Fotodiodos de silicio modernos. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Este artículo presenta las características de todos los fotodiodos (excepto los dispositivos para fines especiales) producidos actualmente por empresas rusas.

Recordemos que un fotodiodo puede funcionar en dos modos: fotogenerador y fotodiodo. En el primero de ellos, cuando se ilumina, el dispositivo genera un fotoEMF, como una célula solar, y en el segundo, que se usa con mayor frecuencia, se le aplica un pequeño voltaje de cierre (inverso) y funciona como un elemento, el Corriente a través de la cual depende de la intensidad de la radiación recibida y depende poco del voltaje aplicado.

En los dibujos, en todas partes la letra a (ánodo) denota la salida de la región p, y la letra k (cátodo), de la región de la unión n-p-n. El voltaje de operación (inverso) se aplica al fotodiodo más al cátodo.

KDF101A

Los fotodiodos KDF101A de estructura pn están alojados en una caja de plástico semicilíndrica con conductores estañados rígidos (Fig. 1).

El elemento fotosensible con unas dimensiones de 4,5x3,2 mm está ubicado en el lateral del plano frontal del cuerpo. El terminal ensanchado cerca de la carcasa está conectado al ánodo del fotodiodo. El peso del dispositivo no supera los 0,25 g.

Los fotodiodos están diseñados para funcionar en sistemas de control remoto para VCR y televisores.

• Fotocorriente, µA, no menos, con iluminación de 0,5 mW/cm2 a una longitud de onda de 0,87 µm y voltaje inverso de 5 V......20
• Corriente oscura, nA, no más, a voltaje inverso 10V......30
• Área de fotosensibilidad espectral, µm....0,7...1,1
• Tiempo de subida y bajada del pulso de fotocorriente, μs, no más, con una fotocorriente de 25 μA y una resistencia de carga de 1,1 kOhm......0,35
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 10
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+70

KDF103A

Los fotodiodos KDF103A con estructura de clavija con sensibilidad selectiva a la radiación IR están alojados en una caja rectangular de plástico con tres cables planos y estañados (Fig. 2).

El área del elemento fotosensible es de 10,24 mm2. El peso del dispositivo no supera los 0,5 g.

El ánodo del fotodiodo está conectado al pin 2 y el cátodo está conectado a los pines 1 y 3, conectados entre sí.

Los fotodiodos están destinados a ser utilizados en sistemas de control remoto para VCR y otros equipos electrónicos domésticos.

• Fotosensibilidad actual, A/W, no inferior, para radiación con una distribución espectral máxima a una longitud de onda de 0,9 μm y un voltaje inverso de 10 V...0,25
• Fotocorriente, mA, no menos, a un nivel iluminado de 100 mW/cm2 con un máximo de distribución espectral a una longitud de onda de 0,9 µm y un voltaje inverso de 10 V......2,5
• Corriente oscura, µA, no más, con una tensión inversa de 10 V y una temperatura ambiente de +25 °C......0,01
• +85 °С......15
• Región de fotosensibilidad espectral, µm. . .0,76...0,96
• Ángulo del patrón de directividad en el nivel de 0,5, grados.....±45
• Voltaje de funcionamiento (inverso) constante más alto, V, a temperatura ambiente + 35°C......150
• +85°C......50
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С -45 ... +85

En la Fig. La Figura 3 muestra la dependencia de la capacitancia C del diodo (en adelante, la zona de dispersión tecnológica del 95% está sombreada en los gráficos; la naturaleza indicada de esta dependencia es típica de otros tipos de fotodiodos descritos en este artículo, por lo que estos gráficos son omitido a continuación).

Arroz. 4 representa el espectro de fotosensibilidad del fotodiodo KDF103A (aquí S_{YO OTRO} igual a la relación entre la fotosensibilidad actual y su valor máximo).

KDF105A

Los fotodiodos KDF105A con unión pn, sensibles a la parte ultravioleta del espectro, están alojados en una carcasa de disco de vidrio metálico con cables aislados flexibles (Fig. 5).

El área del elemento fotosensible es de 33 mm2. El peso del dispositivo no supera los 3,5 g.

Los fotodiodos están destinados a medir la iluminación y dosificar energía en equipos fotométricos y equipos tecnológicos. Pueden funcionar tanto en modo fotodiodo como en modo fotogenerador.

