Fototransistores. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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fototransistor - un detector de radiación semiconductor fotosensible, de estructura similar a un transistor bipolar pn-p o n-p-n. A diferencia de un fotodiodo, no solo convierte la radiación de luz en una señal eléctrica, sino que también proporciona su amplificación. El voltaje de suministro al dispositivo se aplica r de modo que la unión del colector esté cerrada y la unión del emisor esté abierta. La base suele quedar desactivada.
Estructuralmente, el fototransistor está hecho de tal manera que todo el flujo de luz que ingresa a través de la ventana de entrada es absorbido por la base, formando pares de portadores de corriente fotogenerados en ella. Como resultado, cuando se aplica un voltaje al fototransistor, una corriente de colector comienza a fluir a través de él.
Dado que el funcionamiento del dispositivo se basa en la difusión de portadores, la frecuencia de funcionamiento de los fototransistores no suele superar varias decenas de kilohercios.
En la actualidad, los fototransistores de silicio se producen principalmente comercialmente. Pero hay varios tipos de dispositivos hechos a base de germanio.
La alta sensibilidad de los fototransistores, así como su costo relativamente bajo, hacen posible el uso generalizado de estos dispositivos en sistemas de control y automatización que no requieren máxima velocidad, en diversos sensores de luz, incendio, seguridad, etc., en fotorrelés, equipos para el análisis de las propiedades ópticas de líquidos y gases. Los fototransistores sin paquete se utilizan en optoacopladores y microcircuitos híbridos como elementos de aislamiento galvánico.
Todos los fototransistores a continuación operan en la región de radiación infrarroja (IR).
KTF102A, KTF102A1
Los fototransistores npn plenarios de silicio KTF102A y KTF102A1 con un área de elemento fotosensible de 0,64 mm2 se producen en una caja de plástico con conductores estañados duros (Fig. 1 y 2, respectivamente).
Peso KTF102A: no más de 0,2 g; KTF102A1 - 0,1 g Para el dispositivo KTF102A1, la salida del emisor está marcada con un punto de color.
Los fototransistores están diseñados para funcionar en grabadoras de video y otros equipos radioelectrónicos domésticos.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Fotocorriente de colector. mA, no menos, a un voltaje colector-emisor de 5 V y un valor de iluminación con una longitud de onda de 0,85 μm 0,5 mW / cm2 ...... 0,95
- 0,1 mW/cm2......0,2
- Corriente de colector oscuro, μA, no más, con una tensión colector-emisor de 5 8 y una temperatura ambiente de +25°C ...... 1
- valor típico ...... 0,1
- +55°C......10
- Voltaje de saturación. V. no más, con un valor de iluminación con una longitud de onda de 0,85 μm 0,5 mW / cm2 con una fotocorriente de colector de 0,25 mA ...... 0,15
- 0,06 mW/cm2 (0,2 mA)......0,5
- El tiempo de subida del pulso de fotorespuesta cuando se aplica irradiación, µs, no más, con una iluminación de 0,06 mW/cm2 a una longitud de onda de 0,85 µm, una tensión colector-emisor de 5 V y una resistencia de carga de 15 kOhm... ... 0,5
- valor típico ...... 0,2
- Área de fotosensibilidad espectral, µm.....0,73...1,05
- Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......0,87
Límites operativos
- La fotocorriente de colector más alta. mA, a temperatura ambiente -19...+35°С......40
- +36...+55°С......5
- Tensión máxima colector-emisor, V, a temperatura ambiente -10...+35°С......10
- +36...+55°С......6
- El mayor poder de disipación. mW. a temperatura ambiente -10...+35°С......30
- +36...+55°С......10
- Rango de trabajo de temperatura ambiente, °C......-10...+55
La característica de voltios-amperios del fototransistor bajo diversas condiciones de iluminación se muestra en la fig. 3, y uno ligero típico - en la fig. 4. La sensibilidad espectral relativa de los instrumentos se ilustra en la Fig. 5 - la relación de la fotocorriente del colector en el valor actual de la longitud de onda de radiación a la fotocorriente en la longitud de onda de máxima sensibilidad).
