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Intel construirá fábrica de chips en Ohio

23.01.2022

Intel Corporation ha elegido Ohio, en el noreste de los Estados Unidos, para construir una nueva fábrica de semiconductores. Actualmente, los especialistas del fabricante de chips están buscando un sitio cerca de la capital del estado, la ciudad de Columbus. Aún no se han publicado detalles sobre el caso, pero según la fuente, Intel mantuvo conversaciones exitosas con el gobernador y las autoridades del estado en los últimos días de 2021.

Las fábricas operativas de Intel en los EE. UU. están ubicadas en las ciudades de Chandler (Arizona), Rio Rancho (Nuevo México), Hillsboro (Oregón) y Hudson (Massachusetts). Potencialmente, la nueva planta se convertirá en una de las empresas más grandes y en una unidad económica importante en la estructura de Ohio.

Uno de los posibles sitios de construcción es la ciudad de New Albany en las cercanías de Columbus con una población de 11 mil personas. Al mismo tiempo, la planta creará varios miles de empleos directos y miles en áreas afines, organizando una nueva área de desarrollo económico de 15 kilómetros cuadrados.

La inversión esperada de Intel en la instalación será de decenas de miles de millones de dólares durante varios años. Además de Ohio, los ejecutivos de la compañía consideraron una oferta competidora del estado de Nueva York en la misma región.

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Contenido de alcohol de la cerveza caliente. 07.05.2024

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Principal factor de riesgo para la adicción al juego 07.05.2024

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El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos 06.05.2024

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El grafeno hará que la electrónica sea súper rápida 18.09.2018

Las ondas electromagnéticas en el rango de terahercios son generalmente difíciles de crear, y la electrónica de silicio convencional no puede manejar señales de tan alta frecuencia. Pero los dispositivos basados en grafeno podrían operar a tales frecuencias. Los científicos confían en que la electrónica del futuro será mucho más rápida que los dispositivos actuales.

Físicos de la Universidad de Duisburg-Essen y sus colegas expusieron una lámina de grafeno de un átomo de espesor a una radiación de 300 GHz. Cuando las ondas electromagnéticas golpean el grafeno, los electrones del material se calientan y se enfrían rápidamente, liberando ondas electromagnéticas con una frecuencia hasta siete veces mayor que la radiación entrante. La tasa de conversión puede parecer pequeña, pero es extremadamente alta para una sola capa de átomos de grafeno.

Los componentes basados en grafeno capaces de operar en el rango de los terahercios "no podrían usarse en una Macintosh o PC convencional, sino quizás en computadoras muy avanzadas con alta velocidad de procesamiento", dice Ozaki. Añade que este material bidimensional se puede utilizar para crear nanodispositivos de alta velocidad.

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