El terminal del cátodo está marcado con un punto negro en la caja.

• Fotosensibilidad actual, A/W, no menos, a un voltaje inverso de 10 V a la radiación al máximo de fotosensibilidad espectral...0,32
• a una longitud de onda de 0,254 µm......0,065
• Resistencia diferencial, MOm......80
• Tiempo de subida del pulso de fotocorriente, μs, no más, con una resistencia de carga de 10 kOhm......0,1
• 1 kiloohmio......2
• Capacitancia del fotodiodo, pF, máx......900
• Área de fotosensibilidad espectral, µm......0,22 ...1,06
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 10
• Iluminación máxima de trabajo, mW/cm2......2
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+50

En la Fig. La Figura 6 muestra las características monocromáticas espectrales de la fotosensibilidad de los fotodiodos KDF105A.

KDF110A

Los fotodiodos KDF110A de estructura p-n con un área de elemento fotosensible de 9 mm2 están alojados en una caja de plástico rectangular con cuatro cables rígidos estañados estampados (Fig. 7).

El pin 1 está conectado al ánodo, los pines 3 y 4 están conectados al cátodo; 2 - gratis. El peso del dispositivo es más de 0,13 g.

Los fotodiodos están destinados a su uso en equipos médicos y otros equipos fotoelectrónicos.

• Fotocorriente, µA, nada menos, con una iluminación de 1 mW/cm2 con un máximo de distribución espectral a una longitud de onda de 0,87 µm y un voltaje inverso de 5 V......35
• Fotosensibilidad a corriente monocromática, A/W, no inferior, con tensión inversa de 5 V e irradiación con una longitud de onda de 0,93 μm......0,5
• 0,66 µm......0,3
• Coeficiente de temperatura de fotosensibilidad actual, %/°С, no más de......0,5
• Corriente oscura, µA, no más, con una tensión inversa de 10 V y una temperatura ambiente de +25 °C......0,1
• +55 °С......10
• Tiempo de subida (caída) de la señal de fotorespuesta, μs, no más, con una tensión inversa de 10 V y una resistencia de carga de 1 kOhm......1
• Carcasa de salida de resistencia de aislamiento, MΩ, no menos......100
• Capacitancia del fotodiodo, pF, no más, a voltaje inverso 3 V......75
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 15
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-10...+55

En la figura 110 se muestra una característica espectral típica de la fotosensibilidad en unidades relativas de los fotodiodos KDF8A. XNUMX.

КДФ111А- КДФ111В, КДФ111А1-КДФ111В1

Los fotodiodos con fotosensibilidad espectral selectiva KDF111A, KDF111B, KDF111V tienen una estructura de pin y KDF111A1, KDF111B1, KDF111V1 tienen una estructura p-n. El elemento fotosensible de los dispositivos es cuadrado y mide 3x3 mm.

Están alojados en una caja de plástico en forma de lágrima con cables estañados rígidos estampados (Fig. 9).

La entrada de radiación se produce desde el lado de la lente, a lo largo del eje óptico. El terminal del cátodo está marcado con un punto de color en la carcasa. El tipo de dispositivo está indicado en el embalaje del grupo. La masa del fotodiodo no supera los 0,5 g.

Diseñado para su uso en sistemas de control remoto para equipos domésticos e industriales.

