Transistores KP313 -3P330. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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| tipo |
S1-S2/yo(t)
msim/mA(V) |
I01-yo02 / U
mA/V |
yo/tú
nA/V |
C11
pF |
C12
pF |
C22
pF |
Adelante/Adelante
dB/GHz |
Uzi/Es(U0)
V/mA(V) |
Uzs
В |
Uzi
В |
usi
В |
ic
mamá |
P
megavatios |
tipo |
Kahn |
tsok |
KP313A
KP313B
KP313V |
4.5-10.5 / 5
4.5-10.5 / 5
4.5-10.5 / 5 |
|
10/10
10/10
10/10 |
7
7
7 |
0.9
0.9
0.9 |
|
6.5 / .25 |
+0.4-+1.5/5
-0.6-+0.6/5
-1.5-0.4 / 5 |
15
15
15 |
10
10
10 |
15
15
15 |
15
15
15 |
120
120
120 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
16
16
16 |
| KP314A |
4.0-/(10) |
2.5-20 / 10 |
0.1/10 |
6 |
2 |
|
|
|
30 |
30 |
25 |
20 |
200 |
NP |
N |
1 |
KPS315A
KPS315B |
2.8- / 5
1.0-5.0 / 5 |
1.0 - 20.0
1.0 - 20.0 |
0.25/5
1/5 |
8
8 |
|
|
|
(1.0-5.0)
(0.4-2.0) |
30
30 |
30
30 |
25
25 |
|
300
300 |
NP
NP |
N
N |
17
17 |
2PS316A1
2PS316B1
2PS316V1
2PS316G1
2PS316D1
2PS316E1
2PS316Zh1
2PS316I1 |
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3 |
|
0.1/5
1/5
1/5
1/5
0.5/5
1/5
1/5
1/5 |
6
6
6
6
6
6
6
6 |
2
2
2
2
2
2
2
2 |
|
|
(0.3-2.0)
(0.3-2.0)
(1.3-4.0)
(2.5-6.0)
(0.3-2.2)
(0.3-2.2)
(1.3-4.0)
(2.5-6.0) |
25
25
25
25
25
25
25
25 |
25
25
25
25
25
25
25
25 |
25
25
25
25
25
25
25
25 |
|
60
60
60
60
60
60
60
60 |
NP
NP
NP
NP
NP
NP
NP
NP |
N
N
N
N
N
N
N
N |
37
37
37
37
37
37
37
37 |
3P320A-2
3P320B-2 |
5-16 / 10
5-16 / 10 |
|
20 uA
20 uA |
0.18
0.18 |
0.15
0.15 |
0.18
0.18 |
4.5/8
6/8 |
|
8
8 |
5
5 |
4
4 |
|
80
80 |
Disparo
Disparo |
N
N |
21
21 |
| 3P321A-2 |
5-25 / 8 |
|
1000 / |
|
|
|
3.5/8 |
(1.5-4.5) |
4 |
3 |
3 |
|
30 |
Disparo |
N |
22 |
| KP322A |
4-6.3/(10) |
5.0-24.0 / 10 |
10/10 |
6 |
0.2 |
|
6/0.25 |
(2.5-12.0) |
25 |
20 |
20 |
40 |
200 |
NP |
N |
18 |
KP323A-2
KP323B-2 |
4-5.8/(10)
4-5.8/(10) |
3-12.0 / 10
3-12.0 / 10 |
0.1/10
1/10 |
4
4 |
1.2
1.2 |
|
|
(-6)
(-6) |
25
25 |
25
25 |
20
20 |
12
5 |
100
100 |
NP
NP |
N
N |
19
19 |
3P324A-2
3P324B-2 |
5-10 / 10
5-10 / 10 |
|
20 µA
20 µA |
|
|
|
3.5/12
5/12 |
|
9
9 |
5
5 |
4
4 |
|
60
60 |
Disparo
Disparo |
N
N |
20
20 |
| 3P325A-2 |
8- / 10 |
30-100 / 3 |
1 µA |
|
|
|
2/8 |
(2.0-4.5) |
5 |
3.5 |
2.5 |
|
25 |
Disparo |
N |
20 |
3P326A-2
3P326B-2 |
8-16 / 8
8-16 / 8 |
25-70 / 2.5
25-70 / 2.5 |
5 µA
5 µA |
|
|
|
4.5/17
5.5/17 |
(1.0-4.5)
(1.0-4.5) |
5.5
5.5 |
4
4 |
2.5
2.5 |
|
30
30 |
Disparo
Disparo |
N
N |
23
23 |
KP327A
KP327B
KP327V
KP327G |
9.5- / 10
9.5- / 10
9.5- / 10
9.5- / 10 |
0.5-17.0 / 10
