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Transceptor SSB para 80 metros. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.

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El transceptor transistorizado de 80 m ha estado en funcionamiento desde junio de 1974. Se hicieron muchas conexiones en él, y los corresponsales evaluaron invariablemente la calidad de la señal como buena.

Potencia del transmisor del transceptor: alrededor de 0,5 W, sensibilidad del receptor con una relación señal-ruido de 10 dB - no peor que 1 μV. La apariencia del transceptor se muestra en la fig. una.

Transceptor SSB para 80 metros. La aparición del transceptor.

El diagrama esquemático del transceptor se muestra en la fig. 2. Está ensamblado en 22 transistores.

En el modo de transmisión, el voltaje desarrollado por el micrófono se alimenta al amplificador de graves, hecho en los transistores T2 y T3. El voltaje amplificado se suministra a través del capacitor C61 a las entradas del dispositivo de control de voz: VOX (transistores T20-T22) y el modulador balanceado en anillo (diodos D1-D4). También se suministra al modulador balanceado un voltaje con una frecuencia de 500 kHz del oscilador de cristal de referencia (T9, T10). Desde la salida del modulador balanceado, la señal se alimenta al F1 EMF, que selecciona la banda lateral superior, formando una señal SSB. Esta señal se mezcla en un mezclador en los transistores T4-T5 con una señal con una frecuencia de 4,1-4,15 MHz de un generador de rango suave (GPA). El GPA se realiza en el transistor T11. Las cascadas en los transistores T12, T13 y T14 sirven para reducir el efecto desestabilizador de la carga.

Un amplificador cascode (T6, T7) se enciende después del mezclador. Su carga es el circuito L4C13, sintonizado a una frecuencia de 3,625 MHz. Como resultado de la mezcla en este circuito, se asigna una señal de frecuencia operativa que tiene una banda lateral más baja. Se alimenta a la etapa de salida en el transistor T8. Esta cascada funciona en modo luz.

Para sintonizar el transmisor, se proporciona un generador de sonido en el transistor T], conectado a la entrada del amplificador de graves con el botón Kn1.

En el modo de recepción, el voltaje de la antena se alimenta a la entrada de un amplificador de RF hecho en un transistor TI5. El voltaje amplificado se aplica a la base del transistor T16 del mezclador receptor. El emisor del transistor es energizado por el GPA. La carga del mezclador es el FSS, que extrae la señal de frecuencia intermedia (500 kHz). Después del FSS, el voltaje de frecuencia intermedia es amplificado por un amplificador de IF de una sola etapa (T17) y luego se alimenta al detector de diodo de mezcla en anillo (D11-D14). Aquí también se suministra el voltaje del oscilador de cristal de referencia.

A la salida del detector se libera un voltaje de baja frecuencia, que luego se amplifica mediante un amplificador de baja frecuencia de dos etapas fabricado con transistores T18. T19.

La carga del amplificador de graves son auriculares de alta impedancia.

La ganancia del receptor se ajusta por separado para LF y IF mediante las resistencias R45 y R39, respectivamente.

Para desafinar el receptor dentro de un rango pequeño, se usa un varicap D6. La frecuencia de desafinación se cambia ajustando el voltaje de polarización en la resistencia varicap R52. La desafinación se usa solo en el modo de recepción, pero también se puede usar en el modo de transmisión cambiando el esquema de conmutación en consecuencia. La transición del transceptor de recepción a transmisión se realiza mediante los contactos P1 / 1 del relé P1 del dispositivo de control por voz.

Construcción y detalles

El transceptor está ensamblado en dos placas de circuito impreso principales. En el primero, se ubican el generador de señal SSB y VOX, en el segundo, la parte receptora y el GPA, y las cascadas en los transistores T11 y T12 se ensamblan en un tablero pequeño separado y se colocan en la pantalla.

El mezclador, el amplificador de búfer y la etapa final también se ensamblan en un tablero separado y se colocan en un escudo adjunto al segundo tablero principal.

Se hace un generador de sonido en el tercer tablero separado.