• Fotocorriente, µA, no menos, con una iluminación de 100 µW/cm2 con un máximo de distribución espectral a una longitud de onda de 0,85 µm y un voltaje inverso de 2,5 V para KDF111A......5
• valor típico ...... 6,5
• KDF111B......7
• valor típico ...... 9
• KDF111V......9
• valor típico ...... 10
• Fotosensibilidad actual, A/W, no inferior, a la radiación con una distribución espectral máxima a una longitud de onda de 0,85 µm con una tensión inversa de 2,5 V para KDF111A1......0,3
• KDF111B1......0,5
• KDF111V1......0,6
• Corriente oscura, µA, no más, a un voltaje inverso de 5 V y una temperatura ambiente de 25 °C o menos... 0,1
• valor típico ...... 0,01
• +55 °C para KDF111A......1
• КДФ111А1 - КДФ111В1......5
• +85 °C para KDF111B, KDF111V......10
• Rango de fotosensibilidad espectral, micras, para KDF111A-KDF111V .0,76...0,96 KDF111A1-KDF111B1.....0,7...1
• Capacidad del fotodiodo, pF, no más, a una frecuencia de 1 MHz para KDF111A (a un voltaje inverso de 5 V)....70
• KDF111B, KDF111V (2,5).......120
• Tiempo de subida (caída) de la fotocorriente, μs, no más, cuando se irradia con una distribución espectral máxima a una longitud de onda de 0,85 μm, voltaje inverso de 5 V y resistencia de carga de 51 ohmios para KDF111A1, KDF111B1......0,1
• KDF111V1......0,7
• Ángulo de patrón direccional al nivel de 0,5 grados, para KDF111A1-KDF111V1......±40
• El voltaje operativo (inverso) constante más alto, V, para KDF111A, KDF111A1 - KDF111V1......7
• KDF111B, KDF111V......12
• La disipación de potencia más alta, mW, para KDF111 A-KDF111V......10
• Iluminación máxima de trabajo, mW/cm2......25
• Rango de funcionamiento de temperatura ambiente, °C, para KDF111A, KDF111A1- KDF111B1......-25...+55
• KDF111B, KDF111V .....-60...+85

En la Fig. La Figura 10 muestra las dependencias típicas de la temperatura del voltaje operativo máximo (inverso).

Las características espectrales de los fotodiodos KDF111A-KDF111 V.KDF111A1-KDF111B1 se muestran en la Fig. once.

KDF115-A, KDF115-AZ, KDF115-A5

Los fotodiodos KDF115-A, KDF115-AZ, KDF115-A5 con unión p-n están fabricados a base de silicio de alta resistividad. Los dispositivos están alojados en una caja de plástico con una lente - KDF115-A (Fig.12, a) - y con un filtro óptico incorporado para aumentar la protección contra la radiación en la parte visible del espectro - KDF115-AZ y KDF115- A5 (figura 12, b). Ambas opciones tienen terminales estampados, duros y estañados.

Para los dispositivos KDF115-A, el terminal del cátodo está alargado y para los KDF115-AZ, KDF115-A5 está ensanchado en la base. La masa del fotodiodo KDF 115-A es de 0,24 gy el resto, 0,4 g. La entrada de radiación para el KDF 115-A se realiza desde el lado de la lente a lo largo del eje óptico, y para el KDF115-AZ y KDF115-A5, desde el extremo opuesto a las terminales.

Los fotodiodos están diseñados para funcionar en sistemas de control remoto de equipos, así como sensores en dispositivos de automatización, iluminación y alarma.

• Fotosensibilidad actual, µA/lx, nada menos, a una tensión inversa de 5 V y una resistencia de carga de 100 ohmios para KDF115-A......0,03
• valor típico ...... 0,042
• KDF115-AZ......0,04
• valor típico .....0,056
• KDF115-A5......0,09
• valor típico ...... 0,11
• Corriente oscura, nA, no más, con tensión inversa de 5 V a una temperatura ambiente de +25 °C para KDF115-A......1
• valor típico ...... 0,1
• valor típico a temperatura ambiente +70°С ...20
• KDF115-AZ... KDF 115-A5......100
• valor típico ...... 10
• Valor típico a temperatura ambiente +70°C. .1000 Constante de tiempo del fotodetector, μs, no más....0,5
• Rango de fotosensibilidad espectral, micras, para KDF115-A......0,4.-1,12
• КДФ 115-АЗ, КДФ115-А5......0,71.-1,12
• Capacidad del diodo, pF, a un voltaje inverso de 5 V para KDF115-A......2,2
• KDF115-AZ, KDF115-A5 .....60
• Longitud de onda de máxima distribución espectral de fotosensibilidad, micras......0,85
• Ángulo del patrón direccional a nivel 0,5, grados, para KDF115-A......±5
• KDF 115-AZ......±62
• KDF115-A5......±42
• El voltaje operativo (inverso) constante más alto, V, para KDF115-A, KDF115-A5......50
• KDF115-AZ......30
• Rango de trabajo de temperatura ambiente, °С....-60...+70

En la Fig. La Figura 13 muestra las dependencias típicas de la fotosensibilidad actual de los fotodiodos con respecto al voltaje de funcionamiento (inverso).

Las características espectrales típicas de los fotodiodos KDF115-A, KDF115-AZ y KDF115-A5 se muestran en la Fig. 14.