0.5-17.0 / 10
-17.0/10
-17.0/10 |
50/5
50/5
50/5
50/5 |
2.3
3.0
2.5
3.6 |
0.04
0.04
0.04
0.04 |
1.3
2.0
1.6
3.0 |
3.9/0.8
2.8/0.2
4.5/0.8
3.0/0.2 |
|
16
16
16
16 |
5
5
5
5 |
14
14
14
14 |
30
30
30
30 |
200
200
200
200 |
TIR
TIR
TIR
TIR |
N
N
N
N |
35
35
35
35 |
| 3P328A-2 |
28- / 8 |
|
1000 / |
|
|
|
3.5/8 |
(-4) |
6 |
4 |
6 |
|
50 |
Disparo |
N |
24 |
KP329A
KP329B |
3-/(10)
1-/(10) |
|
1/10
0.1/30 |
6
6 |
|
|
|
(1.5-)
(-4) |
50
40 |
45
35 |
50
40 |
|
250
250 |
NP
NP |
N
N |
36
36 |
3P330A-2
3P330B-2
3P330V-2 |
5- / 10
5- / 10
5- / 10 |
-50/2
-50/2
-50/2 |
1000 /
1000 /
1000 / |
|
|
|
6/25
4.5/25
3.5/17 |
(1.5-4.5)
(1.5-4.5)
(1.5-4.5) |
6
6
6 |
4
4
4 |
3
3
3 |
|
30
30
30 |
Disparo
Disparo
Disparo |
N
N
N |
23
23
23 |
Publicación: cxem.net
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| Noticias aleatorias del Archivo MDmesh K5: nuevos MOSFET de 900 V de STMicroelectronics
21.11.2017
STMicroelectronics ha ampliado su familia K5 de MOSFET de potencia con una nueva versión de 900 V. Mediante el uso de transistores MDmesh K900 de 5 V, el convertidor de potencia de red puede ser más confiable que, por ejemplo, los MOSFET de 650 - 800 V.
Los nuevos transistores tienen el Rds (encendido) más bajo entre los análogos en paquetes TO-247 (99 mΩ) y DPAK (810 mΩ). Al mismo tiempo, fue posible reducir la carga de puerta de los transistores, lo que permite lograr una mayor eficiencia y operar a frecuencias de conmutación más altas.
Los nuevos MOSFET tienen una capacitancia de entrada y salida significativamente reducida, lo que permite que los dispositivos se utilicen en circuitos ZVS (conmutación de voltaje cero). Otra característica de la serie es el alto nivel de voltaje de umbral para encender el transistor, como resultado de lo cual se reduce el nivel de interferencia electromagnética del sistema. La alta resistencia a avalanchas de los nuevos MOSFET K5 es un factor importante en las pruebas de inmunidad transitoria de microsegundos de dispositivos finales.
Los MOSFET MDmesh K5 están disponibles en una amplia gama de paquetes con impedancia de canal de 99 mΩ a 2.1 Ω.
Características de los transistores MDmesh K5:
- valores bajos de Rds (on) a alto voltaje de fuente de drenaje;
- la capacidad de trabajar a altas frecuencias de conmutación;
- resistencia a la ruptura de avalanchas;
- Protección de obturador ESD;
- Una amplia gama de dispositivos en varios casos.
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