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Convertidor 12/220 voltios para senderismo. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Convertidores de tensión, rectificadores, inversores

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Para poder utilizar equipos eléctricos convencionales alimentados por 220 V CA en la carretera o de vacaciones, los radioaficionados recopilan varios. En la fig. 4.35 muestra un diagrama de uno de estos dispositivos. El circuito consta de tres unidades funcionales: un multivibrador maestro que genera un voltaje pulsado con una frecuencia de 50 Hz, con un inversor de salida, un amplificador de potencia de interruptor de transistor push-pull y un transformador elevador.

Convertidor 12/220 voltios para senderismo

El multivibrador está hecho en un chip D1, en los elementos D1.1 y D1.2. Su frecuencia depende de las calificaciones de R1 y C1. A la salida del multivibrador, se enciende un inversor en D1.4, que crea señales en contrafase suministradas a las bases de los transistores VT1 y VT2, luego sigue un amplificador de potencia push-pull en los transistores VT3 y VT4, cargado en el devanado de bajo voltaje del transformador de potencia T1, como resultado, una corriente pulsada fluye en este devanado. A la salida del transformador, se forma un alto voltaje, que tiene una forma casi sinusoidal. El circuito, que consta del devanado elevador de este transformador y el condensador C4, está sintonizado a una frecuencia de 50 Hz, lo que aumenta aún más la sinusoidalidad de la tensión de salida. En lugar del chip K561LN2, puede usar cualquier inversor de la serie K561, por ejemplo, el chip K561LA7 o K561LE5, cuyas entradas de cada uno de los elementos están conectadas entre sí (de modo que se obtiene un inversor simple de AND-NOT o elemento O-NO).

Transistores KT973: con cualquier índice de letras, los transistores KT805 se pueden reemplazar con KT819, también con cualquier índice de letras, cualquier transformador de red con una potencia de 50 ... 100 W es adecuado como transformador elevador, cuyo devanado primario es diseñado para 220 V, y dos secundarios para 10 ... 15 V cada uno (o uno con un grifo en el medio de 20 ... 30 V), El transformador se gira al revés, el devanado de baja tensión es el devanado "I", y el devanado de alto voltaje es "II". Los transistores VT4 y VT3 deben instalarse en radiadores que proporcionen una disipación de calor confiable.

Autor: Semyan A.P.

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Los sustratos de vidrio prometen transformar el proceso de fabricación de chips, proporcionando importantes beneficios a la industria electrónica. Se caracterizan por una alta estabilidad térmica y mecánica, lo que los convierte en un material ideal para su uso en aplicaciones de centros de datos. Además, los sustratos de vidrio tienen una gran planitud, lo que mejora la calidad y precisión del proceso de litografía, así como la estabilidad dimensional de las interconexiones.

Intel ha estado trabajando activamente en la tecnología de sustratos de vidrio durante diez años y planea introducirla en productos comerciales para 2030. Se espera que esto aumente significativamente la densidad de interconexión, lo cual es fundamental para el funcionamiento eficiente de la señal y la entrega de energía a los chips.

Samsung, que compite con Intel, también está desarrollando activamente esta tecnología y planea comenzar la producción en masa de chips sobre sustratos de vidrio en 2026. Para ello, la compañía ha reunido un equipo de expertos para investigar, desarrollar e implementar esta tecnología. Samsung Electronics se centrará en la integración de semiconductores y sustratos, mientras que Samsung Display se especializará en el procesamiento de vidrio.

El uso de sustratos de vidrio para chips representa un paso importante en la industria electrónica. La tecnología promete mejorar los procesos de fabricación, mejorar la eficiencia y la calidad de los chips y generar nuevas posibilidades en la electrónica. La colaboración de empresas líderes como Samsung e Intel nos permite esperar la implementación exitosa de esta tecnología innovadora en los próximos años.

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