KDF118A

Los fotodiodos KDF118A de estructura p-n con fotosensibilidad selectiva a la radiación IR tienen unas dimensiones de elemento fotosensible de 5,6x3,4 mm. Están alojados en una caja de plástico con cinco terminales estañados rígidos estampados (Fig. 15).

Los pines 1 y 2 están conectados al ánodo y 4 al cátodo; Salida de pantalla - 5, salida 3 - gratuita. El peso del dispositivo no supera los 0,8 g.

Los dispositivos están destinados a sistemas de control remoto de equipos domésticos y económicos nacionales.

• Fotocorriente, µA, no menos, con una iluminación de 1 mW/cm2 con una distribución espectral máxima a una longitud de onda de 0,87 µm y una tensión de funcionamiento (inversa) de 10 V......100
• Corriente oscura, nA, no más, con tensión inversa de 10 V y temperatura ambiente de +25 °C......100
• +55 °С......230
• Tiempo de subida (decaimiento) de la señal de fotorespuesta, μs, no más, cuando se irradia a una longitud de onda de 0,87 μm, voltaje inverso de 10 V y resistencia de carga de 1 kOhm......1
• Capacitancia del fotodiodo, pF, no más, a voltaje inverso 3 V......160
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 15
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+55

En la Fig. La Figura 16 muestra las características espectrales de la fotosensibilidad del fotodiodo KDF118A.

COF119A, COF119B

Los fotodiodos KOF119A, KOF119B con unión pn tienen un área de elemento fotosensible de 40 mm2. Están diseñados para funcionar en sistemas de control remoto y en máquinas contadoras de dinero. Están alojados en una caja de plástico rectangular con terminales estañados rígidos estampados (Fig. 17). Peso: no más de 0,8 g.

• Fotosensibilidad actual, µA/lx, nada menos, con tensión de funcionamiento (inversa) 3 V......0,17
• Corriente oscura, μA, no más, con un voltaje operativo (inverso) de 3 V ...... 0,5
• Iluminación nominal durante las mediciones, lx......1000
• Longitud de onda de la distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm......0,87...0,96
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 10
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-10...+60

COF120A, COF120B; COF121A, COF121B

Los fotodiodos de estructura p-n KOF120A, KOF120B, KOF121A, KOF121B tienen un área de elemento fotosensible de 68 mm2 (para KOF120A, KOF120B) y 35 mm2 (KOF121A, KOF121B).

Los dispositivos se fabrican en una caja de plástico con cables estañados rígidos estampados (KOF120A, KOF120B - Fig. 18,a; K0F121A, K0F121B - Fig. 18,b). Peso: no más de 3 g El terminal del cátodo está ensanchado en la base.

El principal campo de aplicación son los sensores fotosensibles en dispositivos de control remoto de equipos electrónicos.

• Fotosensibilidad actual, μA/lx, no menos, a una tensión de funcionamiento (inversa) de 3 V para KOF120A, KOF120B......0,32
• KOF121A, KOF121B......0,2
• Corriente oscura, µA, no más, con una tensión de funcionamiento (inversa) de 3 V para KOF120A, KOF120B......1
• valor típico ...... 0,5
• KOF121A, KOF121B......0,1
• valor típico ...... 0,05
• Iluminación nominal, lx......1000
• Longitud de onda de la fotosensibilidad espectral máxima, µm......0,87...0,96
• El voltaje operativo (inverso) constante más alto, V, para KOF120A, KOF120B......15
• KOF121A, KOF121B......12
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С -10...+60

COF122A, COF122B

Los fotodiodos de la estructura pn KOF122A, KOF122B con un área de elemento fotosensible de 86 mm2 están alojados en una caja de plástico cilíndrica con conductores estañados rígidos estampados (Fig. 19), el conductor del cátodo es alargado. Peso: no más de 4 g.

Diseñado para uso en sistemas de control remoto y otros dispositivos fotoelectrónicos.

