Transistores potentes complementarios de la serie KT8115, KT8116. Dato de referencia

Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias

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Los transistores compuestos de silicio de alta potencia KT8115A - KTV115V (estructuras p-n-p) y KT8116A - KT8116V (n-p-n), fabricados con tecnología epitaxial-planar, están diseñados para funcionar en las etapas finales de amplificadores de 3 canales, en convertidores de voltaje y otros equipos de una amplia gama. aplicaciones. Los dispositivos están alojados en una caja de plástico KT-28 (TO-220) con cables estañados rígidos estampados (Fig. 1). El peso del dispositivo no supera los 2,5 g.

Análogos extranjeros: KT8115A - TIP127, KT8115B - TIP126, KT8115B - TIP125, KT8116A - TIP122, KT8116B - TIP121, KT8116B - TIP120.

Características principales a Tacr.av = 25°С

• Tensión límite colector-emisor, V, no menos, con una corriente de colector de 100 mA y corriente de base cero para KT8115A, KT8116A......100
• KT8115B... KT8116B......80
• KT8115V, KT8116V......60
• Corriente de colector inversa, mA, no más, con voltaje máximo de base de colector y corriente de emisor cero... 0,2
• Corriente inversa colector-emisor, mA, no más, para KT8115A, KT8116A (con voltaje colector-emisor 50 V), KT8115B, KT8116B (40 V), KT8115V, KT8116V (30 V) .....0.5
• Corriente de emisor inversa, mA, no más, con un voltaje base-emisor de 5 V y corriente de colector cero...2
• Coeficiente de transferencia de corriente de base estática, no menor, a una tensión colector-emisor de 3 V y una corriente de emisor de 0,5 A y PARA......1000
• Tensión de saturación colector-emisor, V, no más, con una corriente de colector de 3 A y una corriente de base de 12 mA......2
• 5 A y 20 mA respectivamente......4
• Tensión de saturación base-emisor, V, no más, con una corriente de colector de 3 A y una corriente de base de 12 mA...... 2,5
• Módulo de coeficiente de transferencia de corriente base, no inferior, a una tensión colector-emisor de 4 V, corriente de colector de 3 A y frecuencia de 1 MHz.....4
• Resistencia térmica carcasa de transición, °С/W, máx......1,92

Valores límite

• Voltaje más alto de la base del colector, V, para KT8115A, KT8116A......100
• KT8115B, KT8116B.....80
• KT8115V, KT8116V......60
• Voltaje colector-emisor más alto, V, para KT8115A, KT8116A.....100
• KT8115B... KT8116B......80
• KT8115V, KT8116V......60
• El voltaje emisor-base más alto, V ...... 5
• La corriente de colector de CC más alta, A ...... 5
• La corriente de pulso de colector más alta, A ...... 8
• La corriente continua más alta de la base, A ...... 0,12
• La disipación de potencia constante más alta del colector, W, con un disipador de calor......65
• La temperatura de transición más alta, ° С ...... 150
• Rango de temperatura ambiente de funcionamiento, °С -60...+125

El valor permitido del potencial estático es 2000 V (grado de dureza VI según OST 11073.062). No está permitido el uso de transistores en los valores límite de dos o más parámetros. Para aumentar la confiabilidad, se recomienda operar dispositivos con valores de parámetros que no superen el 70% de los valores máximos permitidos.

Al instalar transistores en un dispositivo bajo voltaje, el terminal de la base debe soldarse primero y, cuando se desmonte, desconectarse al final. No se recomienda operar transistores con una corriente de operación comparable a la corriente inversa incontrolada de las transiciones en todo el rango de temperatura de operación.

No se permite doblar los cables más de una vez. El punto de curvatura no debe estar a menos de 5 mm del cuerpo y el radio de curvatura debe ser de al menos 1,5 mm. Durante la flexión, es necesario tomar medidas para evitar la transferencia de fuerza al cuerpo.

En la Fig. La Figura 2 muestra una dependencia típica del coeficiente de transferencia de corriente estática de la base del transistor, y la Fig. 3 - dependencias típicas del voltaje de saturación colector-emisor y base-emisor de la corriente del colector.

Cuando la temperatura del cuerpo del transistor aumenta por encima de +25°C, la potencia disipada por el colector debe reducirse de acuerdo con la curva que se muestra en la Fig. 4.

Arroz. 5 define el área de funcionamiento seguro de los transistores en modos estático y pulsado.

Autor: V.Kiselev, Minsk

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