Desatornillar tornillos y tornillos profundos. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Tecnologías de radioaficionados
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Al reparar equipos electrónicos domésticos importados (radios, grabadoras, etc.), muchas personas experimentan dificultades para desenroscar los tornillos de montaje o los tornillos ubicados en la parte inferior de orificios "ciegos" muy profundos (hasta 20 cm). En estos casos, la longitud de los destornilladores suele ser insuficiente.
Un juego de alargadores caseros le ayudará a afrontar este problema. Cada uno de ellos es una varilla redonda, cuyo extremo útil es un destornillador normal, plano o Phillips. En su extremo tecnológico, el mango se sustituye por una ranura para un destornillador de punta plana.
Se baja un cable de extensión con un extremo funcional de la forma deseada en el orificio del dispositivo que se está desmontando y se desenrosca el tornillo con un destornillador estándar. El cable de extensión se retira con un imán o inclinando el dispositivo.
Autor: I.Goncharenko, Stavropol
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El principio de funcionamiento de ReRAM es cambiar la resistencia del material bajo la influencia del voltaje. La memoria es no volátil, es decir, conserva su estado en ausencia de alimentación. Las ventajas de ReRAM sobre la memoria flash actualmente ampliamente utilizada incluyen, además de alta velocidad, mayor densidad, mayor durabilidad y menor consumo de energía.
El trabajo en la creación de ReRAM ha estado ocurriendo durante mucho tiempo. De informes recientes sobre este tema, podemos recordar las noticias sobre el prototipo de ReRAM, creado por Elpida Memory a principios de este año.
La diferencia entre el desarrollo de UCL y todos los anteriores radica en la nueva estructura de la celda de memoria, que consiste en óxido de silicio. Se caracteriza por una mayor eficiencia al cambiar la celda de un estado a otro. Bajo la acción de un voltaje de conmutación, se forman o destruyen "filamentos" de silicio en el óxido, disminuyendo o aumentando respectivamente la resistencia de la celda. Es importante que el chip funcione en condiciones normales y no en el vacío, como otros diseños en desarrollo, que también utilizan óxido de silicio.
Una característica interesante de la nueva memoria es la posibilidad de formarla en forma de finas películas transparentes, por ejemplo, integradas en las pantallas táctiles de los dispositivos móviles. En comparación con la memoria flash, la ReRAM basada en Londres consume unas mil veces menos energía y es unas cien veces más rápida.
Curiosamente, como ocurre en la ciencia, la nueva memoria no se creó a propósito: los investigadores estudiaron la posibilidad de utilizar óxido de silicio en los LED y llamaron la atención sobre la inestabilidad de los parámetros de la película de óxido y su capacidad para adoptar dos estados.
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