• Fotosensibilidad actual, µA/lx, no menos, con tensión de funcionamiento (inversa) de 12 V, para KOF122A......0,45
• COF122B......0,3
• Corriente oscura, μA, no más, con un voltaje operativo (inverso) de 12 V ...... 0,5
• Iluminación nominal (durante las mediciones), lux......1000
• Constante de tiempo del fotodetector, µs, no más......1
• Capacitancia del fotodiodo, pF, no más, con voltaje operativo (inverso) 12 V......600
• Longitud de onda de la distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm......0,75...0,85
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 30
• Iluminación máxima de trabajo, lux ...... 1100
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+75

FD-7K gr.A, FD-7K gr.B, FD-24K, FD-24-01

Fotodiodos FD-7K gr.A y gr. B, FD-24K y FD-24-01 tienen un elemento fotosensible redondo con un diámetro de 10 mm. El dispositivo está alojado en una caja cilíndrica de metal y vidrio con una ventana de entrada plana, los terminales están estañados rígidos estampados (Fig. 20).

Marcado con puntos de colores en el cuerpo en el terminal del cátodo. FD-7K gr. A está marcado con un punto negro, FD-7K gr. B - uno rojo, FD-24K - uno negro, FD-24-01 - dos negros, pero los dos últimos están marcados adicionalmente en el cuerpo con sus nombres abreviados - " 24K” y “24 -01". El peso del dispositivo no supera los 10 g.

Los fotodiodos se utilizan ampliamente en la automatización fotoelectrónica.

• Fotosensibilidad actual, µA/lx, no menos, a una tensión de funcionamiento (inversa) de 27 V y una iluminación de 1000 lx para FD-7K gr. A, FD-7K gr. B .....0,56
• FD-24K ...... 0,47
• FD-24-01......0,15
• Corriente oscura, µA, no más, con una tensión de funcionamiento (inversa) de 27 V para FD-7Kgr.A, FD-7Kgr.B......5
• FD-24K, FD-24-01......2,5
• Tensión de ruido, µV/Hz 0,5, no más, con una tensión de funcionamiento (inversa) de 27 V para FD-7K gr.A en ausencia de radiación.....0,61
• con radiación con una iluminación de 1000 lux ...... 4,2
• Constante de tiempo del fotodetector, µs, no más......10
• Capacitancia del fotodiodo, pf, no más, con voltaje operativo (inverso) 27 V......600
• Rango de fotosensibilidad espectral, µm.....0,4...1,1 Longitud de onda de distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm, para FD-7Kgr.A, FD-7Kgr.B .0,82...0,86
• ФД-24К, ФД-24-01.....0,75.-0,85
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 30
• Iluminación máxima de trabajo, lx......1100
• Iluminación máxima a corto plazo (no más de 2 min), lux ...... 11 000
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+75

En la fig. 21, ayb muestran las características espectrales típicas de los fotodiodos.

FD-8K gr. 1690, FD-8K gr. 1691

Los fotodiodos FD-8K gr.1690 y FD-8K gr.1691 p-n de estructura con elemento fotosensible de 2x2 mm están enmarcados en una caja de metal-vidrio con conductores estañados aislados flexibles (Fig. 22); peso: no más de 1 g.

Los dispositivos están marcados con franjas anulares de colores en el cuerpo, FD-8K gr.1690 - uno y FD-8K gr.1691 - dos. Los primeros están diseñados para funcionar en modo fotodiodo y los segundos, en modo fotogenerador. El FD-8K gr.1690 tiene un cable de cátodo extendido y el AUFD-8Kgr.1691 tiene un cable de ánodo.

Los dispositivos son ampliamente utilizados en la automatización fotoelectrónica.

• Fotosensibilidad actual, µA/lx, no menos, con una iluminación de 1500 lx y tensión nominal de funcionamiento para FD-8K gr.1690......6-10^-3
• FD-8K gr.1691......4,2-10^-3
• Tensión nominal de funcionamiento (inversa), V, para FD-8K gr.1690......20
• FD-8K gr.1691......0
• Corriente oscura, µA, no más, con tensión inversa de 20 V y temperatura ambiente de +25 °C para FD-8K gr.1690......1
• FD-8K gr.1691......3*
• Corriente oscura, µA, no más, con tensión inversa de 20 V y temperatura ambiente de +85 °C para FD-8K gr.1690......2
• FD-8Kgr. 1691......7*
• Tiempo de subida de la señal de fotorespuesta, μs, no más, para FD-8K gr.1690......7,5
• FD-8K gr.1691......12
• Área de fotosensibilidad espectral, µm.....0,5...1,12
• Longitud de onda de la distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm......0,85...0,92
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V, para FD-8K gr.1690......30
• Iluminación máxima de trabajo, lx......2000
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+85

* Valores de referencia.