En la fig. 6 muestra la dependencia de la corriente del colector oscuro con la temperatura.
KTF104A - KTF104V
Fototransistores npn planos de silicio KTF104A, KTF104B. KTF104V con un área de elemento fotosensible de 0,64 mm2 se produce en una caja de plástico, al igual que para KTF102A (ver Fig. 1). Los terminales también están estañados, pero la longitud de la pieza de montaje es de 2,9 mm. no 10,1 mm. Peso: no más de 0,2 g.
Los fototransistores están diseñados para su uso en equipos electrónicos de consumo.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Fotocorriente de colector, mA, no menos, a un voltaje de colector-emisor de 8,5 V e iluminación de 5 lux para KTF104A ...... 0,15
- KTF104B......0.1
- KTF104V......0,05
- Corriente de colector oscuro, μA, no más, a una tensión de colector-emisor de 8.5 V para KTF104A ...... 1
- valor típico ...... 0,1
- KTF104B, KTF104V......5
- valor típico ...... 0,5
- Corriente de colector oscuro, μA, no más, con una tensión colector-emisor de 8,5 V y una temperatura ambiente de +55 °C para KTF104A......10
- Área de máxima fotosensibilidad espectral, µm......0,67..0,77
- Tiempo mínimo de garantía entre fallas, h......15 000
- Vida útil, años ...... 8
Los principales parámetros de los fototransistores (definiciones):
- sensibilidad de corriente integral: la relación entre el cambio de corriente en la salida del fototransistor y el cambio en el flujo de radiación que provocó el cambio en la corriente de salida;
- sensibilidad de corriente monocromática: la relación entre el cambio de corriente en la salida del fototransistor y el cambio en el flujo de radiación de una longitud de onda dada;
- fotocorriente del colector: la corriente que fluye a través del fototransistor a la tensión del colector especificada, debido a la influencia del flujo de radiación;
- corriente de colector oscuro: la corriente que fluye a través del fototransistor a la tensión de colector especificada en ausencia de flujo de radiación;
- tiempo de subida o bajada del pulso de fotorespuesta - el intervalo de tiempo durante el cual la fotocorriente cambia de 0,1 a 0,9 o de 0,9 a 0,1, respectivamente, desde el valor estable.
Límites operativos
- El voltaje colector-emisor más alto. A LAS 12
- Temperatura ambiente rango de funcionamiento °C......-10...+55
La fotosensibilidad espectral relativa de los fototransistores KTF104A-KTF104V se muestra en la fig. 7.
KTF108A
Los fototransistores npn plenarios de silicio KTF108A con fotosensibilidad selectiva se producen en una caja de plástico con conductores estañados duros (Fig. 8). Peso del dispositivo: no más de 1 g.
Los fototransistores están diseñados para funcionar en el sistema de autostop de cámaras de video domésticas y otros equipos radioelectrónicos.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Fotocorriente de colector. mA, no menos, a un voltaje de saturación del colector de 0,4 V y una iluminación de 20 mW / cmg a una longitud de onda de 0.85 μm ...... 0,4
- valor típico ...... 5
- Corriente oscura del colector, μA, no más, con una tensión colector-emisor de 10 V y una temperatura ambiente de +25°C ...... 0,025
- valor típico ...... 0,01
- +70°C......1
- Tensión de saturación en el colector. V, no más, con iluminación de 20 mW/cm2 a una longitud de onda de 0,85 μm ...... 0,4
- Área de máxima fotosensibilidad espectral, µm.....0,76...0.96
- Tiempo mínimo de garantía entre fallas, h......25 000
- Vida útil, años ...... 10
- Límites operativos
- El voltaje colector-emisor constante más alto, V ...... 15
- Máxima disipación de potencia, mW, a temperatura ambiente +35°С......60
- +70°C......25
- Rango de trabajo de temperatura ambiente, °C......-10...+70
En la fig. 9 muestra una dependencia típica de la corriente oscura de los fototransistores KTF108A en el voltaje colector-emisor, y en la fig. 10 - por la temperatura (la zona de difusión tecnológica está sombreada).
La característica espectral de los fototransistores se muestra en la Fig.11.
