Fuente de alimentación para multímetro M830. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Fuentes de alimentación
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Los multímetros de la serie M830 requieren un suministro de 9 V (batería 6F22 o similar) para funcionar correctamente. El multímetro funciona bien cuando el voltaje cae a 7,5 V. Sin embargo, cuando el voltaje cae por debajo de este valor, la precisión de la medición disminuye y, con un voltaje inferior a 6 V, el multímetro ya no puede medir.
Para medir con precisión los parámetros con un multímetro, el voltaje de suministro debe ser constante.
Para ello, propongo utilizar microcircuitos SEPIC muy conocidos, por ejemplo, de Linear Technology. La figura 1 muestra el circuito convertidor de voltaje recomendado por la empresa para el chip LT1308.
El dispositivo está hecho en una placa de circuito impreso con dimensiones de 10x10 mm (Fig. 2).
El pinout del chip LT1308 y sus dimensiones se muestran en la Fig. 3.
La elección del microcircuito se debe al hecho de que permite obtener el voltaje requerido (9 V) de una batería de iones de litio durante toda su "vida". Incluso cuando el voltaje de la batería cae a 1 V, el microcircuito puede "sacar" aproximadamente 9 V en la salida del circuito.
En este circuito también se pueden utilizar baterías NiMH o LiON de tamaño estándar, AA de cualquier capacidad. Dichas baterías, junto con el circuito de alimentación, se colocan libremente en el compartimento de la batería del multímetro. En este caso, las baterías se pueden cargar repetidamente.
Autor: P. Bobonich, Uzhgorod, Ucrania
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Los circuitos integrados de conmutación RF SP12T diseñados para teléfonos inteligentes tienen un controlador MIPI-RFFE integrado para soluciones móviles. Los conmutadores se pueden utilizar en dispositivos 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE y LTE-Advanced.
Los productos fabricados con el nuevo proceso de oblea TaRF8 SOI-CMOS TarfSOI proporcionan la clase de pérdida de inserción más baja de la industria de 0,32 dB a 2,7 GHz. En comparación con los productos basados en la tecnología de proceso TaRF6 actual de Toshiba, la pérdida de inserción se mejora en 0,1 dB manteniendo el mismo nivel de distorsión.
Las comunicaciones móviles de hoy en día requieren la transmisión de grandes cantidades de datos a altas velocidades y, por lo tanto, los circuitos integrados de conmutación de RF utilizados en dispositivos móviles y teléfonos inteligentes deben ser compatibles con la operación de múltiples puertos y tener un rendimiento de RF mejorado. La reducción de la pérdida de inserción se considera particularmente importante en este sentido, ya que reduce la pérdida de potencia de transmisión de la señal de radio, lo que aumenta la duración de la batería de los dispositivos móviles.
Toshiba desarrolla circuitos integrados de conmutación de RF de alto rendimiento internamente utilizando la tecnología SOI-CMOS, que integra circuitos analógicos y discretos. Al seguir todos los aspectos del proceso de fabricación, desde el desarrollo del proceso de componentes de RF hasta el diseño y la fabricación de circuitos integrados de interruptores de RF, Toshiba puede desarrollar rápidamente la tecnología SOI-CMOS en función de los resultados de su propio desarrollo de circuitos integrados de interruptores de RF. Trabajar como fabricante de dispositivos integrados (IDM) le permite a la empresa crear rápidamente nuevas tecnologías de procesos de fabricación adecuadas para la producción en masa y llevar productos al mercado utilizando procesos de fabricación de última generación.
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