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La nueva memoria de la computadora es 10 veces más rápida que la vieja

24.06.2013

Científicos de la Universidad de California y la Universidad Tecnológica de Nanyang (Singapur) han creado una memoria informática que es mucho más rápida y duradera que la memoria moderna.

El dispositivo prototipo está hecho de ferrita de bismuto y consume menos energía con velocidades de escritura y lectura mucho más rápidas. El prototipo del chip de memoria es una estructura con 16 elementos celulares que reaccionan a la luz. En la memoria de computadora convencional, la información se almacena en celdas que contienen cantidades variables de carga eléctrica, determinando así dónde está "0" y dónde está "1". La ferrita de bismuto es diferente en que puede estar en uno de dos estados de polarización y cambiar casi instantáneamente entre estos estados bajo la influencia de un pulso de luz. Es decir, el nuevo dispositivo demuestra propiedades ferroeléctricas.

La memoria ferroeléctrica se considera muy prometedora porque se caracteriza por su alta velocidad y bajo consumo de energía. Sin embargo, esta tecnología aún no ha encontrado una amplia aplicación, en particular, debido al hecho de que para el almacenamiento confiable de información es necesario volver a escribir la memoria ferroeléctrica después de cada acceso a ella. Como resultado, hay problemas con la vida útil.

El nuevo dispositivo carece de este inconveniente. La aplicación de voltaje durante la grabación crea una polarización del material, posteriormente, la acción de un pulso de luz provoca una reacción fotoeléctrica: se genera una corriente, cuyo voltaje puede usarse para determinar el estado de polarización, es decir "1" o "0". Al mismo tiempo, el voltaje se lee fácilmente usando electrodos o transistores convencionales, y un pulso de luz brillante no cambia la polarización del material. Por lo tanto, no hay necesidad de sobrescribir los datos después de cada lectura.

El nuevo dispositivo de almacenamiento no volátil es mucho más rápido que todos los chips de memoria modernos: el proceso de lectura o escritura no toma más de 10 nanosegundos, esto es 10 mil veces más rápido que la memoria actual. Además, para escribir/leer, el nuevo chip requiere solo 3 V, mientras que, por ejemplo, la memoria flash requiere 15 V.

Hasta ahora, el único obstáculo para la introducción masiva de un nuevo tipo de memoria es la necesidad de crear una tecnología para la iluminación de alta precisión de cada celda. Hasta ahora, en condiciones de laboratorio, se ilumina toda la red del chip, pero esto no es adecuado para leer cada bit individual. Los ingenieros tendrán que desarrollar elementos ópticos que permitan iluminar cada celda durante la operación de lectura, y luego aparecerá en el mercado la memoria eficiente, confiable y rápida que es tan necesaria para los dispositivos electrónicos modernos.

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