KTF109A
Los fototransistores npn planos de silicio KTF109A se fabrican en una caja de plástico con conductores estañados duros (Fig. 12). Peso: no más de 0,15 g.
Los dispositivos están diseñados para su uso en unidades de autostop de grabadoras y otros equipos domésticos, así como en sistemas de alarma antirrobo, control remoto y automatización, en tacómetros.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Fotocorriente de colector. mamá. no menos, a una tensión colector-emisor de 5 V y una potencia de irradiación de 0,3 mW ...... 0,08
- valor típico ...... 0.4
- valor máximo......1
- Sensibilidad de corriente monocromática, A / W, no menos, a un voltaje de colector-emisor de 5 V e irradiación con una longitud de onda de 0.83 μm ...... 0,25
- Colector de corriente oscura. μA, no más, con una tensión colector-emisor de 5 V y una temperatura ambiente de +25°С......0,5
- +55°C......2
- Tiempo de subida del pulso de fotorrespuesta cuando se aplica irradiación, µs, no más de......15
- Tiempo de caída del pulso fototérmico cuando se elimina la irradiación, µs, no más de......5
- Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......1,08
- Tiempo mínimo de garantía hasta el fallo, h......20 000
Límites operativos
- El voltaje colector-emisor constante más alto, V ...... 10
- Disipación de potencia máxima, mW......10
- Rango de trabajo de temperatura ambiente, °C......-60...+55
La dependencia de la fotocorriente del colector del fototransistor KTF109A de la potencia de irradiación se muestra en la fig. 13, y la dependencia de la temperatura de la corriente oscura - en la fig. 14 (la zona de dispersión tecnológica está sombreada).
COF224A, COF224B
Los fototransistores npn deslizantes de silicio KOF224A, KOF224B se fabrican en una caja de plástico con conductores estañados de placa rígida (Fig. 15). Peso: no más de 0,8 g.
El dispositivo se utiliza como receptor de radiación infrarroja en una amplia gama de equipos electrónicos.
- Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Sensibilidad de corriente integral, µA/lx, no menos, a un voltaje colector-emisor de 5 V......0.7
- Colector de corriente oscura. µA, no más, para KOF224A......1
- COF224B......0,1
- Tiempo de subida o bajada del pulso de salida de la fotorrespuesta cuando se aplica o elimina la irradiación, µs, no más, para KOF224A ...... 80
- COF224B......20
- Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......0,95
- Tiempo mínimo de garantía entre fallas, h......10 000
- Vida útil, años ...... 8
Límites operativos
- El voltaje colector-emisor constante más alto, V ...... 5
- Rango de trabajo de temperatura ambiente, °C......-60...+55
FT-1K, FT-1K-01, FT-L K-02, FT-2K
Fototransistores npn plenario de silicio FT-1K gr.1. FT-1K gr.2. FT-1K-01, FT-1K-02. FT-2K gr. A, FT-2K gr.B con un elemento fotosensible redondo (diámetro 1,8 mm) se producen en una caja cilíndrica de metal y vidrio con cables estañados flexibles (Fig. 16). La ventana de entrada es plana. Peso: no más de 0,9 g.
La salida del colector está extendida o tiene una marca de color.
Los dispositivos están diseñados para funcionar como detector de radiación infrarroja en equipos electrónicos para fines industriales y especiales.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Sensibilidad de corriente integral, μA/lx, no menos, para FT-1K gr. 1. FT-2K gr.A ...... 0,4
- FT-1K gr.2. FT-2K gr.B......0,2
- FT-1K-01......0.5
- FT-Zh-02......2
- Corriente oscura de colector, μA, no más, a una tensión colector-emisor de 5 V para FT-1K gr.1.FT-2K gr.A......3
- FT-1K gr.2. FT-2K gr.B......1
- ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
- Tiempo de subida o bajada del pulso de la fotorrespuesta cuando se aplica o elimina la irradiación, µs, no más de......80
- Área de fotosensibilidad espectral, µm ....0,5...1,1
- Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......0,85
- Tiempo mínimo de garantía entre fallas, h, para FT-1K gr.1, FT-1K gr.2. FT-1K-01, FT-1K-02......2000
- FT-2K gr.A, FT-2K gr.B.....3500
- Vida útil, años, para FT-1K gr.1, FT-1K gr.2 FT-1K-01, FT-1K-02......11
- FT-2K gr.A, FT-2K gr.B......6
Límites operativos
- El voltaje colector-emisor de CC más alto. A LAS 5
- La iluminación de trabajo más alta (dentro de 10 horas). lx......1500
- Rango de trabajo de temperatura ambiente. °C......-60...+75
En la fig. 17 muestra la característica espectral de la fotosensibilidad de los fototransistores de la serie FT-1K, FT-2K.
