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Amplificador clase AB con aislamiento galvánico. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de transistores

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La figura 1 muestra un circuito amplificador de clase AB.

Amplificador clase AB con aislamiento galvánico

El amplificador inversor de dos canales proporciona una ganancia máxima de hasta 1000 V en el rango de frecuencia de 0 a 20 kHz. A frecuencias superiores a 20 kHz, la ganancia del amplificador disminuye. La relación de las resistencias R2 y R1 determina la ganancia del dispositivo.

Los canales positivo y negativo del amplificador están construidos con optoaisladores IC2 e IC3 de fotodiodo tipo 6N136 y, por lo tanto, no tienen acoplamiento galvánico de entrada-salida. Los transistores Q1 -Q4 aumentan la tensión de salida y la corriente de los optoaisladores. Los canales positivo y negativo trabajan en antifase.

La tensión de alimentación de ±15 V y las resistencias R4 y R5 proporcionan la polarización necesaria para garantizar que los transistores de salida estén siempre encendidos.

Al ajustar con precisión los valores de las resistencias R4 y R5, se elimina la diafonía de salida.

Los diodos Zener D1 y D2 mantienen los fotodiodos del optoaislador en polarización inversa a 6,2 V.

Las resistencias R10-R13 proporcionan retroalimentación negativa alrededor de los transistores de salida. Los transistores STW8N80 MOS-FET deben montarse en disipadores de calor.

El dispositivo no requiere ninguna protección activa contra cortocircuitos.

En la fig. 2 muestra formas de onda de la onda cuadrada de entrada de 10 V con una frecuencia de 10 kHz y la señal de salida del amplificador de 1 kV. En la fig. La Figura 3 muestra oscilogramas de una señal sinusoidal de entrada con una oscilación de 10 V a una frecuencia de 20 kHz y una señal armónica pura inversa de salida con una amplitud de 1 kV.

Amplificador clase AB con aislamiento galvánico

Autor: D.Ting, Taiwán

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