Potentes transistores de efecto de campo de la serie KP742. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los transistores de efecto de campo de canal n de silicio KP742A y KP742B con una puerta aislada, enriquecimiento de canal, con un diodo inverso de protección incorporado se fabrican utilizando una tecnología pitaxial-planar. Los dispositivos están diseñados para trabajar en fuentes de energía secundaria con entrada sin transformador, en reguladores, estabilizadores y convertidores de voltaje con control continuo y de pulso, en accionamientos de motores eléctricos y otros equipos utilizados en la vida cotidiana y la industria.

Los transistores están alojados en una caja rectangular de plástico KT-43 (TO-218) con conductores estañados rígidos estampados (Fig. 1); peso del dispositivo - no más de 6 g.

Análogo extranjero del transistor KP742A - STH75N06, KP742B - STH75N05 de SGS-THOMSON.

Principales características técnicas a Тkorp = 25 °С

• Tensión de umbral, V, con una corriente de drenaje de 0,25 mA y puerta y drenaje conectados......2...4
• Resistencia de canal abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso de no más de 300 μs y un ciclo de trabajo de al menos 50, con una corriente de drenaje de 40 A y un voltaje de fuente de puerta de 10 V para KP742A ...... 0,014
• KP742B ...... 0,012
• Corriente de drenaje residual, μA, no más, a voltaje de fuente de drenaje máximo y voltaje de fuente de puerta cero ...... 250
• Corriente de fuga de compuerta, nA, no más, con voltaje de fuente de compuerta ±20 V y voltaje de fuente de drenaje cero ...... ±100
• Pendiente característica I–V, A/V, no menos, con una duración de pulso de no más de 300 µs y un ciclo de trabajo de al menos 50, con un voltaje entre drenaje y fuente de 10 V y una corriente de drenaje de 40 A ......25
• Frecuencia máxima de amplificación, MHz, no menos......1
• Tiempo de encendido*, µs, no más, con voltaje de fuente de drenaje de 25 V, corriente de drenaje de 40 A, impedancia de salida de fuente de señal de 6,2 ohmios, resistencia del circuito de drenaje de 50 ohmios, voltaje de fuente de puerta de 10 V, duración del pulso no más de 300 µs y su ciclo de trabajo no menos de 50 ...... 1,57
• Tiempo de apagado*, µs, máx., con voltaje de fuente de drenaje de 40 V, corriente de drenaje de 75 A, impedancia de salida de fuente de señal de 50 Ω, resistencia del circuito de drenaje de 50 Ω, voltaje de fuente de puerta de 10 V, duración del pulso no superior a 300 µs y ciclo de trabajo del pulso no inferior a 50 para KP742A......0,97
• KP742B ...... 1,08
• Capacitancia del transistor*, pF, no más, con voltaje de fuente de drenaje de 25 V, voltaje de fuente de puerta cero y frecuencia de entrada de 1 M Hz ...... 5200
• fin de semana ...... 2300
• a través del paso......650
• Caja de cristal de resistencia térmica, С/W, no más de......30
• Tensión directa constante de un diodo de protección abierto. V, no más, con voltaje de fuente de compuerta cero, duración de pulso de no más de 300 μs y su ciclo de trabajo de al menos 50 para KP742A con una corriente a través de la salida de drenaje de 75 A y KP742B - 80A ...... 1,6
• Tiempo de recuperación inversa del diodo*, no, a un voltaje de fuente de drenaje de 35 V, una tasa de aumento de corriente de diodo de 100 A/µs, una duración de pulso de no más de 300 µs y un ciclo de trabajo de pulso de al menos 50 para KP742A con una corriente a través de la salida de drenaje de 75 A y KP742B - 80 A......130

* Parámetros de referencia.

Valores límite

• El voltaje de fuente de drenaje más alto, V, para KP742A......60
• KP742B ...... 50
• Voltaje máximo de fuente de puerta, V ...... ± 20
• La corriente de drenaje directa más alta *, A, a una temperatura de caja de no más de 25 ° C para KP742A ...... 75
• KP742B ...... 80
• La corriente de drenaje pulsada más alta *, A, para KP742A......300
• KP742B ...... 320
• La corriente directa más alta del diodo protector, A, para KP742A......75
• KP742B ...... 80
• Máxima potencia continua disipada**, W, a la temperatura de la carcasa 25 °С......200
• La temperatura más alta del cristal, "C ...... 175
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, "С......-55...+150

* Siempre que no se sobrepasen los valores de la máxima potencia disipada y la temperatura del cristal.

** Con una temperatura ambiente superior a 25 °C, la potencia máxima admisible Pmax debe reducirse de acuerdo con la fórmula

donde Tkp max y Tkorp son los valores de la temperatura máxima permitida del cristal y la temperatura actual de la caja del transistor; Rt kr-corps - resistencia térmica de la caja de cristal.

Valor admisible de potencial estático - 500 V según OST 11 073.062. El modo y las condiciones para montar transistores en equipos, según OST 11 336.907.0.

Las dependencias gráficas típicas de los parámetros de los transistores KP742A y KP742B se muestran en la fig. 2-7.

En la fig. 2, a y b muestran las familias de características de salida de los dispositivos en dos valores de temperatura de la caja, y en la fig. 3 - dependencia de la temperatura de la resistencia de canal abierto (normalizada con respecto al punto donde la temperatura del cristal Tcr = 25 °C). Arroz. 4 ilustra la relación entre la corriente de drenaje y el voltaje de puerta-fuente.

Las dependencias de la capacitancia de entrada, salida y rendimiento de los dispositivos en el voltaje de fuente de drenaje se muestran en la fig. 5. La corriente de drenaje debe reducirse a medida que aumenta la temperatura de la carcasa de acuerdo con la curva de la fig. 6.

La caída de voltaje a través de un diodo de protección abierto, dependiendo de la corriente directa a través de él, se muestra en la fig. 7 (aquí Ic es la corriente a través de la salida de drenaje del dispositivo).

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrusia

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