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Fuente de alimentación, 1-29 voltios 2 amperios. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Fuentes de alimentación

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En muchos estabilizadores modernos, para mejorar su rendimiento, se utilizan amplificadores operacionales, que tienen una gran ganancia y características estables. Sin embargo, una modificación relativamente simple de un estabilizador de transistor tradicional puede mejorar significativamente sus características técnicas y evitar algunas de las dificultades que surgen cuando se diseñan estabilizadores que utilizan un amplificador operacional (especialmente en dispositivos con una amplia regulación de voltaje de salida). El alto coeficiente de estabilización de la fuente de alimentación descrita (Fig. 3.4) se debe al uso de un amplificador con carga dinámica.

La fuente de tensión del ejemplo está montada sobre un transistor de efecto de campo, lo que permite reducir la impedancia de salida del estabilizador y obtener una regulación profunda de la tensión de salida.

Fuente de alimentación, 1-29 voltios 2 amperios
(haga clic para agrandar)

Principales características técnicas:

  • Voltaje en la entrada del estabilizador - 30 V;
  • Límites de regulación de la tensión de salida - 1...29 V;
  • Corriente de carga máxima, 2 A;
  • factor de estabilización de voltaje - 60 dB;
  • Impedancia de salida 5...10 mOhm.

El regulador de voltaje consta de dos amplificadores de carga dinámicos controlados en serie. El primero está ensamblado en los transistores V13, V12, donde V13 está conectado de acuerdo con un circuito de puerta común, y V12, con un colector común: el segundo está en los transistores V14, V15 (V14, con un emisor común y V15, con un colector común). La señal de retroalimentación del motor de la resistencia R9, aplicada a la fuente del transistor V3, se amplifica sin inversión de fase y se alimenta a la base del transistor V14. El transistor V13 opera en un modo cercano al corte actual. El voltaje entre la fuente y la puerta es ejemplar en el estabilizador.

El circuito R2, R3, V11 sirve solo para la compensación de temperatura del cambio en la corriente de drenaje del transistor V13 (sin él, con la puerta de este transistor cerrada a un cable común, el voltaje de salida del estabilizador cambia en 3 ... 5% en el rango de temperatura de 20 ... 50 ° C). Desde el colector del transistor V14, la señal invertida y amplificada se transmite a la base de un potente transistor regulador V15. El elemento de control es alimentado por un estabilizador paramétrico en un diodo zener V10 y un transistor V9. Para obtener un factor de utilización de voltaje más alto del rectificador principal V1 ... V4, el estabilizador en el transistor V9 está alimentado por un multiplicador de voltaje en los diodos V5 ... V8 y los capacitores C1, C2. El multiplicador está conectado al devanado secundario del transformador T1.

La lámpara H1 sirve para limitar la corriente de colector a través de los transistores V9, V14 y la corriente de base del transistor VI5 en caso de cortocircuito en el circuito de carga, así como para indicar sobrecarga. En el momento de la sobrecarga, debido a un aumento en la corriente de base del transistor VI5, el voltaje en la entrada del estabilizador paramétrico disminuye a un nivel de 30 V, donde este voltaje cae casi por completo en la lámpara H1 menos la caída de voltaje en los transistores V9, V14 y la unión del emisor del transistor V15. La corriente en este circuito no supera los 120...130 mA, que es inferior al máximo permitido para sus elementos.

El estabilizador utiliza una resistencia variable bobinada con una potencia de disipación admisible de 3 W (PPB-3, PPZ-40). El transistor V13 debe seleccionarse con un valor bajo de la corriente de drenaje inicial, solo entonces el límite inferior del voltaje de salida del estabilizador estará cerca de 1 V. La corriente de drenaje de este transistor a un voltaje entre el drenaje y la fuente de 10 V y una puerta cerrada a la fuente debe estar dentro de 0,5 ... 0,7 mA. Al montar el estabilizador entre el diodo V11 y el transistor V13, es necesario asegurar un buen contacto térmico, para lo cual basta con pegar sus cajas. Es deseable elegir el transistor V15 con un gran coeficiente de transferencia de corriente estática de la base.

Además de los indicados en el diagrama, puede utilizar transistores de silicio de la serie KT203, KT208, KT209, KT501, KT502, KT3107 (V12), KT814, KT816 (V14), transistores KT815, KT817 con cualquier índice de letras, KT807B (V9), KT803A, KT808A, KT 819 con cualquier índice de letras (VI5).

El estabilizador también puede utilizar transistores de germanio MP40A, así como cualquiera de las series MP20, MP21, MP25, MP26 (V12), GT402, GT403, P213... P215 (V14). En lugar de KS527A, se pueden usar los diodos zener D813, D814D (dos en serie), D810, D814V (tres en serie). Es deseable instalar transistores V9 y V14 en radiadores pequeños (con un área útil de 20 ... 30 cm2). El transistor VI5 requiere un disipador de calor.

Para facilitar el régimen térmico de este transistor, el interruptor de palanca S1 proporciona un cambio gradual en el voltaje en la entrada del estabilizador, diseñado para una corriente de 2 A. En la posición 1, se suministran 15 V a la entrada del estabilizador, y en la posición 2 - 30 V. Cuando el interruptor de palanca está en la posición 2 y la resistencia de carga está cerca de un mínimo, el voltaje estabilizado no debe establecerse a menos de 15 V.

El transformador de red está enrollado en el circuito magnético del transformador TS-60. El devanado primario se deja sin cambios, el secundario se rebobina; contiene 200 vueltas (100 vueltas por cada bobina) de cable PEV-2-1,16.

La generación de alta frecuencia que a veces ocurre en el estabilizador puede suprimirse aumentando el valor del capacitor C6 o incluyendo una resistencia con una resistencia de 15 ... 5 ohmios con una potencia de 10 W en el circuito base del transistor V1. Para garantizar un funcionamiento estable del estabilizador, su instalación debe realizarse con conductores de longitud mínima, que tengan una gran sección transversal del núcleo conductor.

Autor: Semyan A.P.

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