ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Generador de señales de alta frecuencia. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Tecnología de medición El generador de señales de alta frecuencia está diseñado para probar y ajustar dispositivos electrónicos de alta frecuencia. Los principales parámetros
El generador consta del propio generador de RF (transistor V3), un seguidor de emisor (transistor V4), un amplificador de salida (transistor V6) y un modulador de amplitud (transistor V5). El subrango requerido de frecuencias generadas se selecciona mediante el interruptor S1, el generador se reconstruye con un bloque doble de condensadores de capacitancia variable C6 (ambas secciones están conectadas en paralelo). El diodo VI en el circuito de puerta del transistor V3 actúa como un limitador, lo que aumenta la estabilidad de la amplitud de la señal de salida cuando el generador está sintonizado (dentro del subrango). Las resistencias R1*-R4* atenúan la retroalimentación positiva, mejorando la forma de onda. La tensión de alimentación de esta etapa se estabiliza mediante el diodo zener V2. Desde la fuente del transistor V3, se suministra un voltaje de oscilación de alta frecuencia al seguidor del emisor, lo que proporciona el desacoplamiento entre el generador y la carga. El voltaje desarrollado por el generador (transistor V3) es significativamente mayor que el requerido para el funcionamiento normal de las etapas posteriores. Por lo tanto, la señal se suministra al amplificador de salida desde el divisor formado por las resistencias R9 y R10 en el circuito emisor del transistor V4. El amplificador de banda ancha de salida (transistor V6) se realiza en un circuito con un emisor común. Su carga es una resistencia variable R15, desde cuyo motor se envía la señal al conector coaxial de salida K2. Para proporcionar un ancho de banda de amplificador de salida suficientemente amplio, la resistencia de esta resistencia no debe ser superior a 150 ohmios. Luego, con una carga capacitiva de aproximadamente 50 pF (capacitancia de un cable coaxial de aproximadamente 0,7 m de largo), el ancho de banda del amplificador es de 20 .. 30 MHz. En este caso, se debe pasar una corriente relativamente grande (aproximadamente 10 mA) a través de los transistores. la caída de voltaje a través de la resistencia R15 debe ser aproximadamente 2 veces la amplitud de la señal de salida. La modulación de amplitud se realiza en la etapa de salida. El transistor V5 del modulador está conectado en corriente continua en serie con el transistor V6, y el voltaje de modulación del conector X1 se suministra simultáneamente a las bases de ambos transistores (en V6, a través de la resistencia R13 *). El resultado es una modulación mixta (base de colector) de la señal de salida. Usando dicha modulación, simplemente aumentando el voltaje AF, puede obtener casi el 100% de modulación de una señal de alta frecuencia con baja distorsión no lineal. Encienda la modulación con el interruptor S2. El generador utiliza un bloque dual de pequeño tamaño (sus secciones se conectan en paralelo durante la instalación) de condensadores variables con un dieléctrico sólido KPTM-4 (de las radios de transistores Neiva, Etyud, Signal, Orbita). El eje del bloque se prolonga mediante un trozo de varilla de latón de 4 mm de diámetro y 18 mm de longitud. En un extremo se perforó un orificio axial de 8 mm de profundidad, en el que luego se cortó una rosca M2. Para la conexión se utilizó un pasador de acero M2 X 8, que se atornilla con cola BF-2 en un orificio roscado en el eje del bloque KPE, y en el extremo sobresaliente del mismo pegamento se atornilla una varilla de extensión hasta fallar. Para ajustar el voltaje de salida, se usó una resistencia de cable variable PPB-1V, pero se podría usar otra resistencia cuya resistencia no exceda los 150 ohmios. El generador utiliza condensadores KT-1a (C1-C4), K50-6 (C13), KM (C15) y KLS (otros). Todas las resistencias fijas, excepto R10-VS-0,125 (MLT-0,125, MLT-0,25, etc.). Resistencia R10 - MON-0,5, si es necesario, se puede fabricar usted mismo enrollando, por ejemplo, un trozo de cable PEV-2 con un diámetro de 0,06 mm en el cuerpo de una resistencia MLT-0,5 con una resistencia de al menos 100 ohmios. Un trozo de alambre de 790 mm de largo se dobla por la mitad y el bucle se fija a la resistencia con una gota de colofonia fundida. Después del bobinado, los extremos se sueldan a los terminales de las resistencias. El dispositivo puede utilizar cualquier transistor de efecto de campo de la serie KP303 y cualquier transistor de alta frecuencia de silicio de baja potencia. El coeficiente de transferencia de corriente estática de los transistores V4 y V6 debe ser al menos 60, el transistor V5 - al menos 30. Diodo V1 - cualquier silicio de alta frecuencia. Las bobinas del generador L1 y L2 están enrolladas en anillos de ferrita M1000NM-A-K10 X 6X 4,5 (diámetro exterior 10, diámetro interior 6, altura 4,5 mm, grado de ferrita 1000NM). El primero de ellos contiene 25 + 50 vueltas de cable PEV-2 con un diámetro de 0,15 mm, el segundo - 7 + 14 vueltas de cable PEV-2 con un diámetro de 0,41 mm. Las bobinas L3 y L4 están enrolladas respectivamente en varillas de ferrita M600NN-2-CC3, 5 X 20 (diámetro 3,5, longitud 20 mm) y M600NN-3-CC2,8 x 12 (diámetro 2,8, longitud 12 mm). La bobina L3 consta de 10 + 20 vueltas de cable PEV-2 con un diámetro de 0,25 mm, L4 - 4 + 8 vueltas de cable PEV-2 con un diámetro de 0,5 mm. Ver otros artículos sección Tecnología de medición. Lee y escribe útil comentarios sobre este artículo. Últimas noticias de ciencia y tecnología, nueva electrónica: El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos
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