Potentes transistores de microondas Philips Semiconductors. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Referencias
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Los transistores de microondas se utilizan en muchas áreas de la actividad humana: transmisores de transmisión de televisión y radio, repetidores, radares civiles y militares, estaciones base de un sistema de comunicación celular, aviónica, etc.
En los últimos años, ha habido una tendencia notable en la transición de la tecnología bipolar para la producción de transistores de microondas a las tecnologías VDMOS (Semiconductores de óxido de metal de difusión vertical) y LDMOS (Semiconductores de óxido de metal de difusión lateral). La tecnología LDMOS más avanzada tiene las mejores características, como linealidad, ganancia, rendimiento térmico, tolerancia a desajustes, alta eficiencia, margen de disipación de energía y confiabilidad. Los transistores de Philips son extremadamente repetibles de un lote a otro y Philips se enorgullece de ello. Al reemplazar los transistores defectuosos, no tiene que preocuparse por el proceso de configuración del equipo nuevamente, ya que todos los parámetros de los transistores son absolutamente idénticos. Ninguno de los competidores de Philips puede presumir de esto.
Todos los nuevos desarrollos de Philips se basan en la nueva y moderna tecnología LDMOS.
Transistores para estaciones base celulares
Además de los transistores empaquetados en cajas, Philips produce módulos integrados.
Tabla 1. Transistores LDMOS 800MHz-1,0GHz | tipo | Puchero, W | viviendas |
|---|
| BLF1043 |
10 |
SOT538 |
| BLF1046 |
45 |
SOT467 |
| BLF1049 |
125 |
SOT502A |
| BLF0810-90 |
16 |
SOT502A |
| BLF0810-180 |
32 |
SOT502A |
| BLF900-110 |
25 |
SOT502A |
Tabla 2. Transistores LDMOS 1,8 - 2,0 GHz
| tipo | Puchero, W | viviendas |
|---|
| BLF2043 |
10 |
SOT538 |
| BLF1822-10 |
10 |
SOT467C |
| BLF1822-30 |
30 |
SOT467C |
| BLF1820-70 |
65 |
SOT502A |
| BLF1820-90 |
90 |
SOT502A |
Tabla 3. Transistores LDMOS 2,0 - 2,2 GHz para WCDMA
| tipo | Pavg WCDMA, W | viviendas |
|---|
| BLF1822-10 |
1 |
SOT467C |
| BLF1822-30 |
4 |
SOT467C |
| BLF202230 |
|
SOT608A |
| BLF2022-70 |
7,5 |
SOT502A |
| BLF2022-120 |
20 |
SOT539A |
| BLF2022-125 |
20 |
SOT634A |
| BLF2022-150 |
25 |
SOT634A |
| BLF2022-180 |
35 |
SOT539A |
Tabla 4. Principales módulos integrados| tipo | Puchero, W | Tecnología | frecuencia | ámbito de aplicación |
|---|
| BGY916 |
19 |
BIPOLAR |
900 MHz |
GSM |
| BGY916/5 |
19 |
BIPOLAR |
900 MHz |
GSM |
| BGY925 |
23 |
BIPOLAR |
900 MHz |
GSM |
| BGY925/5 |
23 |
BIPOLAR |
900 MHz |
GSM |
| BGY2016 |
19 |
BIPOLAR |
1800 2000-MHz |
GSM |
| BGF802-20 |
4 |
LDMOS |
900 900-MHz |
CDMA |
| BGF 844 |
20 |
LDMOS |
800 900-MHz |
GSM/EDGE (EE. UU.) |
| BGF944 |
20 |
LDMOS |
900 1000-MHz |
GSM/EDGE (EUROPA) |
| BGF1801-10 |
10 |
LDMOS |
1800 1900-MHz |
GSM/EDGE (EUROPA) |
| BGF1901-10 |
10 |
LDMOS |
1900 2000-MHz |
GSM/EDGE (EE. UU.) |
Características distintivas de los módulos integrados:
- Tecnología LDMOS (soldadura directa al disipador, linealidad, mayor ganancia), o menor distorsión,
- menos calentamiento del semiconductor debido al uso de una brida de cobre, o compensación de compensación de temperatura integrada,
- Entradas/salidas de 50 ohmios,
- amplificación lineal,
- soporte para muchos estándares (EDGE, CDMA).
