Nodo de conversación para un aparato telefónico. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Telefonia
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A veces, el funcionamiento del teléfono no es adecuado para el consumidor: sonido y audibilidad deficientes, ruido, etc. Puede mejorar las características del dispositivo ensamblando el nodo de conversación propuesto.
El diagrama del dispositivo se muestra en la figura.
(haga clic para agrandar)
El amplificador operacional cuádruple DA1 está alimentado por un voltaje bipolar generado a partir de una cascada unipolar en los transistores VT5, VT6. En el amplificador operacional DA1.1 y el transistor VT1, se ensambla un amplificador de micrófono, y en DA1.2 y VT2, VT3, un amplificador de señal de audio de la línea. Para operar el sistema antilocal, la señal de audio antifase para DA1.2 no se toma del transistor de salida VT1, como se hace en la mayoría de los nodos conversacionales más simples, sino que se genera mediante un amplificador separado en DA1.3. Con ello se consigue una buena calidad del sistema antilocal.
La cascada en el amplificador operacional DA1.4, los diodos VD2, VD3 y el transistor VT4 está diseñada para controlar la ganancia DA1.2. Si se recibe un nivel suficiente de señal del micrófono, la ganancia del amplificador operacional DA1.2 se reduce, lo que proporciona una supresión aún mayor de la voz.
Con un nivel de señal muy alto en la entrada no inversora del amplificador operacional DA1.1, la linealidad de DA1.1 y DA1.3 se deteriora y la profundidad de supresión de la propia voz disminuye. Para compensar este efecto, se debe reducir la sensibilidad del amplificador en el amplificador operacional DD1.2. Esto hace que el transistor de efecto de campo sea VT4. La resistencia del canal de fuente-drenaje aumenta considerablemente, y la ganancia del amplificador operacional DA1.2 está determinada solo por la relación de los valores de resistencia de las resistencias R25 y R21.
El interruptor SA1 está diseñado para reducir la sensibilidad del amplificador del micrófono. Switch SA2 puede reducir el volumen de la señal en el auricular.
Micrófono electret VM1 - MKE-389, MKE-332, MKE-377, M34LOR HM1003 o similar. Diodos VD2, VD3, VD6: cualquier germanio o silicio de baja potencia, VD4 y VD5: silicio de baja potencia. Diodo Zener VD1: cualquier voltaje de baja potencia 15 ... 30 V.
El transistor VT1 puede ser cualquiera de las series KT815, KT817, KT961, KT608, KT630 con un coeficiente de transferencia de corriente base de 150 ... 200. Transistor de efecto de campo VT4: cualquiera de las series KP302, KP303, KP307, pero se debe verificar el voltaje de corte, que no debe ser más de 1 V.
Para reducir la interferencia, es mejor colocar la placa con el nodo parlante dentro del auricular y usar un protector de lámina de cobre.
Establecer un nodo se reduce a la selección de algunas resistencias que afectan ciertos parámetros. Las etiquetas de estas resistencias y los parámetros a los que afectan, así como las clasificaciones de los parámetros, se enumeran a continuación:
tipo="disco">
R3 - profundidad de supresión de la propia voz;
R7 - sensibilidad del amplificador de micrófono;
R9: reducción de la sensibilidad del amplificador del micrófono;
R12 - umbral de respuesta del sistema de reducción de sensibilidad del amplificador telefónico;
R14 - tensión de alimentación del nodo conversacional (8 ... 11 V);
R21 - volumen con sensibilidad reducida del amplificador de teléfono;
R27: el volumen de la señal de sonido entrante;
R29 - simetría de los brazos de la fuente de voltaje bipolar;
R31 - Volumen forzado hacia abajo.
Autor: A.Butov, pueblo de Kurba, región de Yaroslavl
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