La estimulación magnética transcraneal mejoró la memoria verbal a corto plazo
04.10.2021
La estimulación magnética transcraneal a una frecuencia de un hercio, aplicada a la corteza prefrontal dorsolateral izquierda durante la memorización de palabras, se asocia con una mejor memoria verbal. Además, este efecto está asociado con un conocido correlato fisiológico de la formación de la memoria: una disminución de las ondas beta observada en la corteza posterior.
La corteza prefrontal dorsolateral izquierda juega un papel importante en la formación de la memoria verbal: si esta área se estimula mientras se memorizan palabras, cualquier texto o un pasaje del mismo, luego, al intentar reproducir el recuerdo memorizado, se produce una disminución en el rendimiento de la memoria. será encontrado. Además, dicha disminución en el rendimiento se observa principalmente cuando se usa estimulación magnética transcraneal excitatoria (TMS) con una frecuencia de oscilación de 20 hercios. Por lo tanto, parece que la actividad de la corteza prefrontal dorsolateral izquierda puede tener una relación inversa con el rendimiento de la memoria.
En consecuencia, se puede suponer que al suprimir la actividad de la corteza prefrontal dorsolateral izquierda, es posible aumentar el rendimiento de la memoria. Y el hecho de que la aplicación de TMS repetitiva lenta (con una frecuencia de un hercio) tenga un efecto inhibidor en las áreas motoras sugiere un método de influencia.
En el primer experimento del estudio, los participantes sanos de 40 y en el segundo, 24 miraron a través de dos listas de palabras 10 por serie, y había series de este tipo en total 12. Los participantes se enfrentaron a la tarea de recordar ambas listas o sólo uno. Al mismo tiempo, en cada experimento, mientras memorizaban la segunda lista, la mitad de los participantes recibía un TMS repetitivo con una frecuencia de un hercio de la corteza prefrontal dorsolateral izquierda, y la otra mitad, que se convirtió en el grupo de control, lo recibió en la región de la coronilla, ya que, según estudios previos, la estimulación de estas zonas tiene un efecto relativamente pequeño sobre los procesos cerebrales actuales implicados en la mayoría de las tareas experimentales.
Resultó que con el recuerdo libre, en comparación con el grupo de control, los participantes del grupo experimental recordaron significativamente más palabras, pero solo palabras de esas listas, durante cuya memorización recibieron estimulación de la corteza prefrontal dorsolateral. Los datos de EEG registrados simultáneamente para el primer experimento mostraron que un hercio TMS se asoció con una disminución posterior en las ondas beta, una condición que se sabe que es beneficiosa para la formación de la memoria. Esta disminución se notó en las regiones parietal y occipital, que están involucradas en los procesos de percepción de la información, que es fundamental para la memorización, porque es imposible recordar correctamente lo que se percibe incorrectamente o no se percibe en absoluto.
Además del efecto que tiene TMS en la memoria, ha ayudado a los científicos a interceptar recuerdos en el camino de la memoria a corto plazo a la memoria a largo plazo. Y esto es importante para estudiar los mecanismos de formación de la memoria y la transferencia de información de la memoria de trabajo al almacenamiento a largo plazo.
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El estudio fue realizado por científicos de la Universidad Tsinghua de Beijing en colaboración con otras instituciones científicas chinas, incluida la Universidad Médica y el Instituto de Tecnología de la capital.
La deficiencia de oxígeno o hipoxia, caracterizada por niveles reducidos de oxígeno en los tejidos, puede tener graves consecuencias para la salud del cerebro. El dispositivo, desarrollado por científicos chinos, es una sonda inalámbrica implantable con un diámetro de unas 300 micras que puede responder instantáneamente a los cambios en los niveles de oxígeno en el cerebro.
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