Soluciones recomendadas para estándar GSM: a 800 MHz: BGF844 + BLF1049 a 900 MHz: BGF944 + BLF1049 a 1800 MHz: BGF1801-10 + BLF1820-10 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-10
Soluciones recomendadas para estándar CDMA: a 800 MHz: BGF802-20 + BLF0810-180 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-90
Soluciones recomendadas para el estándar EDGE:
BGF0810-90
- potencia de salida: 40W,
- ganancia: 16 dB,
- Eficiencia: 37%,
- Atenuación de potencia de canal adyacente ACPR: -60dB,
- Amplitud del vector de error EVM: 2%.
BLF1820-90
- potencia de salida: 40W,
- ganancia: 12 dB,
- Eficiencia: 32%,
- Atenuación de potencia de canal adyacente ACPR: -60dB,
- Amplitud del vector de error EVM: 2%.
Transistores para emisoras
Durante los últimos 25 años, Philips ha mantenido su liderazgo en este campo. El uso de los últimos avances en tecnología LDMOS (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx, series) le permite fortalecer constantemente su posición en el mercado. Un ejemplo es el gran éxito del transistor BLF861 para transmisores de TV. A diferencia de los transistores de la competencia, el BLF861 ha demostrado ser un elemento altamente confiable y estable, protegido contra fallas cuando la antena está desconectada. Ninguno de los competidores pudo acercarse a las características del BLF861 en términos de estabilidad. Podemos nombrar las principales áreas de aplicación de tales transistores: transmisores para frecuencias de HF a 800 MHz, estaciones de radio privadas PMR (TETRA), transmisores VHF para fines civiles y militares.
Tabla 5. Transistores de radar de banda L y banda S
| | tipo | F, GHz | Vcc,B | tp, ms | coef. relleno, % | W de potencia | Eficiencia,% | Ganancia, dB |
|---|
| banda L |
RZ1214B35Y |
1,2 - 1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 35 |
> 30 |
>7 |
| RZ1214B65Y |
1,2 - 1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 70 |
> 35 |
>7 |
| RX1214B130Y |
1,2 - 1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 130 |
> 35 |
>7 |
| RX1214B170W |
1,2 - 1,4 |
42 |
500 |
10 |
> 170 |
> 40 |
>6 |
| RX1214B300Y |
1,2 - 1,4 |
50 |
150 |
5 |
> 250 |
> 35 |
>7 |
| RX1214B350Y |
1,2 - 1,4 |
50 |
130 |
6 |
> 280 |
> 40 |
>7 |
| Bill 21435 |
1,2 - 1,4 |
36 |
100 |
10 |
> 35 |
45 |
> 13 |
| BLL1214-250 |
1,2 - 1,4 |
36 |
100 |
10 |
> 250 |
45 |
> 13 |
| banda S |
BLS2731-10 |
2,7 - 3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 10 |
45 |
9 |
| BLS2731-20 |
2,7 - 3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 20 |
40 |
8 |
| BLS2731-50 |
2,7 - 3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 50 |
40 |
9 |
| BLS2731-110 |
2,7 - 3,1 |
40 |
100 |
10 |
> 110 |
40 |
7,5 |
| Banda S superior |
BLS3135-10 |
3,1 - 3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 10 |
40 |
9 |
| BLS3135-20 |
3,1 - 3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 20 |
40 |
8 |
| BLS3135-50 |
3,1 - 3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 50 |
40 |
8 |
| BLS3135-65 |
3,1 - 3,5 |
40 |
100 |
10 |
> 65 |
40 |
>7 |
Tabla 6. Transistores de aviónica
| | tipo | F GHz | Vcc,B | tp, ms | coef. relleno, % | W de potencia | Eficiencia,% | Ganancia, dB |
|---|
| BIPOLAR |
MZ0912B50Y |
0,96 - 1,215 |
50 |
10 |
10 |
> 50 |
> 42 |
>7 |
| MX0912B100Y |
0,96 - 1,215 |
50 |
10 |
10 |
> 100 |
> 42 |
>7 |
| MX0912B251Y |
0,96 - 1,215 |
50 |
10 |
10 |
> 235 |