FD-263, FD-263-01

Los fotodiodos FD-263, FD-263-01 de estructura p-n tienen un elemento fotosensible de 3x3 mm.

Los dispositivos FD-263 están alojados en una caja de metal y vidrio con una ventana de entrada plana y cables rígidos estañados, y los FD-263-01 están en una caja de plástico con una ventana en forma de lente esférica y cables estañados rígidos estampados. cables (Fig. 23, a y b, respectivamente). El peso del FD-263 no supera los 3 gy el del FD-263-01 es de 2 g.

El terminal catódico del dispositivo FD-263 está marcado con un punto negro en el cuerpo, mientras que el del FD-263-01 es alargado. El fotodiodo FD-263 está diseñado para funcionar en modo fotogenerador y el FD-263-01, en modo fotodiodo.

Los dispositivos son ampliamente utilizados en varios conjuntos y dispositivos fotoelectrónicos.

• Fotosensibilidad de corriente integral, µA/lx, no menos, a un voltaje inverso de 12 V para FD-263......0,18*
• FD-263-01......0,12
• Tensión de funcionamiento nominal, V, para FD-263......0
• FD-263-01......12
• Corriente oscura, nA, no más, con voltaje inverso de 12 V para FD-263......5*
• FD-263-01......100
• Constante de tiempo del fotodetector, μs, no más... .0,02 Región de fotosensibilidad espectral, µm.....0,4... 1,1
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 30
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-50...+50

* Valores de referencia.

ФД-265А, ФД-265-01А, ФД-265-02А,ФД-265Б, ФД-265-01Б

Los fotodiodos FD-265A, FD-265-01A, FD-265-02A, FD-265B, FD-265-01B p-n tienen un área de elemento fotosensible de aproximadamente 2 mm2, y en FD-265A y FD- 265B es redondo de 1,37 mm de diámetro y el resto tiene un tamaño cuadrado de 1,4x1,4 mm.

Los fotodiodos FD-265A y FD-265B están enmarcados en una caja de metal y vidrio, el resto en una caja de plástico, y para FD-265-01A y FD-265-01B la caja en el lado receptor de radiación está hecha en la forma de una lente (Fig. 24, a - c) Conclusiones FD-265A, FD-265B, FD-265-01A y FD-265-01B tienen alambres estañados duros, y FD-265-02A tienen alambres estañados estampados duros. Peso: no más de 1 g.

Algunos de los fotodiodos FD-265-02A se fabricaron en una carcasa de material polimérico negro. Estos dispositivos tienen características ligeramente diferentes y la región de fotosensibilidad espectral se desplaza hacia longitudes de onda más largas.

Los dispositivos con la letra B en su nombre están marcados con un punto negro en el cuerpo. Estos fotodiodos están diseñados para funcionar en modo fotogenerador, pero también se pueden utilizar en modo fotodiodo si el voltaje de funcionamiento (inverso) no supera los 4 V. Los dispositivos con índice A deben funcionar en modo fotodiodo.

Diseñado para su uso en equipos electrónicos de video y audio.

• Fotosensibilidad actual, μA/lx, no menos, a tensión nominal de funcionamiento (inversa) para FD-265A......0,75-10-2
• ФД-265-01А, ФД-265-01Б......2·10^-2
• FD-265B......0,6 10^-2
• ФД-265-02А......4·10-2
• FD-265-02A negro......3,5 10^-2
• Tensión nominal de funcionamiento (inversa), V, para FD-265A......4
• ФД-265-01А, ФД-265-02А......5
• FD-265B, FD-265-01B......0
• Corriente oscura, µA, no más, a una tensión inversa de 12 V y una temperatura ambiente de +25°C para FD-265A......0,1
• FD-265B, FD-265-01B......1*
• FD-265-01A,
• FD-265-02A......5 10^-3
• FD-265-02A negro......З0·10^-3
• Corriente oscura, µA, no más con un voltaje inverso de 12 V y una temperatura ambiente de +85°C para FD-265A......2
• FD-265B, FD-265-01B......6*
• ФД-265-01А, ФД-265-02А......1
• FD-265-02A negro......2
• Constante de tiempo del fotodetector, μs, no más, para FD-265A, FD-265-01A, FD-265-02A......0,05
• FD-265B, FD-265-01B......5
• Área de fotosensibilidad espectral, µm....0,4...1,2
• Longitud de onda de la distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm......0,75...0,9
• Ángulo del patrón de directividad en el nivel de 0,5 grados, no menos......±36
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 100
• Iluminación máxima de trabajo, lx......2000
• La mayor iluminación a corto plazo (dentro de 200 horas), lux ...... 45 000
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+85

* Valores de referencia.

