|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese|
ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Sistemas de notación para dispositivos semiconductores de producción extranjera. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias Actualmente, existen en la práctica mundial tres sistemas de designación de dispositivos semiconductores: americano (JEDEC), europeo (Pro-Electron) y japonés (JIS). Veamos cada uno de estos sistemas. sistema JEDEC El sistema JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) proporciona el siguiente formato para designar dispositivos electrónicos: número - letra - número - sufijo. El número indica la cantidad de uniones pn en el dispositivo semiconductor. Si el primer dígito es 1, entonces es un diodo; 2 - transistores; 3 (por ejemplo): transistor de efecto de campo con dos puertas. En cualquier caso, el número indica el número de terminales del dispositivo menos uno. La letra N no tiene significado, es simplemente un separador entre dos símbolos digitales. El número no contiene información sobre el dispositivo, es solo el número de registro del dispositivo. El sufijo se utiliza para designar transistores: A - transistor de baja ganancia, B - transistor de ganancia media, C - transistor de alta ganancia. Por ejemplo, 2N3061B es un transistor de ganancia media. Sistema Pro-Electrón Este sistema da el siguiente formato: dos letras - letra - número - sufijo. La primera letra indica el material semiconductor: A - germanio; B - silicio; C - arseniuro de galio; R - material compuesto. La segunda letra indica el tipo de dispositivo: A - diodo o señal de baja potencia; B - diodo con capacitancia variable (varicap); C - transistor de baja frecuencia y baja potencia; D - transistor potente de baja frecuencia; E - diodo de túnel; F - transistor de alta frecuencia de baja potencia; G - varios dispositivos; H - diodos magnéticamente sensibles; K - Dispositivos de efecto Hall; L - transistores potentes de alta frecuencia; N - optoacopladores; P - fotodetectores; Q - emisores de luz; R - dispositivos de conmutación (tiristores, dinistores, transistores unijunción, etc.); S - transistores de conmutación de baja potencia; T - potentes dispositivos de conmutación (tiristores, triacs, etc.); U - transistores de conmutación de alta potencia; W - dispositivos sobre ondas acústicas superficiales; X - diodos-multiplicadores (varactores); Y - diodos rectificadores; Z - diodos zener. La tercera letra indica que el dispositivo está destinado a aplicaciones industriales o militares (no comerciales). El número no contiene información sobre el dispositivo, es solo el número de registro del dispositivo. El sufijo se usa al designar transistores: A es un transistor de baja ganancia, B es un transistor de ganancia media y C es un transistor de alta ganancia. Por ejemplo, BFY51B es un transistor de silicio de baja potencia y alta frecuencia para uso industrial con ganancia media. sistema JIS (Japanese Estándar industrial: estándar industrial japonés). Este sistema da el siguiente formato: dígito - dos letras - número - sufijo. El número coincide con la designación en el código JEDEC, es decir Este es el número de terminales del dispositivo menos uno. Las letras indican la aplicación del dispositivo: SA - transistor de alta frecuencia de la estructura pnp; SB - transistor de baja frecuencia de la estructura pnp; SC - transistor de alta frecuencia de estructura npn; SD - transistor de baja frecuencia de estructura npn; SE - diodo; SF - tiristor; SG - Dispositivo de Gann; SH - transistor de uniunión; SJ - transistor de efecto de campo de canal p; SK - transistor de efecto de campo de canal n; SM - triac; SQ - diodo emisor de luz; SR - rectificador; SS - diodo de baja potencia (señal); ST - diodos; SV - varicaps; SZ - diodos zener. El número no contiene información sobre el dispositivo, es solo el número de registro del dispositivo. El sufijo puede ser utilizado por varias empresas japonesas como mejor les parezca. Por ejemplo, 2SC2335C es un transistor de alta frecuencia pnp. Sin embargo, muchas grandes empresas utilizan sus propias designaciones para los transistores: MJ: potentes transistores de Motorola en una caja de metal; MJE: potentes transistores de Motorola en una caja de plástico; MPS: transistores de baja potencia de Motorola en una caja de plástico; MRF: transistores de alta frecuencia y superalta frecuencia de la empresa Motorola; CONSEJO: potentes transistores de Texas Instruments; Los TIPL son transistores planos de alta potencia de Texas Instruments.
Máquina para aclarar flores en jardines.
02.05.2024 Microscopio infrarrojo avanzado
02.05.2024 Trampa de aire para insectos.
01.05.2024
▪ Revelado el verdadero origen de Stonehenge ▪ Unidad óptica de 3,3 TB de Sony ▪ La inteligencia artificial tiene una nariz ▪ Nuevo procesador Intel Pentium 4
▪ sección del sitio Transporte personal: terrestre, acuático, aéreo. Selección de artículos ▪ artículo de François Fénelon. Aforismos famosos ▪ artículo ¿Quién es Bolívar? Respuesta detallada ▪ artículo Frijoles de ñame. Leyendas, cultivo, métodos de aplicación. ▪ artículo Lubricante utilizado al cortar tornillos. recetas simples y consejos
Hogar | Biblioteca | Artículos | Mapa del sitio | Revisiones del sitio
www.diagrama.com.ua |
Ver otros artículos sección 
Últimas noticias de ciencia y tecnología, nueva electrónica:
Todos los idiomas de esta página