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diodos MDM

19.09.2013

Gracias a la investigación en la Facultad de Ingeniería de la Universidad Estatal de Oregón, los diodos MDM (metal-dieléctrico-metal) están un paso más cerca de ser utilizados en dispositivos reales. Hace tres años, la universidad anunció el primer diodo MDM rápido exitoso y continúa siendo líder mundial en esta tecnología.

Los diodos tipo MDM (MIM - metal-aislante-metal) son un "sándwich" de dos metales con dos dieléctricos entre ellos. Esto permite que los electrones atraviesen los dieléctricos y emerjan casi instantáneamente del otro lado. Ahora, los investigadores han descubierto que agregar un segundo dieléctrico permite "hacer un túnel escalonado", una situación en la que un electrón solo puede pasar a través de un dieléctrico, en lugar de dos. Esto, a su vez, permite un control preciso de la asimetría, la no linealidad del diodo y la rectificación a bajo voltaje.

"Este enfoque nos permite mejorar el rendimiento del dispositivo mediante la creación de asimetría adicional en la barrera de tunelización. Esto nos brinda otra forma de organizar la tunelización mecánica cuántica y nos acerca a los dispositivos reales que serán posibles con este tecnología".

Los dispositivos MDM constan de cuatro capas (de izquierda a derecha): circonio amorfo, óxido de hafnio, óxido de aluminio y aluminio. La imagen se obtuvo utilizando un microscopio electrónico de transmisión.

“Gracias a los diodos MDM, se hacen posibles dispositivos microelectrónicos más complejos”, dicen los científicos, “no solo pantallas de cristal líquido mejoradas, teléfonos móviles y televisores, sino también dispositivos como computadoras extremadamente rápidas que no dependen de transistores o “baterías de energía”. ” de radiación infrarroja.- como una forma de generar energía a partir del enfriamiento de la Tierra durante la noche.”

"Los diodos MDM son dispositivos más rápidos que los chips de silicio y se pueden producir a gran escala a bajo costo a partir de materiales económicos y ecológicos", dice la universidad.

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Contenido de alcohol de la cerveza caliente. 07.05.2024

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El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos 06.05.2024

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Tecnología de cinta revolucionaria 11.05.2014

La nueva tecnología ayudará a aumentar 74 veces la cantidad de datos en los cartuchos de cinta, hasta 148 Gbit por metro cuadrado. pulgada.

Los cartuchos de cinta magnética de hoy en día no parecen ser los medios más modernos para almacenar información. Sin embargo, para almacenar grandes cantidades de datos a un precio asequible, todavía no se ha inventado nada mejor. Sony cree que en previsión de la afluencia de Big Data, es necesario buscar nuevos materiales para cintas magnéticas que aumenten significativamente la densidad de grabación.

El cartucho LTO-6 que se usa actualmente (formato LTO Ultrium) es capaz de almacenar hasta 2,5 TB de datos sin comprimir, lo que corresponde a una densidad de grabación de aproximadamente 2 Gb/sq. pulgada. Sony cree que esto ya no satisface las necesidades modernas. Por eso, junto con IBM, los japoneses han creado una tecnología que puede aumentar 1 veces la capacidad de un cartucho convencional, es decir, hasta 74 TB por cartucho. En este caso, la densidad de grabación corresponderá a un valor de aproximadamente 185 Gb/148kv. pulgada.

La cinta magnética de alta capacidad consta de varias capas, la principal de las cuales es una capa con granos de material magnético. Esta capa se forma por deposición por pulverización al vacío. Los granos magnéticos elementales del nuevo material han disminuido de unas pocas decenas de nanómetros a un tamaño de aproximadamente 7 nm. Al mismo tiempo, la estructura granular permaneció ordenada, lo que aumenta la confiabilidad del almacenamiento de datos.

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