Fuente de alimentación bipolar, 220/0,7-5,5 voltios 2,5 amperios. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Fuentes de alimentación
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Una fuente de alimentación bipolar está diseñada para garantizar el funcionamiento de una variedad de dispositivos ensamblados mediante transistores.
Los parámetros principales:
- Tensión de salida de cada brazo, V ....... 0,7 .. 5,5
- Corriente de carga máxima, A ....... 2,5
- Factor de estabilización ...... 1200
- Resistencia de salida, ohmios con corriente de carga 0,5 A.......0,01
- a una corriente de carga de 2,5 A ....... 0,015
- Doble amplitud de la ondulación de la tensión de salida (a una corriente de carga de 2,5 A), V ....... 2
La fuente de alimentación consta de un rectificador común (V7-U10) y dos estabilizadores de compensación mutuamente dependientes, realizados en un circuito secuencial (V11, V12, A1 y V13, V14, A2).
Un estabilizador está controlado por una señal de la unidad de comparación (V3) de los voltajes de salida y de referencia. Para controlar otro estabilizador se utiliza la suma de los voltajes de salida de los estabilizadores.
La fuente de tensión de referencia para el estabilizador superior (según el circuito) es un estabilizador paramétrico basado en un diodo Zener V4 con un elemento estabilizador de corriente (transistor de efecto de campo V3) conectado en serie. La fuente del voltaje de referencia para el brazo inferior es el voltaje de salida del brazo superior en el divisor de resistencia R12, R13, R14 y, en forma de una diferencia en valores absolutos, se suministra a la entrada inversora del amplificador operacional A2. . La señal diferencial amplificada ingresa al elemento de control (V13, V14) y cambia su resistencia.
Los parámetros especificados de la fuente de alimentación se pueden obtener si usa un amplificador operacional con una ganancia de 10 (con un circuito de retroalimentación abierto) y transistores con un coeficiente de transferencia de corriente estática h000e> 21.
El transformador T1 está enrollado en un circuito magnético Ø 28 x 42. El devanado I contiene 900 vueltas de cable PEV-1 - 0,15, los devanados II b y II c - 50 vueltas cada uno de PEV-1 - 1,0.
El inductor L1 está fabricado sobre un núcleo magnético Ш16 x 40 sin espacio. Se enrollan 150 vueltas en el marco en dos cables PEV-1 - 1,0 sin espaciadores aislantes y los devanados resultantes se encienden de acuerdo con el diagrama.
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El chip STM32WLE4xx se basa en un núcleo ARM Cortex-M32 RISC de 4 bits de alto rendimiento que funciona hasta a 48 MHz. Este núcleo implementa todo el conjunto de instrucciones DSP y una unidad de protección de memoria (MPU) independiente que mejora la seguridad de la aplicación. Los dispositivos tienen memoria de alta velocidad (memoria Flash de hasta 256 KB, SRAM de hasta 64 KB), así como un amplio conjunto de dispositivos avanzados de entrada y salida y periféricos enriquecidos.
El chip tiene varios mecanismos de protección para la memoria Flash integrada y SRAM, como protección contra lectura, escritura y lectura de código propietario.
Los periféricos incluyen un ADC de 12 bits, un DAC de muestra y retención de 12 bits de baja potencia y dos comparadores de potencia ultrabaja acoplados a una referencia de voltaje de alta precisión. El STM32WLE4xx integra un reloj en tiempo real (RTC) de baja potencia con un contador de activación de 32 bits, un temporizador de un solo canal de 16 bits, dos temporizadores de cuatro canales de 16 bits (con soporte de control de motor), uno de 32 bits temporizador de cuatro canales de cuatro bits y tres temporizadores ultralentos de 16 bits. Dos controladores DMA (7 canales cada uno) permiten cualquier combinación de transferencia entre memoria (Flash, SRAM1 y SRAM2) y periféricos usando DMAMUX1 para un mapeo flexible de canales DMA.
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