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Vehículo eléctrico ultracompacto iEV Z

20.02.2022

La empresa danesa iEV Motors ha presentado un automóvil eléctrico iEV Z muy compacto, cuyas dimensiones son 78 cm de ancho, 145 cm de alto y 198 cm de largo; esta última cifra puede variar según las necesidades del propietario. La máquina pesa sólo 220 kg.

Si el propietario del iEV Z necesita llevar un pasajero en el habitáculo, los accionamientos del vehículo eléctrico abaten el segundo asiento detrás del del conductor y alargan el cuerpo hasta 235 cm. Además del pasajero, también se puede llevar equipaje. ser cargado en el habitáculo, aumentando la longitud del coche a 275 cm.

No debe esperar características técnicas avanzadas de un automóvil eléctrico de este tipo: solo hay un motor con una potencia de 1 kW (1,36 hp), que acelera el automóvil a 45 km / h, y una batería con una capacidad de 3,3 kWh proporciona un rango de crucero de 100 km y carga completa en 3 horas. Los paneles solares en el techo sirven como fuente de energía adicional. Si las leyes locales lo permiten, dice el fabricante de automóviles, este automóvil eléctrico incluso se puede conducir en carriles para bicicletas.

El iEV Z ultracompacto saldrá a la venta a finales de este año. Los primeros 50 compradores podrán adquirirlo por 5 euros. Tiempo después, aparecerá una versión avanzada del auto iEV Z+.

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El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos 06.05.2024

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Altavoz inalámbrico Samsung Music Frame HW-LS60D 06.05.2024

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Una nueva forma de controlar y manipular señales ópticas 05.05.2024

El mundo moderno de la ciencia y la tecnología se está desarrollando rápidamente y cada día aparecen nuevos métodos y tecnologías que nos abren nuevas perspectivas en diversos campos. Una de esas innovaciones es el desarrollo por parte de científicos alemanes de una nueva forma de controlar las señales ópticas, que podría conducir a avances significativos en el campo de la fotónica. Investigaciones recientes han permitido a los científicos alemanes crear una placa de ondas sintonizable dentro de una guía de ondas de sílice fundida. Este método, basado en el uso de una capa de cristal líquido, permite cambiar eficazmente la polarización de la luz que pasa a través de una guía de ondas. Este avance tecnológico abre nuevas perspectivas para el desarrollo de dispositivos fotónicos compactos y eficientes capaces de procesar grandes volúmenes de datos. El control electroóptico de la polarización proporcionado por el nuevo método podría proporcionar la base para una nueva clase de dispositivos fotónicos integrados. Esto abre grandes oportunidades para ... >>

Teclado Primium Séneca 05.05.2024

Los teclados son una parte integral de nuestro trabajo diario con la computadora. Sin embargo, uno de los principales problemas a los que se enfrentan los usuarios es el ruido, especialmente en el caso de los modelos premium. Pero con el nuevo teclado Seneca de Norbauer & Co, eso puede cambiar. Seneca no es sólo un teclado, es el resultado de cinco años de trabajo de desarrollo para crear el dispositivo ideal. Cada aspecto de este teclado, desde las propiedades acústicas hasta las características mecánicas, ha sido cuidadosamente considerado y equilibrado. Una de las características clave de Seneca son sus estabilizadores silenciosos, que resuelven el problema de ruido común a muchos teclados. Además, el teclado admite varios anchos de teclas, lo que lo hace cómodo para cualquier usuario. Aunque Seneca aún no está disponible para su compra, su lanzamiento está previsto para finales del verano. Seneca de Norbauer & Co representa nuevos estándares en el diseño de teclados. Su ... >>

Inaugurado el observatorio astronómico más alto del mundo 04.05.2024

Explorar el espacio y sus misterios es una tarea que atrae la atención de astrónomos de todo el mundo. Al aire libre de las altas montañas, lejos de la contaminación lumínica de las ciudades, las estrellas y los planetas revelan sus secretos con mayor claridad. Se abre una nueva página en la historia de la astronomía con la inauguración del observatorio astronómico más alto del mundo: el Observatorio de Atacama de la Universidad de Tokio. El Observatorio de Atacama, ubicado a una altitud de 5640 metros sobre el nivel del mar, abre nuevas oportunidades para los astrónomos en el estudio del espacio. Este sitio se ha convertido en la ubicación más alta para un telescopio terrestre, proporcionando a los investigadores una herramienta única para estudiar las ondas infrarrojas en el Universo. Aunque la ubicación a gran altitud proporciona cielos más despejados y menos interferencias de la atmósfera, construir un observatorio en una montaña alta plantea enormes dificultades y desafíos. Sin embargo, a pesar de las dificultades, el nuevo observatorio abre amplias perspectivas de investigación para los astrónomos. ... >>

Noticias aleatorias del Archivo

Recibió una nueva forma cristalina de silicio 14.06.2021

Científicos de la Carnegie Institution de Washington han ideado una forma de obtener una nueva modificación cristalina del silicio. Puede convertirse en la base de nuevos tipos de microelectrónica.

El silicio es ampliamente utilizado por personas en varios campos: desde la construcción hasta la óptica y la producción de microchips. La red cristalina de esta modificación del silicio es similar a la del diamante de carbono. Los elementos son similares en muchos aspectos, pero mientras que el carbono ya tiene muchas formas alotrópicas conocidas, el silicio apenas comienza a descubrirlas.

Hace unos años, los científicos lograron obtener una modificación de Si24, una estructura plana compuesta por anillos de cinco, seis y ocho átomos. Los poros de estos anillos pueden servir como canales bidireccionales para el transporte de carga, lo que hace que el material sea prometedor para la ingeniería electrónica y eléctrica. Y ahora los científicos han aprendido cómo convertir Si24 en una nueva forma de silicio.

El calentamiento de Si24 conduce a la formación de una estructura en capas, que consta de anillos hexagonales, cuyas capas se repiten en grupos de cuatro. La nueva estructura se denominó 4H-silicio.

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