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Causas del olor senil

06.06.2022

Estudios realizados por científicos japoneses han demostrado que la piel humana después de los cuarenta años comienza a liberar compuestos químicos con un olor desagradable.

Anteriormente se pensaba que el olor peculiar de la vejez es causado por una mala higiene, pero resultó que este olor lo produce la piel, liberando ciertas sustancias químicas en la piel a medida que envejece.

Científicos japoneses realizaron una investigación y descubrieron que los cambios hormonales después de 40 años producen la producción del compuesto químico 2-nonenal. Se forma durante la oxidación de ácidos grasos insaturados.

A medida que la piel envejece, produce más ácidos grasos a medida que se deteriora su función natural de defensa contra los radicales libres. Y los cambios hormonales, como la menopausia, potencian aún más este proceso.

Dada la peculiaridad de la sustancia 2-nonenal, que no se disuelve en agua, los baños diarios y los procedimientos de higiene no ayudan a eliminar el olor específico.

Un estilo de vida saludable, el ejercicio físico activo, así como evitar el alcohol, el tabaco y los alimentos grasos ayudarán a reducir la liberación de noneal.

Pero el uso de cremas o aceites corporales con olor a caqui y té verde ayuda a neutralizar el olor desagradable.

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Energía del espacio para Starship 08.05.2024

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Contenido de alcohol de la cerveza caliente. 07.05.2024

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Material para crear un cerebro artificial. 15.06.2021

Los científicos han encontrado la oportunidad de crear una sinapsis artificial para resolver problemas similares al proceso de pensamiento humano. Hoy en día se ofrecen muchas opciones para esto, y una de las más prometedoras se ve en los ferroeléctricos. La memoria FeRAM se ha producido en dichos materiales durante 20 años, y un nuevo estudio muestra cómo hacer elementos de memoria de espesor atómico y acercarse a los cálculos neuromórficos en el tamaño de un procesador.

En la memoria FeRAM disponible en el mercado, el elemento de conmutación suele estar hecho de una piezocerámica, a saber, titanato de zirconato de plomo (PZT). La propiedad del material de mantener la polarización incluso después de la eliminación de una señal de control externa, un campo electromagnético, le da a la memoria FeRAM su propiedad más importante de independencia energética. Conserva los datos incluso cuando está apagado. Para imitar el trabajo del cerebro, esto es extremadamente importante. Pero en su forma actual, la celda FeRAM es demasiado grande y el "cerebro" con su uso será muy, muy grande.

Para la fabricación de sinapsis artificiales, son convenientes estructuras de película delgada de unos pocos átomos de espesor; esto dará tamaños pequeños, alta densidad y bajo consumo de energía. Resultó que el óxido de hafnio (HfO2) es un material ferroeléctrico bastante prometedor para las sinapsis artificiales de película delgada. Este material se deposita perfectamente desde un ambiente gaseoso utilizando métodos modernos para crear estructuras de película delgada con alta precisión y bajo un control confiable. Las temperaturas de los procesos de fabricación de películas son compatibles con la tecnología de proceso CMOS y no quemarán los elementos del chip durante el proceso de fabricación del chip.

Cierto problema era que las propiedades ferroeléctricas del HfO2 son relativamente inestables, pero la adición de circonio (Zr) resolvió este problema. Por lo tanto, el compuesto de óxido de hafnio-zirconio (HZO) ha demostrado ser uno de los fuertes candidatos para la fabricación de memorias utilizando ferroeléctricos y promete revolucionar el campo de la computación de memorias.

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