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Memoria fría de la computadora

27.12.2012

Investigadores de la Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas de la Universidad de California han realizado mejoras significativas, avanzando significativamente en la clase de memoria de computadora ultrarrápida y de alto ancho de banda. Este tipo se denomina memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio o MRAM.

El equipo llamó a su nuevo desarrollo MeRAM. Tiene un gran potencial para su uso en casi todos los dispositivos electrónicos: teléfonos inteligentes, tabletas, computadoras, microprocesadores. También puede usarlo para almacenar datos. La ventaja clave de MeRAM sobre otras tecnologías es su combinación de bajo consumo de energía, altas velocidades de lectura y escritura y no volatilidad: la capacidad de retener datos en caso de un corte de energía repentino.

Actualmente, la memoria magnética se fabrica sobre la base de tecnología que utiliza el espín de los electrones, y no solo sus cargas. Esta tecnología (SST) utiliza corriente eléctrica para escribir datos en la memoria. Supera a otras tecnologías en muchos aspectos, pero requiere una cierta cantidad de energía, y bastante, y por lo tanto genera calor al grabar. Además, el volumen de dicha memoria está limitado por las corrientes requeridas para registrar información por unidad de área.

En el caso de MeRAM, los científicos reemplazaron la corriente, que juega un papel clave en SST, con voltaje. Esto elimina la necesidad de transferir grandes cantidades de electrones a través de cables y, en su lugar, utiliza diferencias de potencial eléctrico para cambiar bits magnéticos y registrar información. Como resultado, la computadora genera mucho menos calor, lo que la hace hasta 1000 veces más eficiente energéticamente. Y la memoria en sí puede ser 5 veces más densa: se almacena más información en la misma área física, lo que reduce un poco el costo de la transferencia.

"La capacidad de cambiar imanes de tamaño nanométrico usando voltaje es un área de investigación en magnetismo importante y de rápido crecimiento", dijo el científico eléctrico Pedram Khalili, líder del proyecto en UCLA. para integrarlos en arreglos de memoria de alta densidad".

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