Transistores de la serie KT8156. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los potentes transistores npn compuestos de silicio KT8156A y KT8156B con amortiguación integral y diodos aceleradores de emisor de base se fabrican utilizando tecnología epitaxial-planar. Los dispositivos están diseñados para funcionar en etapas de salida de escaneo horizontal de tubos de rayos catódicos de pequeño tamaño y otros componentes y bloques de equipos ampliamente utilizados.

Los transistores están alojados en una caja de plástico estándar KT-28 (TO-220) con terminales rígidos estañados (Fig. 1). El peso del dispositivo no supera los 2,5 g.

Análogo extranjero del transistor KT8156A - BU807.

El diagrama esquemático del dispositivo se muestra en la fig. 2.

principales características

• Tensión límite colector-emisor, V, no menos (con una corriente de colector de 100 mA, corriente de base cero, duración de pulso de no más de 500 μs y ciclo de trabajo de no menos de 100), para KT8156A...... 150
• KT8156B......200
• Corriente de colector inversa, mA, no más (a una tensión de base de colector de 330 V y corriente de emisor cero), para KT8156A......0.1
• KT8156B......1
• Corriente inversa colector-emisor, mA, no más (a una tensión colector-emisor de 330 V y tensión cero emisor-base), para KT8156A......0,1
• KT8156B......1
• Corriente de emisor inversa, mA, no más (a un voltaje de base de emisor de 6 V y corriente de colector cero).......3
• Coeficiente de transferencia de corriente estática, no menor (a una tensión colector-emisor de 1,5 V y una corriente de colector de 5 A).......100
• Tensión de saturación colector-emisor, V, no más (a una corriente de colector de 5 A y una corriente de base de 50 mA)....1.5
• Tensión de saturación base-emisor, V, no más (a una corriente de colector de 5 A y una corriente de base de 50 mA)....2,4
• Resistencia térmica carcasa de transición, °С/W, máx......2,08
• Diodo amortiguador de tensión directa. B, no mas...... 2
• Rango de temperatura de funcionamiento, °С......-60...+100

Valores límite

• El voltaje de base de colector más alto, V ...... 330
• El voltaje colector-emisor más alto, para KT8156A......150
• KT8156B......200
• El voltaje emisor-base más alto, V ...... 6
• Corriente de colector constante más alta. Un......8
• La corriente de colector de pulso más alta. A (con una duración de pulso de no más de 10 ms y un ciclo de trabajo de al menos 100).......15
• La mayor disipación de potencia constante del colector. W (cuando se instala en un disipador de calor y la temperatura de la carcasa está dentro de -60...+25°C).....60
• La mayor disipación de potencia constante del colector. W (sin disipador de calor a temperatura ambiente entre -60...+25°C).......1,5
• La temperatura de transición más alta, ° С ...... 150

No está permitido operar transistores en valores extremos de dos parámetros.

Se permite doblar los cables del dispositivo una sola vez a no menos de 5 mm del cuerpo (no se recomienda doblarlos en el plano de los cables). En este caso, es necesario tomar medidas para evitar la transferencia de fuerza al cuerpo. El radio de curvatura es de al menos 1,5 mm. La distancia desde la carcasa hasta el lugar de estañado y soldadura de los cables no debe ser inferior a 5 mm.

Para mejorar la transferencia de calor del transistor al disipador de calor, se recomienda cubrir su brida metálica con una capa de lubricante térmicamente conductor (por ejemplo, KTP-8 según GOST 19783) antes de instalar el dispositivo. En la Fig. La Figura 3 muestra la dependencia del coeficiente de transferencia estática de la corriente de base del transistor de su corriente de colector, en la Fig. 4 - dependencia de la potencia disipada constante del colector de la temperatura de la carcasa, y en la Fig. 5 - dependencia típica de la tensión directa directa en el diodo amortiguador (VD2 en la Fig. 2) de la corriente directa que lo atraviesa.

(haga clic para agrandar)

En la figura 6 se muestra una dependencia típica del voltaje de saturación colector-emisor de la corriente CC base. 7, y de la corriente del colector - en la Fig. 8. En la figura se muestra una dependencia típica del voltaje de saturación base-emisor de la corriente del colector de CC. XNUMX.

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrusia

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