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ENCICLOPEDIA DE RADIOELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA Amplificador. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica. / Amplificadores de potencia de RF El amplificador de potencia fue diseñado específicamente para el funcionamiento del QRP en las bandas bajas. Potencia de salida a una carga de 50 ohmios - 10 vatios. Gracias a la retroalimentación negativa introducida (NFB), su respuesta de amplitud-frecuencia (AFC) es uniforme hasta 21 MHz, y a una frecuencia de 30 MHz hay una disminución de -3 dB. Una característica del circuito es la ausencia de transformadores coincidentes entre etapas. Resistencia de carga óptima (RH) - 50 ... 150 Ohm. Los valores más pequeños de HR conducen a una violación del régimen térmico de los transistores de salida. A una potencia de salida de 10 W, el coeficiente de distorsión de intermodulación es -43 dB, a 5 W -52 dB. La sensibilidad del amplificador es de 50 mV, y se puede recomendar su uso con diseños tan conocidos como "ruta de placa única", "Radio-76", etc. El diagrama de circuito del amplificador se muestra en la Fig. 1, y la Fig. 2 muestra el circuito de suministro de energía.
El voltaje de entrada es amplificado por el transistor VT1. R6, C2 conectados en serie en el circuito de retroalimentación igualan la respuesta de frecuencia de la etapa de entrada. Los transistores VT2 y VT3, seguidores de emisores, combinan el amplificador de entrada con una baja impedancia de entrada de la etapa final. Un amplificador intermedio que opera en la clase "A" se ensambla en el transistor VT4. Los diodos VD1 ... VD4 establecen la corriente inicial de la etapa de salida en los transistores VT5 y VT6. La etapa final tiene una baja impedancia de salida, por lo tanto, se instala un transformador de RF con una relación de transformación de 1:2 en voltaje para igualar la carga. Los diodos VD5 y VD6 están diseñados para proteger los transistores de salida contra sobretensiones. El amplificador final está cubierto por un circuito OOS que consta de C15, R12 y R11. La profundidad del OOS es de aproximadamente 10 dB. Para el funcionamiento normal del amplificador de potencia, es muy importante que la tensión de alimentación VT4 sea exactamente la mitad de la tensión de alimentación (Upit) de los transistores de etapa de salida VT5, VT6. El cambio del modo de "recepción-transmisión" se lleva a cabo cambiando el voltaje de suministro de la etapa de entrada VT1, VT2 y la polarización en el transistor VT4. En este esquema, la manipulación del telégrafo se implementa fácilmente. Está hecho en el transistor VT7. En el modo SSB, el transistor VT7 está abierto y se suministran + 12 V a la etapa de entrada. En modo CW, VT7 se abre solo cuando se presiona la tecla de telégrafo. El borde anterior del mensaje de telégrafo está establecido (determinado) por la cadena R26, C22 y el borde posterior: C22, R25. El montaje del amplificador se puede realizar mediante montaje con bisagras "en una regla" o en una placa de circuito impreso hecha de fibra de vidrio de lámina de doble cara, una de las cuales se utiliza como pantalla (desde el lado donde los elementos están instalado). Es necesario asegurarse de que la capacidad de montaje de los circuitos base de los transistores VT3, VT5 y VT6 sea mínima. Transistores VT3, VT4. VT5 y VT6 están instalados en un radiador común. La configuración del amplificador se reduce, en primer lugar, a verificar y configurar los modos para corriente continua. Primero se conecta una fuente de +12V y +12V TX. La selección de R2 establece el voltaje + 6V en el colector del transistor VT1. Con transistores reparables VT2 y VT3, el voltaje en el emisor VT3 será de + 4,6V. Luego, se conecta la fuente de + 25 V y, al seleccionar la resistencia R17, la corriente de reposo del transistor VT4 se establece entre 70 ... 80 mA. Solo después de realizar la configuración, se aplica un voltaje de + 50 V y, al seleccionar el tipo y la cantidad de diodos VD1 ... VD4, la corriente de reposo de los transistores de salida VT5 y VT6 se establece en 40 - 60 mA. Cuando se aplica una señal de entrada, la corriente de los transistores de salida aumenta a 300 - 400 mA. El voltaje de RF con una carga de 75 ohmios a una frecuencia de 1,9 MHz es de al menos 28 Veff. El diagrama (Fig. 1) muestra los niveles de voltaje de RF en elementos individuales del circuito. La fuente de alimentación del amplificador de potencia (Fig. 2) se ensambla en circuitos integrados KREN12. El voltaje de salida es ajustado por las resistencias R3, R4.
Los elementos faltantes se pueden reemplazar por VT 1 - KT325, KT399, KT316, etc. El condensador C18 está formado por varios condensadores cerámicos de distintas capacidades. El transformador T1 está enrollado con hilo doble trenzado PEV-2 - 0,51 sobre un núcleo toroidal de ferrita 600NN KZ 2x16x6 mm. El paso de torsión es de una vuelta por 2 cm. Contiene 10... 15 vueltas. Se observa que enrollar el transformador en una copa de ferrita mejora la respuesta de frecuencia del amplificador. El amplificador tiene buena repetibilidad y alta confiabilidad operativa. Autor: M. Roslanov, UA4UDF, Saransk; Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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