ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Amplificador de potencia de banda ancha. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de RF Entre las ondas cortas, la operación de baja potencia (QRP) se está volviendo cada vez más popular. Particularmente atractivo es que el hardware para QRP se puede hacer completamente en transistores y alimentado desde una fuente de bajo voltaje. El amplificador de potencia de banda ancha, cuyo circuito se muestra en la figura, proporciona amplificación lineal de señales SSB y CW en todas las bandas KB. La potencia suministrada a la etapa terminal con una tensión de alimentación de 12 V no supera los 10 W, lo que corresponde a la definición internacional de equipos QRP. La señal del excitador KB (transceptor) se alimenta a través de un seguidor de emisor (transistor VTI) a un preamplificador que funciona en modo A (transistor VT2). La impedancia de entrada de la siguiente etapa es de unos 10 ohmios, por lo tanto, para emparejarla con el preamplificador, se utilizó un transformador de banda ancha T1 con una relación de transformación de 4:1 (en términos de resistencia). Los condensadores C29 y C13 igualan la respuesta de frecuencia de esta etapa. La etapa de salida push-pull (VT4, VT5) opera en modo AB. Se conecta a la carga a través de un transformador T2 de tres devanados de banda ancha con una relación de transformación de 1:1. Tal transformador permite excluir la saturación del circuito magnético con el componente constante de la corriente del colector. Una corriente de reposo constante de los transistores de salida se mantiene mediante un estabilizador en el transistor VT3. Los diodos VD1 y VD2, que establecen el voltaje de polarización de los transistores VT4 y VT5, están en contacto térmico con sus disipadores de calor. Al configurar el amplificador, primero se apaga la etapa de salida, el devanado secundario del transformador T1 se carga con dos resistencias conectadas en serie con una resistencia de 8,6 ohmios, y el punto de su conexión se conecta a un cable común. Al seleccionar la resistencia R2, se establece la corriente de reposo del transistor VT2 (~ 100 mA). Luego se aplica un voltaje de alta frecuencia a la entrada del amplificador. En un preamplificador que funciona normalmente con un voltaje de entrada de 220 mV, la limitación de la señal en el circuito colector del transistor VT2 debe estar al nivel de 9 V, y la amplitud de la señal en cada uno de los terminales del devanado secundario del transformador T1 (con respecto al cable común) debe ser de aproximadamente 1,1 V. Luego, el emisor del transistor VT3 se conecta a un cable común a través de una resistencia de 17 ohmios y la resistencia sintonizada R6 se establece en la salida del estabilizador a 0.75 V. La resistencia R50 establece la corriente de reposo total de los transistores VT5, VT6 en 4 mA. . El voltaje de salida debe limitarse a 22 V, y la corriente consumida por la etapa final debe estar dentro de 0.7 ... 0,8 A. Uno de los criterios para el funcionamiento estable (sin autoexcitación) de un amplificador de potencia es un aumento de corriente suave, sin saltos. consumido por la etapa de salida, con un aumento en el voltaje de RF de excitación. Los transistores SF137E y SF126E pueden reemplazarse respectivamente por KT312V y KT815B, y los diodos SAY12, por KD503A. Literatura
Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru Ver otros artículos sección Amplificadores de potencia de RF. Lee y escribe útil comentarios sobre este artículo. Últimas noticias de ciencia y tecnología, nueva electrónica: Una nueva forma de controlar y manipular señales ópticas
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