Un fusible electrónico simple. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Protección de equipos contra operación de emergencia de la red, sistemas de alimentación ininterrumpida
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Propongo una variante de un fusible electrónico simple. Contiene pocos detalles, trabaja en el rango de voltaje de 6 a 55 V y, al seleccionar una resistencia de medición de corriente, puede cambiar la corriente de operación de 10 a 600 mA.
El esquema del dispositivo se muestra en la fig. 1.
A la corriente nominal, la caída de tensión en la resistencia R2 no es suficiente para abrir el transistor VT1. Está cerrado y el transistor VT2 está abierto por la corriente que fluye a través de la resistencia R1. La resistencia de la resistencia se selecciona de modo que, en el modo operativo, el transistor VT2 esté completamente abierto.
Cuando la corriente de carga alcanza el umbral, la caída de voltaje en la resistencia R2 aumentará a 1 ... 1,1 V, que, menos el voltaje en el diodo VD1, es suficiente para abrir el transistor VT1. Como resultado, el transistor VT2 se cerrará y la corriente que fluye a través de la resistencia R3 abrirá aún más el transistor VT1.
La resistencia de la resistencia R2 se selecciona en función de la corriente de carga. La tabla muestra los valores de la corriente de operación de la tensión de alimentación con una resistencia de la resistencia R2 10 Ohm.
El fusible electrónico está montado en una placa de lámina de fibra de vidrio de una cara con dimensiones de 20x25 mm. Su dibujo se muestra en la Fig. 2. El diodo y las resistencias se instalan perpendiculares a la placa.
Se sustituirá el transistor KT503E (VT1) por el KT503D o cualquier otro en el que la tensión colector-emisor admisible supere la tensión de salida del estabilizador. Si el voltaje en la salida del estabilizador es inferior a 35 V, puede usar transistores de la serie KT503 con cualquier índice de letras. El transistor KT972A (VT2) se puede reemplazar con KT972V, KT972G. Debe colocarse en el disipador de calor. Con una corriente de carga más alta en lugar del transistor VT2, es necesario usar transistores más potentes con un alto coeficiente de transferencia de corriente base, por ejemplo, KT829A, KT829B. Diodo: cualquier silicio de baja potencia.
Al ajustar, es deseable, al seleccionar la resistencia R3, lograr el modo de activación del dispositivo.
Autor: K. Movsum-Zade, Tyumen
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