Transistores KP301 - KP312. Dato de referencia

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tipo	S1-S2/I(U) msim/mA(V)	I01-I02/U mA/V	yo/tú nA/V	C11 pF	C12 pF	C22 pF	Adelante/Adelante dB/GHz	Uzi/Es(U0) V/mA(V)	Uzs В	Uzi В	usi В	ic mamá	P megavatios	tipo	Kahn	tsok
KP301A KP301B KP301V KP301G	1.0- / 5 1.0- / 5 2.0- / 5 0.5- / 5		0.3/30 0.3/30 0.3/30 0.3/30	3.5 3.5 3.5 3.5	0.7 1.0 1.0 1.0	3.5 3.5 3.5 3.5	5/0.1 9.5/0.1 9.5/0.1 9.5/0.1	(2.7-5.4) (2.7-5.4) (2.7-5.4) (2.7-5.4)		30 30 30 30	20 20 20 20	15 15 15 15	200 200 200 200	TIR TIR TIR TIR	P P P P	9 9 9 9
KP302A KP302B KP302V KP302G KP302AM KP302BM KP302VM KP302GM	5.0-15.0 / 7 7.0-17.0 / 7 - 5.0- / 7 5.0-15.0 / 7 7.0-17.0 / 7 - 5.0- / 7	3.0-24 / 7 18.0-43 / 7 33.0-80 / 10 15.0- / 7 3.0-24 / 7 18.0-43 / 7 33.0-80 / 10 15.0- / 7	10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10	20 20 20 20 20 20 20 20	8 8 8 8 8 8 8 8	10 10 10 10 10 10 10 10	3/1 kHz - - - 3/1 kHz - - -	(-5.0) (-7.0) (-10) (-7.0) (-5.0) (-7.0) (-10) (-7.0)	20 20 20 10 20 20 20 10	10 10 10 10 10 10 10 10	20 20 20 20 20 20 20 20	24 43 - - 24 43 - -	300 300 300 300 300 300 300 300	NP NP NP NP NP NP NP NP	N N N N N N N N	10 10 10 10 11 11 11 11
KP303A KP303B KP303V KP303G KP303D KP303E KP303Zh KP303I	1.0-4.0 / 10 1.0-4.0 / 10 2.0-5.0 / 10 3.0-7.0 / 10 2.6- / 10 4.0- / 10 1.0-4.0 / 10 2.0-6.0 / 10	0.5-2.5 / 10 0.5-2.5 / 10 1.5-5.0 / 10 3.5-12.0 / 10 3.0-9.0 / 10 5.0-20.0 / 10 0.3-3.0 / 10 1.5-5.0 / 10	1/10 1/10 1/10 0.1/10 1/10 1/10 5/10 5/10	6 6 6 6 6 6 6 6	2 2 2 2 2 2 2 2		- - - - 4/0.1 4/0.1 - -	(0.5-3.0) (0.5-3.0) (1.5-4.0) (-8.0) (-8.0) (-8.0) (0.3-3.0) (0.5-2.0)	30 30 30 30 30 30 30 30	30 30 30 30 30 30 30 30	25 25 25 25 25 25 25 25	20 20 20 20 20 20 20 20	200 200 200 200 200 200 200 200	NP NP NP NP NP NP NP NP	N N N N N N N N	11 11 11 11 11 11 11 11
KP304A	4.0- / 10		20/30	9	2	6		(5.0-)	30	30	25	30	200	TIR	P	12
2P305A 2P305B 2P305V 2P305G KP305D KP305E KP305Zh KP305I	6.0-10 / 5 4.0-8.0 / 5 6.0-10 / 5 6.0-10 / 5 5.2-10.5 / 5 4.0-8.0 / 5 5.2-10.5 / 5 4.0-10.5 / 5		1/30 .001 / 30 1/30 1/30 1/15 .001 / 15 1/15 1/15	5 5 5 5 5 5 5 5	0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8		6/0.25 - 6/0.25 6/0.25 7/0.25 7/0.25 7/0.25 7/0.25	+0.2-+1.5/5 +0.2-+2.0/5 -0.5-+0.5/5 -1.5-0.2 / 5 -0.2-+2.0/5 -0.5-+0.5/5 -0.5-+0.5/5 -2.5-0.2 / 5	30 30 30 30 15 15 15 15	30 30 30 30 15 15 15 15	15 15 15 15 15 15 15 15	15 15 15 15 15 15 15 15	150 150 150 150 150 150 150 150	TIR TIR TIR TIR TIR TIR TIR TIR	N N N N N N N N	13 13 13 13 13 13 13 13
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KP307A KP307B KP307V KP307G KP307D KP307E KP307Zh	4.0-9.0/(10) 5.0-10 /(10) 5.0-10 /(10) 6.0-12 /(10) 6.0-12 /(10) 3.0-8.0/(10) 4.0-/(10)	3.0-9.0 / 10 5.0-15.0 / 10 5.0-15.0 / 10 8.0-24.0 / 10 8.0-24.0 / 10 1.5-5.0 / 10 3.0-25.0 / 10	1/10 1/10 1/10 1/10 1/10 1/10 0.1/10	5 5 5 5 5 5 5	1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5		- - 6/0.4 - 6/0.4 - -	(0.5-3.0) (1.0-5.0) (1.5-5.0) (1.5-6.0) (1.5-6.0) (-2.5) (-7.0)	27 27 27 27 27 27 27	27 27 27 27 27 27 27	27 27 27 27 27 27 27	25 25 25 25 25 25 25	250 250 250 250 250 250 250	NP NP NP NP NP NP NP	N N N N N N N	11 11 11 11 11 11 11
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Publicación: cxem.net

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Fotón de un nanotubo 13.07.2016

Un nanotubo de carbono en una capa de dióxido de silicio se ha convertido en un emisor fiable de fotones individuales.

El nivel de tecnología que los físicos tienen a su disposición hace posible trabajar con las partículas de materia más pequeñas. Suspender un electrón en una trampa electromagnética o crear una red de átomos individuales en melaza óptica ya no es un milagro. La siguiente tarea es aprender a trabajar no con cualquiera, sino con una determinada partícula. Aquí, por ejemplo, hay un fotón. Para garantizar la seguridad de los sistemas de comunicación cuántica, se requiere emitir un solo cuanto de luz por acto de emisión: al tener información codificada, no puede preocuparse de que un atacante la lea imperceptiblemente, el rastro siempre permanecerá en forma de un fotón desaparecido.

Sin embargo, los sistemas de comunicación requieren fotones infrarrojos con una longitud de onda de 1,3 a 1,5 micrones; viajan mejor a través de guías de luz. Y los generadores existentes (puntos cuánticos o centros de vacantes en diamantes) no pueden hacer frente a este trabajo. Los nanotubos parecen ser una fuente ideal, pero solo emiten a bajas temperaturas y, además, están sujetos a fluctuaciones. Convencidos de esto, los científicos de materiales renunciaron a estos cilindros de carbono.

Sin embargo, no todos. Han Htun y Stephen Durn y sus colegas del Centro de Tecnologías Integradas del Departamento de Energía de EE. UU. depositaron una capa de dióxido de silicio en la superficie de un nanotubo de carbono. La interacción del carbono con el oxígeno cambió drásticamente las propiedades del tubo: desaparecieron las fluctuaciones y el fotón adquirió la longitud de onda deseada. Dado que el dióxido de silicio se usa constantemente en microelectrónica, la tecnología de su aplicación está bien desarrollada y un nanotubo en ropa de SiO2 se puede integrar perfectamente en varios dispositivos electrónicos.

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