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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Chips de memoria FLASH SAMSUNG. Dato de referencia
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Aplicación de microcircuitos El artículo describe los chips de memoria flash de 4 Gbit K9K4G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K4G16Q0M-YCBO/YIBO, K9K4G08U0M-YCBO/YIBO, K9K4G16U0M-YCB0/YIB0. Estos microcircuitos se utilizan como memoria no volátil en dispositivos informáticos, industriales y de consumo. En cámaras digitales de video y fotografía, grabadoras de voz y contestadores automáticos, estos chips se utilizan como memoria para imagen y sonido en unidades flash de estado sólido. Los chips de memoria flash se dividen en grupos según el voltaje de suministro y la arquitectura (Tabla 1). En mesa. 2 muestra la asignación de pines de los chips de memoria flash. Tabla 1
Tabla 2
Los chips K9K4GXXX0M tienen una capacidad de 4 Gb con 128 Mb de reserva (la capacidad real es 4 bits) y una arquitectura de 429 Mb x 185 o 024 Mb x 512 con confiabilidad de hasta 8 M de ciclos de escritura/borrado. Los chips de 256 bits están organizados en páginas de 16 x 1, mientras que los chips de 8 bits están organizados en columnas de 2112 x 8. Todos los microcircuitos tienen bits de repuesto ubicados en 16 filas con direcciones 1056-16 para microcircuitos de 128 bits, o en 2048 columnas con direcciones 2111-8 para microcircuitos de 64 bits. Para organizar la transferencia de datos durante una operación de lectura/escritura de página entre celdas de memoria y puertos de E/S, estos microcircuitos tienen registros de datos de 1024 bytes de tamaño para un microcircuito de 1055 bits, o 16 palabras para un microcircuito de 2112 bits y registros conectados en serie entre sí caché del tamaño apropiado. La matriz de memoria está construida a partir de 8 celdas conectadas ubicadas en diferentes páginas y unidas por una estructura NAND. 1056 celdas que combinan 16 estructuras 32I-NOT y están ubicadas en 32 páginas forman un bloque. Una colección de bloques de 135168 o 2 bits constituye una matriz de memoria. La operación de lectura se realiza página por página, mientras que la operación de borrado es solo bloque por bloque: 2048 bloques de 128 KB ps borrados individualmente (para microcircuitos de 8 bits), o bloques de 64 Kpalabras (para microcircuitos de 16 bits). No es posible borrar bits individuales. La escritura de una página en microcircuitos se realiza en 300 μs, el borrado, en 2 ms por bloque (128 KB para microcircuitos de 8 bits o 64 Kpalabras para microcircuitos de 16 bits). Se lee un byte de datos de una página en 50 ns. Para registrar y controlar los datos en los microchips, existe un controlador incorporado que proporciona todo el proceso, incluida, si es necesario, la repetición de las operaciones de verificación interna y etiquetado de datos. Los microcircuitos K9K4GXXX0M cuentan con un sistema de verificación de la información con corrección de errores y eliminación de datos erróneos en tiempo real. Los chips tienen 8 o 16 direcciones de E/S multiplex. Esta solución reduce drásticamente la cantidad de salidas involucradas y permite actualizaciones posteriores de los dispositivos sin aumentar su tamaño. Los comandos, direcciones y datos se ingresan a bajo nivel en el pin CE por la caída de la señal WE a través de los mismos pines de entrada/salida. La información de entrada se escribe en los registros del búfer en el flanco ascendente de la señal WE. Las señales de habilitación de escritura de comando (CLE) y habilitación de escritura de dirección (ALE) se utilizan para multiplexar el comando y la dirección, respectivamente, a través de los mismos pines de E/S. Tabla 3
* La entrada / salida arbitraria de datos es posible dentro de una página En mesa. 3 muestra los comandos de control de los microcircuitos. El envío a las entradas de otros códigos de comando hexadecimales (HEX) no incluidos en la tabla conduce a consecuencias impredecibles y, por lo tanto, está prohibido. Para mejorar la velocidad de escritura cuando se reciben grandes cantidades de datos, el controlador integrado tiene la capacidad de escribir datos en registros de caché. Cuando se enciende, el controlador incorporado proporciona acceso automáticamente a la matriz de memoria, comenzando desde la primera página sin ingresar un comando ni una dirección. Además de la arquitectura y la interfaz mejoradas, el controlador tiene la capacidad de copiar (sobrescribir) el contenido de una página de memoria a otra sin acceder a la memoria intermedia externa. En este caso, la velocidad de transferencia de datos es más rápida que en el funcionamiento normal, ya que no hay accesos secuenciales ni ciclos de entrada de datos que consuman mucho tiempo. Eliminación de bloques Los bloques de memoria en los chips K9K4GXXX0M se consideran inválidos si contienen uno o más bits no válidos que no se pueden leer sin ambigüedades. La información de bloques no válidos se trata como "información de bloque no válido". Los chips con bloques no válidos no difieren en características estáticas y dinámicas y tienen el mismo nivel de calidad que los chips con todos los bloques correctos. Los bloques no válidos no afectan el funcionamiento de los bloques normales porque están aislados de la broca y del riel de suministro común mediante el transistor de selección. El sistema está diseñado de tal manera que las direcciones se bloquean en caso de bloques no válidos. En consecuencia, simplemente no hay acceso a bits incorrectos. Identificación de bloque no válida Se puede borrar el contenido de todas las celdas del microcircuito (excepto aquellas donde se almacena información sobre bloques no válidos) con direcciones FFh para 8 bits y FFFFh para 16 bits. Las direcciones de los bloques no válidos ubicados en el área libre de la matriz de memoria están determinadas por el primer byte para los chips de 8 bits o la primera palabra para los de 16 bits. El fabricante garantiza que la 1.ª o 2.ª página de cada bloque con direcciones de celdas no válidas tiene datos en columnas con direcciones 2048 (para 8 bits) o 1024 (para 16 bits) que son diferentes de FFh o FFFFh, respectivamente. . Dado que la información sobre bloques no válidos también se puede borrar, en la mayoría de los casos, el borrado de las direcciones de los bloques defectuosos no se puede restaurar. Por tanto, el sistema debe disponer de un algoritmo capaz de crear una tabla de bloques no válidos, protegida contra el borrado y basada en la información inicial sobre los bloques defectuosos. Después de borrar la matriz de memoria, las direcciones de estos bloques se cargan nuevamente desde esta tabla. Se prohíbe cualquier borrado intencional de la información original sobre bloques no válidos, ya que conduce a un funcionamiento incorrecto del sistema en su conjunto. Con el tiempo, la cantidad de bloques no válidos puede aumentar, por lo que debe comprobar periódicamente la capacidad real de la memoria comparando las direcciones de los bloques no válidos con los datos de la tabla de bloques no válidos de la copia de seguridad. Para los sistemas que requieren una alta tolerancia a fallas, es mejor brindar la posibilidad de reescribir bloque por bloque de una matriz de memoria con una comparación de los resultados con los datos reales, identificando y reemplazando rápidamente los bloques de información incorrecta. Los datos del bloque no válido detectado se transfieren a otro bloque vacío normal, sin afectar los bloques vecinos de la matriz y utilizando el búfer incorporado, cuyo tamaño corresponde al tamaño del bloque. Para ello se proporcionan comandos de reescritura bloque a bloque. Publicación: cxem.net
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