Las principales placas de circuito impreso se encuentran ubicadas en dos plantas. El diseño utiliza piezas de pequeño tamaño: resistencias fijas - ULM; condensadores GPD-KSO, S 15, S24, S37-con dieléctrico de aire; transformadores Tr1, Tr2 y bobinas FSS L14-L18 - del receptor de radio "Alpinist" (transformadores - adaptación de transición). Los datos para las bobinas restantes y el inductor Dr1 se muestran en la tabla. Las bobinas L1, L2, L3 y el inductor se enrollan en masa, el resto se enrolla en forma de bobina. Los marcos de las bobinas L4, L5 y L12, L13 están equipados con núcleos SCR-1 hechos de carbonilo. Relé P1 de cualquier tipo con una corriente de funcionamiento de 20 mA, por ejemplo, RES-10 (RS4.524.301).

Número de vueltas Alambre marco, núcleo Nota
L1 70 PEV-1 0,08 SB-9a
L2 70 PEV-1 0,08 -
L3 50 PEV-1 0,08 - En el tramo medio entre L1 y L2
L4 75 PEL 0,19 Getinax, 9 mm
L5 10 PEL 0.19 mismo Sobre L4
L6 60. toque desde 10 desde arriba según el esquema) PEL 0,19
L7 84 PEL 0,19 "
L8 70 PEL 0,19 Poliestireno 10 mm -
L9 50 PEL 0,19 - Sobre L8
L10 80 PEL 0.19 Getinax, 9 mm
L11 10 PEL 0,19 mismo Sobre L10
L12 75, rama desde 20 desde abajo según el esquema) PEL 0,19
L13 10 PEL 0.19 " Sobre L12
dr1 100 PELSHO 0. 1 Getinax, 6 mm

Ajuste

Como de costumbre, comienza con la verificación de la instalación y el rendimiento de cada cascada. En primer lugar, se comprueba la operatividad de los amplificadores LF, GPA y el oscilador de cuarzo.

Después de asegurarse de que estas cascadas funcionan, el rango de frecuencia de GPA se establece en el rango de 4,1 a 4,15 MHz utilizando un medidor de onda o un receptor de referencia.

Al aplicar un voltaje del GSS a la entrada de la parte receptora del transceptor con una frecuencia de 3,625 MHz y una amplitud de alrededor de 0,1 mV, el circuito L17C55, el FSS y el circuito C10C37 se sintonizan secuencialmente a la señal de salida máxima.

La parte transmisora ​​del transceptor se ajusta usando la señal del generador de sonido (con el botón Kn1 presionado). El ajuste se reduce a balancear el modulador balanceado con la resistencia R11 y sintonizar los circuitos L4C13 y L6C15 a una frecuencia de 3,625 MHz.

Al establecer la parte de transmisión, se debe conectar el equivalente de la antena a la salida del transistor: una resistencia con una resistencia de 75 ohmios y una potencia de 1-2 vatios.

Autor: V. Tabunshchikov, pueblo de Borovka, región de Vitebsk; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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Un material llamado silicio negro es muy prometedor, y recientemente científicos alemanes lograron duplicar la eficiencia de las células solares basadas en él.

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El silicio negro se obtiene irradiando silicio estándar con pulsos de láser de femtosegundos en un medio gaseoso que contiene azufre. Durante este proceso, los átomos de azufre se unen a la red atómica de silicio. En el silicio convencional, la luz infrarroja carece de energía para excitar los electrones y convertirlos en electricidad. Es como un muro alto que no se puede superar de un salto. Pero debido a la inclusión de átomos de azufre, el silicio negro forma una especie de niveles intermedios que facilitan el "salto" de electrones. Al cambiar los parámetros del pulso láser, los científicos pudieron cambiar la altura de los niveles intermedios y aumentar el retorno de electrones al nivel máximo.

Inicialmente, los desarrolladores planean simplemente agregar celdas de silicio negro a los paneles solares convencionales. Las celdas en tándem hechas de silicio ordinario y negro serán solo un par de por ciento más eficientes que las convencionales, pero de esta manera es posible actualizar una gran cantidad de paneles solares existentes, lo que dará un buen aumento de energía.

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