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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA
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Potente convertidor de tensión sin transformador, 5-15/10-30 voltios 2 amperios. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Convertidores de tensión, rectificadores, inversores

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En la fig. 4.11 muestra un circuito duplicador de voltaje capaz de proporcionar una corriente de hasta 2 A en la carga.El convertidor se basa en un generador de pulsos en un elemento lógico DD1.1, cubierto por un circuito de retroalimentación R1, C1, R2, que establece el frecuencia de generación. Las señales de pulso generadas por el generador en antifase se alimentan a las entradas de los elementos lógicos DD1.3 y DD1.4, que controlan los potentes transistores clave VT1 y VT2.

Potente convertidor de tensión sin transformador, 5-15/10-30 voltios 2 amperios

Para eliminar la posibilidad de un cortocircuito de la fuente de alimentación durante su conmutación a las segundas entradas de los elementos DD1.3 (a través del inversor DD1.2) y DD1.4, se reciben pulsos que se retrasan aproximadamente una cuarta parte del periodo por el circuito integrador R3, C2. Debido a esto, los pulsos de apertura (de polaridad negativa con respecto a los emisores) en las bases de los transistores están separados en el tiempo, y se excluye la corriente de paso a través de ambos transistores. Si el transistor VT2 está abierto, el condensador C3 se carga a través del diodo VD1 a la tensión de alimentación.

Después de medio período, el transistor VT1 se abre, el capacitor C3 se conecta en serie con la fuente y el capacitor C4 se carga a través del diodo VD2 para casi duplicar el voltaje de suministro. IC CD4093 se puede reemplazar por K561TL1. Se deben utilizar transistores de la serie KT825 y diodos de la serie KD212. Para reducir el nivel de ondas a las corrientes de carga máximas, es conveniente aumentar la capacidad de los condensadores C3 y C4 a 10 μF y, además, conectar una película o película cerámica con una capacidad de 4 ... 0,1 μF en paralelo con condensador C1.

Autor: Semyan A.P.

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Dichos materiales no existen en la naturaleza, y el más famoso de los materiales 2D artificiales es el grafeno, que consiste en átomos de carbono. Científicos finlandeses trabajaron con sulfuro de molibdeno, a partir del cual lograron crear un material con un área de 1 centímetro cuadrado.

Los materiales 2D de este tamaño ya se pueden utilizar en la producción. Por ejemplo, en microcircuitos, aumentarán en gran medida el rendimiento debido a la conductividad ultra alta. Dichos microcircuitos pueden convertirse en la base de las supercomputadoras cuánticas. Y en fibra, los materiales 2D pueden aumentar considerablemente las tasas de transferencia de datos.

Las propiedades inusuales de los materiales 2D, como la superconductividad y la conductividad óptica, aparecen cuando una capa de material se superpone a otra en un ángulo determinado. Esto es lo que lograron hacer los investigadores de la Universidad Aalto. Anteriormente, los científicos podían crear dichos materiales solo en un área muy pequeña, mucho menos que el grosor de un cabello humano.

Los investigadores creen que aunque el material todavía necesita pasar muchas pruebas antes de su aplicación industrial, su descubrimiento tiene todas las posibilidades de cambiar la electrónica.

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