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Receptor de infrarrojos en transistores. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / tecnología infrarroja

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El diagrama esquemático del receptor de señales IR pulsadas se muestra en la fig. 35. Su salida se puede conectar directamente a la entrada de un chip CMOS digital. Si se debe quitar el fotocabezal del analizador digital y la capacitancia del cable que los conecta supera los 100 ... 200 pF, el fotoamplificador deberá complementarse con un amplificador de búfer. Tal, por ejemplo, como en la Fig. 36, a (amplificador-inversor) o en la fig. 36b. La carga capacitiva de un cabezal fotográfico con un amplificador de salida de este tipo se puede aumentar a 0,01 uF.

Receptor de infrarrojos en transistores
Arroz. 35. Receptor de transistor IR (haga clic para ampliar)

Receptor de infrarrojos en transistores
Arroz. 36. Amplificadores de potencia en tecnología CMOS

Tabla 7
arriba, B Ipot, mA
4,5 0,30
5,0 0,30
6,0 0,32
7,0 0,34
8,0 0,35
9,0 0,37

El fotodiodo FD263-01 se puede reemplazar con FD320. Y si tiene un buen concentrador óptico, casi cualquiera de los enumerados en el Apéndice 2.

El receptor IR permanece operativo cuando el voltaje de la fuente de alimentación Upit cambia en un amplio rango. La dependencia de la corriente consumida por él Ipotr en el voltaje de suministro se muestra en la Tabla 7.

Publicación: cxem.net

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