Convertidor de voltaje de batería a voltaje trifásico 380 V. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
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Es posible que el convertidor que se describe a continuación no sea necesario en condiciones domésticas, pero para empresas industriales con consumidores de corriente trifásica puede resultar muy útil, sin mencionar aquellos lugares donde no hay líneas eléctricas trifásicas, pero es necesario utilizarlas. Equipos eléctricos trifásicos. El diagrama de la parte de potencia del convertidor se muestra en la Fig. 1.
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Debido a la gran inductancia de la bobina de atenuación Ld, la corriente del inversor Id puede considerarse idealmente suavizada. Un impulso positivo Uу1...Uу6 abre los tiristores V1...V6. Condensadores SK - conmutación. Sirven para crear una tensión de bloqueo en los tiristores.
Fórmulas para calcular un inversor de corriente de puente trifásico
Voltaje de fase de salida
Arriba = Entrada/2,34cosβ,
donde: β = (1,4...2)δcr; δcr = 360°ftoff; δcr ángulo de restauración de las propiedades de bloqueo del tiristor; f - frecuencia de salida del inversor; toff - tiempo de desconexión del tiristor; ntr es la relación de transformación del transformador.
Tensión máxima del condensador
Sk: Us.max = 1,4E.
Condensador de fase
Sk \uXNUMXd En n2tr(tgδ cosϕн + senϕн)/Uн2πf.
El valor del ángulo β se selecciona a partir de la condición de obtener el voltaje de salida requerido Ul, donde ϕн es el ángulo de cambio de fase entre Un e In: ϕн = arctan (2πfLн/Rн).
Inductancia de entrada
Ld Ld ≥ E[1 - cos(β + π/6)]cosϕ/72fPn cosβ si β<π/6;
Ld ≥ E2sen2β/144fPн cos2β, si β≥π/6.
El valor medio de la corriente consumida de la fuente de alimentación,
Id = Pí/Ud.
Tensión máxima directa e inversa en el tiristor
Upr.max \u1,41d XNUMX Ul;
Urev.max = 1,41 Ulsinβ.
Valores medios, máximos y efectivos de las corrientes que pasan por los tiristores,
Ivср = Id/3 = Pн/3E;
Ivmáx = Id;
IV = Id/1,41.
Potencias activa Pn y reactiva Qn consumidas por el inversor (total y fase):
Pi \u3d Pn \u3d XNUMXRi.f \uXNUMXd XNUMXRn.f \uXNUMXd Pd \uXNUMXd EId;
Qi= 3Qi.f = 3Ri.ftgβ;
Qn = 3Qn.f = 3Pn.ftgϕn;
Qc= Qi + Qn = 3Qs.f,
donde Pn, Ri.f, Qi, Qi.f - potencias de carga activa y reactiva total y de fase;
Qc y Qs.f. - potencia reactiva total y de fase de los condensadores Sk.
Para obtener una media onda positiva del voltaje lineal UAB, es necesario que los tiristores V1 y V4 estén abiertos (Fig. 2), para obtener una media onda negativa: V2 y V3.
Para obtener una media onda positiva de la tensión de línea UBC, es necesario que los tiristores V3 y V6 estén abiertos para obtener una media onda negativa de V4 y V5.
Para obtener una media onda positiva del voltaje lineal UAC, es necesario que los tiristores V2 y V5 estén abiertos para obtener una media onda negativa de V1 y V6.
La obtención de los impulsos de control de tiristores necesarios está garantizada por un sistema de control, cuyo diagrama se muestra en la Fig. 3.
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El chip DD1 contiene un oscilador maestro (MG) de pulsos rectangulares con una frecuencia de repetición de 300 Hz, que se ajusta seleccionando la resistencia R1. En los chips DD2...DD4, se ensambla un contador de anillo para 6. El disparador RS en el chip DD5.2 protege el circuito del "rebote" del contacto cuando se enciende. En el estado inicial, el disparador DD5.2 tiene una salida de registro "0" (la entrada R tiene un registro "1"). Cuando el interruptor SA1 se mueve a la posición superior de acuerdo con el diagrama, el registro "1" se elimina de la entrada R y el registro "1" se aplica a la entrada S. Aparece un registro "1" en la salida del disparador y se aplica una caída de voltaje positiva a la entrada C del monoestable DD5.1. El único vibrador produce un impulso con una duración de aproximadamente 20 ms. Este pulso prohíbe la emisión de voltajes de control Uу1...Uу6 en las salidas de los elementos Y DD6, DD7, ya que se suministra un pulso negativo de un solo disparo a sus entradas 5,8,13.
El impulso de un disparo pone el primer disparador del contador anular DD2.1 en un estado y los otros cinco en cero. Cuando termina el pulso de un solo disparo, se levanta la prohibición de emitir pulsos de control Uу1...Uу6. El primer pulso del oscilador maestro pone el primer disparador DD2.1 en cero y el segundo DD2.2 en uno. Los flip-flops restantes permanecerán en el estado cero, ya que sus entradas de información D contienen log "0". El segundo pulso SG establece el tercer disparador en un solo estado, etc. (ver figura 2). El sexto pulso SG pone el contador en su estado inicial: 1,0,0,0,0,0.
Los impulsos de control Uу1...Uу6 están formados por los elementos AND DD6, DD7 y una cascada de amplificación en los transistores VT1...VT12. Como se puede observar en el diagrama de tiempo (Fig. 2): Uу1 = Q1&Q6; Uу2 = Q3&Q4; Uу3 = Q2&Q3; Uу4 = Q5&Q6; Uу5 = Q4&Q5; Uу6 = Q1 y Q2.
La clasificación y la disipación de potencia de las resistencias R7, R10, R13, R16, R19, R22 se calculan dependiendo de la corriente de apertura de los tiristores seleccionados.
R < E/Iabierto; РR = E2/ R.
Literatura:
- Gorbachov G.N., Chaplygin E.E. Electrónica industrial. -M.: Energoatomizdat, 1988.
- Gurevich B.M., Ivanenko N.S. Un manual sobre electrónica para el joven trabajador. -M.: Más alto. escuela, 1987.
- Dimitrova M., Pundzhev V. 33 circuitos utilizando flip-flops. -L.: Energoatomizdat, 1990.
Autor: A.Mankovsky
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Las nuevas técnicas de imagen (como la microscopía confocal) han demostrado que, al menos antes de la pubertad, se forman nuevas neuronas en el hipocampo humano, una región del cerebro involucrada en la formación de las emociones y la memoria. Los hallazgos podrían ayudar a desarrollar medicamentos para enfermedades neurodegenerativas como el Alzheimer, creen los científicos.
Maura Boldrini, neurocientífica de la Universidad de Columbia, y sus colegas tomaron muestras de tejido del hipocampo de 28 personas sanas que habían muerto apenas unas horas antes. La edad de estas personas al momento de la muerte oscilaba entre los 14 y los 79 años. Los científicos han establecido la velocidad a la que se formaron en el cuerpo del difunto durante la vida nuevas células sanguíneas y neuronas de la fascia dentada del hipocampo, la parte del cerebro donde ocurre la neurogénesis.
"Según estudios realizados en ratones, existen células madre pluripotentes "madres" en la fascia dentada, cuyo número, según algunos informes, es limitado. El desarrollo de células "hijas", formadas como resultado de la división de las células “madres”, pueden seguir el camino de formación de las neuronas”, explica Boldrini.
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