FT-7B, FT-7B-01
Los fototransistores planos n-p-n de silicio con un elemento fotosensible redondo (diámetro 1,1 mm) se producen en una caja de plástico cilíndrica con una lente (Fig. 18). Conclusiones - Alambre rígido estañado. Peso: no más de 0,5 g.
Los fototransistores se utilizan en nodos de aislamiento óptico, para controlar el flujo de luz y en sistemas de señalización.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Sensibilidad de corriente integral, μA/lm, no menos, para FT-7B......0,04
- FT-7B-01......0.35
- Fotocorriente de colector. mA, no menos de, con una iluminancia de 1000 lx para FT-7B......0,2
- FT-7B-01......2
- Tensión CC nominal colector-emisor. EN 20
- Colector de corriente oscura. uA. no más, a una tensión colector-emisor de 20 V ...... 0,005
- Tiempo de subida o bajada del pulso de la fotorrespuesta cuando se aplica o elimina la irradiación, µs, no más de......1,5
- Área de fotosensibilidad espectral, µm.....0,4...1,1
- Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......0,85
- Vida útil, años ...... 10
Límites operativos
- Límites de tensión admisible colector-emisor, V......2...30
- Límites de iluminación de trabajo permisible, lux..... 1...100 000
- Rango de trabajo de temperatura ambiente, °C......-15...+45
FT-8
Los fototransistores npn plenarios de silicio FT-8 con un área de elemento fotosensible de 0,5 mm2 se producen en una caja de plástico con conductores estañados de placa rígida (Fig. 19). Peso: no más de 0,9 g.
Se utilizan como receptores de radiación infrarroja en diversos dispositivos electrónicos.
Principales características técnicas a Tacr.av = 25°С
- Sensibilidad de corriente integral, µA/lx, no menos......2
- Colector de corriente oscura. uA. no más, con un voltaje colector-emisor de 5 V y una temperatura ambiente de +25 ° С ...... 0,1
- +75°C......20
- Tiempo de subida del pulso de salida de la fotorespuesta, no más, cuando se aplica una irradiación con una longitud de onda de 0,9 μm, un voltaje colector-emisor de 5 V y una resistencia de carga de 2 kΩ, μs ...... 20
- Área de fotosensibilidad espectral, µm......0,5...1,1
- Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......0,9..0.95
- Tiempo mínimo de garantía entre fallas, h......4000
Autor: V. Yushin. Moscú
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Más específicamente, el Acer Aspire Z3-600 se basa en el procesador Intel Pentium J2850 (2,41 GHz) de cuatro núcleos lanzado el último trimestre. La cantidad de monobloque de RAM es de 4 GB, el disco duro predeterminado es de 500 GB, por un recargo: 1 TB.
Acer Aspire Z3-600 está equipado con una pantalla IPS de 21,5 pulgadas con una resolución de 1920 x 1080 píxeles con soporte para tecnología multitáctil. Brillo del panel LCD - 250 cd/m802.11 La configuración del ordenador incluye módulos de comunicación Wi-Fi 4.0b/g/n y Bluetooth 1, un adaptador Ethernet, una webcam de 2.0 MP, ODD, varios puertos USB 3.0 y uno USB XNUMX.
La Acer Aspire Z3-600 es una de las pocas PC todo en uno que ejecuta Windows (Windows 8.1 en este caso) con una batería incorporada. Entonces, dentro de la carcasa de un monobloque, los desarrolladores encontraron un lugar para una batería de seis celdas con una capacidad de 4400 mAh, la duración de la batería del producto es de aproximadamente 2 horas.
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