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Transistores de la serie KT6113. Dato de referencia

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Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los transistores n-p-n de potencia media de silicio KT6113A-KT6113E están diseñados para funcionar en las etapas de entrada e intermedias de amplificadores de RF, en convertidores de frecuencia y otros componentes y bloques de equipos electrónicos ampliamente utilizados.

Los transistores se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Están alojados en una caja de plástico KT-26 (según la clasificación europea TO-92). El dibujo de la carcasa se muestra en la Fig. 1. Peso del dispositivo: no más de 0,3 g.

Transistores de la serie KT6113

Los análogos extranjeros de los transistores KT6113A, KT6113E son SS9018D, SS9018I, respectivamente.

Principales características eléctricas a Tacr avg = 25°C

  • Tensión límite colector-emisor, V, no menos, con una corriente de colector de 10 mA, corriente de base cero, duración de impulso no superior a 300 μs y su ciclo de trabajo de 100 o más...15
  • Corriente de colector inversa, mA, no más, con un voltaje de base de colector de 12 V y corriente de emisor cero......50
  • Corriente de emisor inverso, µA, no más, con un voltaje base-emisor de 5 V y corriente de colector cero...10
  • Coeficiente de transferencia de corriente base estática a una tensión colector-base de 5 V y una corriente de emisor de 1 mA para KT6113A......28...45
  • KT6113B......39...60
  • KT6113V......54...80
  • KT6113G......72...108
  • KT611ZD......97...146
  • KT6113E......32...198
  • Tensión de saturación colector-emisor, V, no más, con una corriente de colector de 10 mA y una corriente de base de 1 mA......0,5
  • Frecuencia de corte del coeficiente de transferencia de corriente, MHz, no menos, con una tensión colector-emisor de 5 V y una corriente de colector de 5 mA......700
  • Capacitancia de la unión del colector, pF, no más, con un voltaje colector-base de 10 V y corriente de emisor cero a una frecuencia de 1 MHz.......1,7
  • Transición de resistencia térmica - ambiente, °C/W, no más ...... 312,5

Valores límite

  • El voltaje de base de colector más alto, V ...... 30
  • El voltaje colector-emisor más alto, ...... 15
  • El voltaje emisor-base más alto, V ...... 5
  • La corriente de colector de CC más alta, mA......50
  • Disipación de potencia constante del colector, mW.....400
  • Temperatura máxima de transición, °С......150
  • Límites de temperatura ambiente de funcionamiento, °С ..... -45...+85

No está permitido utilizar el transistor en un modo en el que dos (o más) parámetros tengan valores máximos permitidos. Al mismo tiempo, no se recomienda operar transistores con una corriente de funcionamiento comparable a la corriente inversa incontrolada en todo el rango de temperatura.

Para la instalación de dispositivos, se permite doblar los cables una sola vez a no menos de 2 mm del cuerpo con un radio de curvatura de al menos 1,5 mm; en este caso, es necesario tomar medidas para evitar la transferencia de fuerza al cuerpo. La distancia desde el cuerpo hasta el lugar de soldadura o estañado no debe ser inferior a 3 mm. Si desea conectar el dispositivo a un circuito eléctrico activo, el terminal base debe conectarse primero y desconectarse al final.

Las dependencias gráficas de los parámetros de los transistores de la serie KT6113 se presentan en la Fig. 2b. Las características de corriente-voltaje de salida del dispositivo conectado de acuerdo con un circuito emisor común se muestran en la Fig. 2.

Transistores de la serie KT6113

Las dependencias típicas de la corriente del colector del coeficiente de transferencia de corriente estática y la frecuencia de corte del coeficiente estático se muestran en la Fig. 3 y 4, y los voltajes de saturación colector-emisor y base-emisor se encuentran en la Fig. 5. En la figura 6 se ilustra una dependencia típica de la capacitancia de la unión del colector con respecto al voltaje CC de la base del colector. XNUMX.

Transistores de la serie KT6113

Autor: V.Kisilev, Minsk, Bielorrusia

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