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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Dispositivo para probar transistores de alto voltaje. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Tecnología de medición Revisar los dispositivos semiconductores, especialmente los comprados en el mercado de la radio, no solo es deseable, sino también necesario, ya que puede comprar una pieza con un defecto de fabricación o una falsificación. El dispositivo propuesto por el autor está hecho en forma de un accesorio para un dispositivo digital o analógico y le permite determinar rápidamente el voltaje inverso máximo permitido en una unión de semiconductores. Se sabe que la prueba de dispositivos semiconductores con un multímetro analógico o digital no ofrece una garantía total de su capacidad de servicio debido al bajo voltaje al que se realiza la prueba. Está claro que las sondas para probar transistores de bajo voltaje (por ejemplo, KT315B, KT815A) no son adecuadas para probar dispositivos potentes de alto voltaje. Debe tenerse en cuenta que si la corriente del colector inverso del transistor bajo prueba es significativamente más alta que la indicada en el libro de referencia, es posible que no se trate solo de una copia de baja calidad, sino de una falsificación (la llamada "molienda"). "), cuando se vende otra cosa bajo la apariencia de un transistor en el mismo paquete. El dispositivo propuesto está diseñado para medir la corriente inversa de transistores bipolares de cualquier estructura a un voltaje de 50 ... 600 V. También pueden verificar la corriente inversa de diodos rectificadores, tiristores, triacs y determinar el voltaje de funcionamiento de lámparas de descarga de gas. , diodos zener de alta tensión, varistores. El diagrama esquemático del dispositivo se muestra en la figura.
Se suministra voltaje alterno de 220 V a través del interruptor de alimentación SB1 y las resistencias R1, R2 a un rectificador de media onda en los diodos VD1, VD2 con duplicación de voltaje. Si el control deslizante de la resistencia R2 está en la posición superior de acuerdo con el diagrama, entonces cada uno de los condensadores C1, C2 se carga a un voltaje cercano al valor de amplitud del voltaje de la red, es decir, un poco más de 300 V. En este caso, el voltaje constante ajustable en los terminales izquierdos de las resistencias R8 según el circuito, R9 puede llegar a 600V. Las resistencias R3, R4 están diseñadas para acelerar la descarga de los condensadores C1, C2 después de apagar la alimentación. La lámpara de neón HL1 se enciende con un voltaje de más de 100 V. Un voltímetro simple con una escala calibrada a 6 V está construido sobre las resistencias R7, R1 y un microamperímetro PA600. Las resistencias R8, R9 limitan la corriente de cortocircuito de la carga. a 6mA; mientras que disipan potencia hasta 3,6 vatios. El LED HL2, que indica el aumento de la corriente inversa de la unión p-n, comienza a brillar apenas perceptiblemente a una corriente de 100 μA (se recomienda seleccionar el LED de mayor flujo luminoso a baja corriente). El diodo de silicio VD3 protege el microamperímetro conectado de la sobrecarga. El dispositivo utiliza resistencias MLT constantes de potencia adecuada. Resistencia variable R2 - SP-1 1 W con característica lineal (grupo A). El aumento de potencia de algunas resistencias fijas se debe a su funcionamiento a alto voltaje. Condensadores C1, C2 - óxido, tipos K50-7, K50-27 o similar para una tensión de al menos 350 V. Se puede utilizar K73-17 no polar con una capacidad de 2,2 microfaradios por 400 V o similar. Los diodos VD1-VD3 se pueden reemplazar por cualquier otro diodo de silicio de baja potencia con un voltaje inverso permitido de al menos 700 V. Lámpara de neón HL1: cualquier tipo con brillo suficiente a una corriente de no más de 250 μA. Interruptor de alimentación SB1: botón pulsador (¡sin enclavamiento!) con una tensión de funcionamiento de al menos 250 V. Microamperímetro PA1 tipo M4761 con una resistencia de marco de 1 kOhm del indicador de nivel de la grabadora de carrete "Saturno 202C-2" Puede ser reemplazado por cualquier otro con una corriente de desviación completa de la flecha 50 ... 300 μA, por ejemplo , M68501, M4260, M4204. Con dicho reemplazo, puede ser necesario un ajuste significativo en la resistencia de las resistencias R6, R7. Estructuralmente, el dispositivo se puede colocar en una caja de plástico con dimensiones de 100x150x30 mm. En el eje de la resistencia R2, asegúrese de instalar un mango de plástico. Con un uso frecuente, el dispositivo puede equiparse con un interruptor de polaridad para probar transistores de las estructuras "npn" y "pnp". Para evitar descargas eléctricas durante la medición, la corriente en el circuito de alimentación es limitada y las manos del operador están ocupadas: debe presionar simultáneamente el botón de encendido y ajustar el voltaje en la carga. Por tanto, el diseño prevé la fijación de los terminales del dispositivo semiconductor en los terminales o abrazaderas de los conectores que se encuentran bajo tensión. Antes de probar un dispositivo semiconductor para su voltaje máximo, aún debe verificar sus parámetros principales con un ohmímetro convencional, filtrando los defectuosos ya en la primera etapa de la prueba. Al verificar el tiristor, está conectado a los terminales del transistor de la estructura np-p, y el electrodo de control está conectado al terminal de la base. El triac se comprueba con dos opciones para la polaridad del voltaje de entrada, dejando el electrodo de control sin conectar. Un microamperímetro de cualquier diseño está conectado a los enchufes X1, X2; es especialmente conveniente usar un multímetro digital. Se puede conectar un voltímetro adicional a los contactos X4, XXNUMX. El voltaje de prueba debe aumentarse gradualmente, monitoreando el aumento de la corriente inversa con un dispositivo de medición o la aparición del LED. Debido a la variedad de tipos de paquetes de transistores, es difícil dar una recomendación única para su conexión al dispositivo; solo puede soldar los cables a los terminales del transistor. Solo se deben observar dos requisitos básicos: todas las conexiones al dispositivo deben realizarse con la alimentación apagada (¡el dispositivo no está aislado de la red eléctrica!) y con los condensadores de filtro completamente descargados. A veces puede que no sea suficiente medir la corriente inversa a temperatura ambiente, por lo que el transistor u otro dispositivo semiconductor se puede calentar con un secador de pelo eléctrico. Los resultados de las pruebas pueden conducir a un uso más prudente de dispositivos semiconductores con suficiente margen de tensión. Para excluir la conexión galvánica de los circuitos de medida con la red, es aconsejable conectar el dispositivo a través de un transformador de aislamiento Autor: A.Butov, pueblo de Kurba, región de Yaroslavl
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