Carga de baterías con corriente asimétrica. Enciclopedia de radioelectrónica e ingeniería eléctrica.
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Se puede lograr un rendimiento de la batería significativamente mejor si se cargan con un volumen asimétrico. En la figura se muestra un diagrama de un dispositivo de carga que implementa este principio.
Con un semiciclo positivo del voltaje de CA de entrada, la corriente fluye a través de los elementos VD1, R1 y es estabilizada por el diodo VD2. Parte del voltaje estabilizado a través de una resistencia variable R3 se alimenta a la base del transistor VT2. Los transistores VT2 y VT4 del brazo inferior del dispositivo funcionan como un generador de corriente, cuyo valor depende de la resistencia de la resistencia R4 y el voltaje basado en VT2. La corriente de carga en el circuito de la batería fluye a través de los elementos VD3, SA1.1, PA1, SA1.2, la batería, la caída del colector del transistor VT4, R4.
Con un medio ciclo negativo de voltaje alterno en el diodo VD1, el funcionamiento del dispositivo es similar, pero el brazo superior funciona: VD1 estabiliza el voltaje negativo, que regula la corriente que fluye a través de la batería en voltaje inverso (corriente de descarga).
El miliamperímetro RA1 que se muestra en el diagrama se usa durante la configuración inicial, luego se puede apagar moviendo el interruptor a otra posición.
Este cargador tiene las siguientes ventajas: 1. La corriente de carga y descarga se puede ajustar de forma independiente. Por lo tanto, en este dispositivo es posible utilizar baterías con diferente intensidad energética. 2. En caso de pérdida de voltaje de CA, cada uno de los brazos se cierra y la corriente no fluye a través de la batería, lo que protege la batería de una descarga espontánea.
En este dispositivo, de elementos domésticos, se puede utilizar como VD1 y VD2 - KC133A, VT1 y VT2 - KT315B o KT503B. Los elementos restantes se seleccionan en función de la corriente de carga. Si no supera los 100 mA, entonces KG3 o KT4 con cualquier índice de letras deben usarse como transistores VT815 y VT807 (colocados en un disipador de calor con un área de superficie de disipación de calor de 5 ... 15 cm cuadrados ), y como diodos VD3 y VD4 - D226 , KD105 también con cualquier índice de letras.
Publicación: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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