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Nanocables para fotónica de silicio

24.04.2014

Los desarrolladores de IBM han logrado crear nanocables de arseniuro de galio que tienen propiedades útiles para la fotónica de silicio.

Hoy, como una de las posibilidades para garantizar un mayor progreso en el desarrollo de tecnologías de semiconductores, se considera trabajar con elementos de los grupos III-V del sistema periódico.

Los más utilizados de estos grupos son las aleaciones de arseniuro de galio e indio. Estas aleaciones se distinguen por una alta movilidad de electrones y pueden utilizarse como base para varios efectos de efecto túnel, lo que implica la capacidad de operar a niveles de energía muy bajos.

La división de IBM en Zürech ha podido explotar otras propiedades interesantes de estas aleaciones. Los desarrolladores de IBM han creado secciones en una oblea de silicio común que incluyen nanocables de arseniuro de galio colado mecánicamente. Cambiando la carga mecánica de los nanocables (comprimiéndolos y estirándolos), fue posible lograr tal cambio en las propiedades eléctricas de los "cables" que emitieron fotones o los absorbieron.

Esta propiedad es muy adecuada, por ejemplo, para crear un así llamado. fotónica de silicio, cuando los transceptores ópticos se integran directamente en los procesadores y controladores. En este caso, es posible cambiar el espectro de radiación dosificando la carga mecánica, compactando así el canal de transmisión de datos.

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