En la Fig. 25a muestra las características espectrales de la fotosensibilidad de los fotodiodos de la serie FD-265, y en la Fig. 25, b - fotodiodo FD-265-02A negro.

FD-320, FD-320-01

Los fotodiodos FD-320, FD-320-01 pn de estructura con elemento fotosensible cuadrado con un área de 25 mm2 están alojados en una caja de plástico con conductores rígidos estampados estañados. Para el FD-320, la ventana de entrada tiene forma de lente (Fig. 26, a). La sensibilidad del dispositivo es máxima cuando la radiación que incide sobre él se dirige a lo largo del eje óptico; FD-320-01 no tiene lente (Fig. 26, b). El peso del dispositivo no supera los 10 g.

Los fotodiodos se utilizan como sensores de radiación infrarroja en sistemas de control remoto de equipos electrónicos.

• Fotosensibilidad actual, μA/lx, no menos, a una tensión de funcionamiento (inversa) de 10 V para FD-320......0,15
• FD-320-01......0,035
• Corriente oscura, nA, no más, con voltaje de funcionamiento (inverso) 10 V......50
• valor típico ...... 2
• Constante de tiempo del fotodetector, µs, no más......1
• Capacitancia del fotodiodo, pF, no más, con voltaje operativo (inverso) 10 V......30
• Área de fotosensibilidad espectral, µm.....0,7...1,1
• Longitud de onda de la distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm......0,87...0,96
• El voltaje de funcionamiento constante (inverso) más alto, V ...... 30
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+85

KFDM, KFDM gr.A, KFDM gr.B

Los fotodiodos KFDM, KFDM gr.A, KFDM gr.B de estructura p-n con un elemento fotosensible cuadrado de dimensiones 1,9x1,9 mm están alojados en una caja de metal y vidrio con cables estañados flexibles (Fig. 27). El cable del cátodo está extendido. Peso: no más de 1 g.

Los dispositivos KFDM y KFDM gr.B están diseñados para funcionar en modo fotodiodo, y los dispositivos KFDM gr.A se pueden utilizar tanto en modo fotodiodo como en modo fotogenerador.

Los fotodiodos se utilizan en varios equipos electrónicos-ópticos.

• Fotosensibilidad actual, µA/lx, no menos, a tensión nominal de funcionamiento e iluminación de 1500 lx para KFDM......0,75 10-2
• KFDM gr.A ...... 0,8 10^-2
• KFDM gr.B......1,5 10^-2
• Tensión nominal de funcionamiento (inversa), V, para KFDM, KFDM gr.B......20
• KFDM gr.A......0
• Corriente oscura, µA, no más, con una tensión de funcionamiento (inversa) de 20 V y una temperatura ambiente de +25 °C para KFDM......1
• KFDM gr.A*, KFDM gr.B......0,1
• Corriente oscura, µA, no más, con una tensión de funcionamiento (inversa) de 20 V y una temperatura ambiente de +85 °C para KFDM......3,5
• UFDMgr. A*, KFDM gr. B......2
• Tiempo de subida de la señal de fotorespuesta, μs, no más, a una tensión de funcionamiento (inversa) de 20 V y una resistencia de carga de 10 kOhm...10
• Área de fotosensibilidad espectral, µm.....0,5... 1,12
• Longitud de onda de la distribución espectral máxima de fotosensibilidad, µm......0,85...0,92
• Ángulo del patrón de directividad en el nivel de 0,5 grados, no menos......±36
• El voltaje operativo (inverso) constante más alto, V, para KFDM......22
• KFDM gr. A, KFDM gr.B......30
• Disipación de potencia máxima, mW......350
• Iluminación máxima de trabajo, lx......2000
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С.....-60...+85

* Valores de referencia.

En la Fig. La Figura 28 muestra las características espectrales relativas de los fotodiodos de la serie KFDM.

Autor: A.Yushin

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