> 42 |
>7 |
| MX0912B351Y |
0,96 - 1,215 |
42 |
10 |
10 |
> 325 |
> 40 |
>7 |
| LDMOS |
|
|
vds |
|
|
|
|
|
| BLA1011-200 |
1,03 - 1,09 |
36 |
50 |
1 |
> 200 |
50 |
15 |
| BLA1011-10 |
1,03 - 1,09 |
36 |
50 |
1 |
> 10 |
40 |
16 |
| BLA1011-2 |
1,03 - 1,09 |
36 |
50 |
1 |
>2 |
- |
18 |
Las principales características del transistor. BLF861A
- Transistor push-pull (amplificador push-pull),
- potencia de salida de más de 150 W,
- ganancia superior a 13 dB,
- Eficiencia superior al 50%,
- cubre la banda de 470 a 860 MHz (bandas IV y V),
- confiable, resistente al desajuste,
- resistente a la desconexión de la antena,
- es el estándar de la industria en transmisores de TV hoy en día.
Nuevo modelo de transistor BLF647
- diseñado en base a BLF861A,
- gran ganancia de 16 dB a 600 MHz,
- potencia de salida de hasta 150 W,
- cubre la banda de 1,5 a 800 MHz,
- confiable, resistente al desajuste,
- resistente a la desconexión de la antena,
- tiene una resistencia incorporada que le permite trabajar en frecuencias HF y VHF,
- Transistor push-pull (amplificador push-pull).
Transistor BLF872
- se está desarrollando como un reemplazo más potente para el BLF861A,
- inicio de producción 1er trimestre 2004,
- potencia de salida de hasta 250 W,
- el transistor más confiable en términos de resistencia al desajuste,
- mantiene la linealidad,
- mantiene la confiabilidad,
- Desplazamiento de corriente Idq inferior al 10% durante 20 años,
- ganar más de 14 dB,
- cubre la banda de 470 a 860 MHz.
Transistores para radar y aviónica
Los nuevos transistores Philips para radar y aviónica también se fabrican con tecnología LDMOS de última generación. Los cristales hechos con la tecnología LDMOS se calientan menos, son más confiables, tienen mayor amplificación y no requieren un aislante entre el sustrato y el disipador de calor. En consecuencia, se requieren menos transistores para lograr el mismo rendimiento, lo que mejora aún más la confiabilidad y reduce el costo del producto.
Nuevos desarrollos:
BLA0912-250
- banda de 960 a 1250 MHz (todas las principales frecuencias de aviónica),
- alta ganancia de hasta 13 dB,
- fiabilidad, resistencia al desajuste de fase 5:1,
- linealidad,
- Las muestras estarán disponibles a partir de junio de 2003.
BLS2934-100
- banda de 2,9 a 3,4 GHz (todas las principales frecuencias de aviónica),
- uso de una carcasa estándar no presurizada,
- Las muestras estarán disponibles a finales de 2003.
En resumen, Philips se está moviendo con los tiempos y ofrece transistores que permiten nuevos dispositivos con mejores características: tamaño más pequeño, mayor potencia de salida, menos componentes de tubería y menor costo del producto final.
Autor: Vladimir Zakharov, zww@gamma.spb.ru; Publicación: cxem.net
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El experimento muestra que limitar el tiempo frente al espejo ayuda a mejorar el bienestar psicológico y la autoestima de las mujeres, lo que abre perspectivas para desarrollar enfoques eficaces para resolver estos problemas.
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Los resultados del estudio mostraron que las mujeres que redujeron su tiempo frente al espejo mostraron mejoras significativas en el bienestar psicológico, incluida una disminución de los problemas de apariencia, la depresión y la ansiedad social.
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