Transistores de efecto de campo de la serie KP727. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los potentes transistores de efecto de campo de silicio KP727A y KP727B con una compuerta aislada enriquecida con un canal n y un diodo protector integrado de conexión inversa se fabrican utilizando tecnología epitaxial planar. Están diseñados para trabajar en fuentes de alimentación secundarias, en reguladores, estabilizadores y convertidores de tensión y corriente con control continuo y de pulsos, en unidades de accionamiento de motores eléctricos y otros dispositivos de equipos de amplia aplicación.

Los transistores están alojados en una caja de plástico KT-28 (TO-220) con conductores estañados rígidos estampados y una brida de metal para eliminar el calor con un orificio de montaje (Fig. 1). La masa del dispositivo no supera los 2,5 G. Análogos extranjeros de transistores: KP727A - BUZ71, KP727B - IRFZ34.

Características principales a Tacr.av = 25°С

• Umbral de voltaje de fuente de compuerta, V, a una corriente de drenaje de 0,25 mA y los mismos voltajes de fuente de compuerta y fuente de drenaje para KP727A......2,1...4
• KP727B......2...4
• Corriente de pulso de drenaje, A, no menos, con una duración de pulso de menos de 300 μs y un ciclo de trabajo de más de 50, a un voltaje de fuente de compuerta de 10 V para KP727A (voltaje de fuente de drenaje de 2 V)... .14
• KP727B (1,8 V) ...... 30
• Resistencia de fuente de drenaje de un transistor abierto, Ohm, no más, con una duración de pulso de menos de 300 μs y un ciclo de trabajo de más de 50, a un voltaje de fuente de puerta de 10 V para KP727A (corriente de drenaje de 9 A). ..... 0,1
• KP727B(18A)......0,05
• Corriente de drenaje residual, µA, no más, a voltaje de fuente de drenaje máximo y voltaje de fuente de puerta cero ...... 25
• Corriente de fuga de puerta, µA, no más, con tensión de fuente de puerta +20 V y tensión de fuente de drenaje cero ...... ± 0,1
• La pendiente de la característica, A / V, no menos, con una duración de pulso de menos de 300 μs y un ciclo de trabajo de más de 50, a un voltaje de fuente de drenaje de 25 V para KP727A (corriente de drenaje de 9 A). .... 4
• KP727B(18A)......9,3
• Tensión directa constante en un diodo de protección abierto, V, no más, con una duración de pulso de menos de 300 μs y un ciclo de trabajo de más de 50, con tensión de fuente de compuerta cero para KP727A (corriente a través del diodo 28 A). .... 1,8
• KP727B(30A)......1,6
• Carcasa de transición de resistencia térmica, °C/W máx., para KP727A......3,1
• KP727B ...... 1,7
• Transición de resistencia térmica - ambiente, °C/W, no más ...... 62
• Tiempo de activación*, µs, no más, con una tensión de fuente de drenaje de 30 V, una corriente de drenaje de 30 A y una resistencia de salida de la fuente de señal de medición de 9,1 Ohm.....0,14
• Tiempo de apagado*, µs, no más, con un voltaje de fuente de drenaje de 30 V, una corriente de drenaje de 30 A y una resistencia de salida de la fuente de señal de medición de 9,1 Ohm ...... 0,12
• Capacitancia de entrada*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero y voltaje de fuente de drenaje de 25 V a una frecuencia de 1 MHz ...... 1600
• Capacitancia de salida*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero y voltaje de fuente de drenaje de 25 V a una frecuencia de 1 MHz ...... 800
• Capacitancia*, pF, no más, con voltaje de fuente de puerta cero y voltaje de fuente de drenaje de 25 V a una frecuencia de 1 MHz ..... 195

* Parámetros de referencia.

Límites operativos

• El voltaje de fuente de drenaje más alto, V, para KP727A......50
• KP727B ...... 60
• Voltaje máximo de fuente de puerta, V ...... ± 20
• La corriente de drenaje directa más alta, A, a una temperatura de caja de 25 ° C para KP727A ...... 14
• KP727B ...... 30
• La corriente de drenaje pulsada más alta, A, a una temperatura de caja de 25 ° C para KP727A ...... 56
• KP727B ...... 120
• La potencia disipada constante más alta, W, a una temperatura de caja de 25 ° C para KP727A......40
• KP727B ...... 88
• El valor más alto del potencial estático, V.....200**
• Rango de temperatura de funcionamiento, °С......-55...+150

** III grado de rigidez según OST 11073.062.

Se prohíbe el funcionamiento de transistores con dos o más valores límite de parámetros. Para mejorar la confiabilidad de los dispositivos, los valores de los parámetros no deben exceder el 70% del máximo permitido.

Se permite doblar los cables una vez a una distancia no inferior a 5 mm del cuerpo con un radio de curvatura de al menos 1,5 mm, y la línea de doblado debe estar en el plano de los cables. Al doblarse, se deben tomar medidas para evitar la transferencia de fuerza al cuerpo. Las conclusiones no se pueden torcer.

La distancia desde el cuerpo hasta el lugar de soldadura y estañado no debe ser inferior a 5 mm. Temperatura de soldadura - no superior a 265°C, tiempo de soldadura - no más de 4 s, estañado - 2 s.

Para reducir la resistencia térmica del disipador de calor de la caja del transistor, se recomienda usar pastas especiales, por ejemplo, KPT-8 según GOST 19783. En los casos en que debe haber una junta aislante debajo de la caja, se debe tomar su resistencia térmica en cuenta.

En la fig. 2, a y b muestran las dependencias típicas de la corriente de drenaje de los transistores en el voltaje de fuente de drenaje a temperatura de caja normal, y en la fig. 3, a y b: del voltaje de la fuente de la puerta a dos valores de la temperatura de la unión.

En la fig. 4 muestra la dependencia normalizada de la temperatura de la resistencia drenaje-fuente de un transistor abierto (Rsi.t25 es la relación entre el valor actual de la resistencia drenaje-fuente y el valor de esta resistencia a una temperatura de unión de 25°C), y en la Fig. 5 - Dependencias típicas de la capacitancia de entrada (C11i), salida (C22i) y rendimiento (C12i) de los transistores en el voltaje de pulso de fuente de drenaje.

Arroz. 6a y XNUMXb ilustran la dependencia del voltaje en los terminales del canal del transistor en la corriente a través de estos terminales, que fluye en la dirección hacia adelante para el diodo protector. El componente principal de este voltaje es la caída de voltaje a través del diodo protector abierto.

Autor: V.Kiselev

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