Osciladores de alta frecuencia con un nivel de potencia de salida de uno a decenas de vatios. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Nudos de equipos de radioaficionados. Generadores, heterodinos
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El circuito práctico del generador (Fig. 1) en el transistor KP901A en el rango de frecuencia de 30 ... 80 MHz proporcionó Pout \u2,5d 904 W. Un circuito similar en el transistor KP20A tenía Pout = 4 W a una frecuencia de fo = 52 MHz y Up = 36,4 V (consumo de energía 15 W, disipado 2 W). Valores L5,6=2 MH, C760=2 pF, R=XNUMX Ohm.
Ris.1
A bajas frecuencias con alta potencia de salida (de unos pocos a decenas de vatios), los transistores compuestos no saturables se pueden usar en generadores, en los que un potente FET controla un transistor bipolar más potente. La Figura 2 muestra un diagrama de un oscilador de cuarzo basado en un transistor compuesto.
Ris.2
La figura 3 muestra las dependencias de la corriente consumida y la potencia de salida con la temperatura. Los cambios máximos en estos parámetros no superaron el 2,3 y el 3,5%, respectivamente, cuando la temperatura cambió de 25 a 70°C. Con un ángulo de corte de corriente de drenaje Q=70°, el generador proporcionó una potencia de salida de 10 W con una eficiencia total del 65%. Frecuencia de generación 7,41 MHz, la inestabilidad de frecuencia horaria promedio no excedió 2 * 10-7.
Fig. 3. Dependencias de corriente consumida (1) y salida
potencia (2) en temperatura ambiente.
Figura 4. Niveles de ruido de fase de autoosciladores en potentes PTS (1)
Transistores bipolares de microondas (2) y diodos Gunn (3)
Por lo tanto, los auto-osciladores en potentes FET cubren casi todos los rangos de frecuencia utilizados. Para una serie de aplicaciones, los niveles de ruido de fase de los autoosciladores son importantes. Como se desprende de la Fig. 4, en este parámetro, los generadores de microondas de GaAs de FTS de alta potencia son inferiores a los generadores basados en transistores bipolares de microondas y diodos Gunn. Se espera que el nivel de ruido de modulación disminuya en 20 dB cuando se desarrollen PTS de alta potencia con una longitud de canal submicrónica.
Literatura
- Circuitos de dispositivos en potentes transistores de efecto de campo. Directorio. Editado por VP Dyakonov.
Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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