generadores.

En los elementos DD1.3, DD1.4, R5, R7, C5, C6, se ensambla un multivibrador simétrico, cuya frecuencia se puede cambiar dentro de 25 ... 50 kHz. En los seguidores del emisor (transistores VT2-VT5) se ensambla un amplificador de potencia, a cuya salida se conecta un emisor: un cabezal dinámico BA1 de alta frecuencia.

La frecuencia de excitación del multivibrador depende no sólo de los valores de las resistencias y condensadores incluidos en él F=1/(R5·C6+R7·C5)), sino también del estado del transistor VT1. La frecuencia de excitación es mínima si este transistor está cerrado, máxima si está abierto; aumenta del mínimo al máximo a medida que se abre VT1.

Ultrasonido contra roedores. Generador ultrasónico de barrido

El modo de operación del transistor VT1 cambia periódicamente. Este período depende de la constante R2C1 T = 2R2 Cl), que establece la frecuencia de excitación del generador, compuesta por los elementos DD1.1 y DD1.2, y de la constante R3C2, que convierte el meandro de la tensión de salida de este generador en una corriente "trapezoidal" en la base del transistor VT1.

Por lo tanto, un generador de alta frecuencia modulado emitirá vibraciones ultrasónicas en el rango de frecuencia de 25 ... 50 kHz, haciéndolo funcionar "hacia adelante y hacia atrás" en 1/6 ... 1/9 s.

Suponiendo que los roedores puedan acostumbrarse a tal radiación ordenada, el autor propone otra forma de escanear el rango ultrasónico: tres generadores de frecuencia infrabaja con frecuencias no coincidentes (Fig. 144).

En el dispositivo se pueden utilizar resistencias del tipo MLT-0,125. Condensadores C1-C3, C5 y C6: cualquier cerámica, C4: cualquier óxido. Diodos VD1-VD3 - impulso de silicio o alta frecuencia. Transistor VT1: cualquiera de KT315. Los transistores compuestos VT2 y VT4 pueden ser cualquiera de KT829 o KT972, y VT3 y VT5, de KT853 o KT973.

Cabezal dinámico VA1 - ZGDV-1 o 6GDV-4 de pequeño tamaño. Otros "tweeters" de alta frecuencia también pueden ser adecuados, pero en cualquier caso, la resistencia de la cabeza BA1 debe ser de al menos 4 ohmios.

Con una tensión de alimentación de 9 V y una carga de 8 ohmios, la corriente consumida por el dispositivo no supera los 0,5 A.

En el dispositivo, puede que solo sea necesario aclarar el rango de frecuencias de los generadores de ultrasonidos y de frecuencias infra-bajas. Esto se puede hacer usando un osciloscopio o "de oído", habiendo reducido previamente la frecuencia del multivibrador ultrasónico en 5-6 veces, conectando, por ejemplo, condensadores con una capacidad de 5 pF en paralelo con los condensadores C6 y C1000.

Publicación: rp.butovonet.ru

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