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SSD Samsung NVMe de 3,2 TB con tecnología 3D V-NAND

01.10.2014

Samsung Electronics anunció el inicio de la producción en masa de SSD PCIe NVMe de 3,2 TB basados ​​en tecnología flash 3D V-NAND (NAND vertical) para sistemas de servidores empresariales premium. El nuevo SSD NVMe PCIe SM1715 utiliza la tecnología 3D V-NAND patentada de Samsung en un factor de forma tipo tarjeta HHHL (mitad de altura estándar, mitad de longitud estándar) para ofrecer 3,2 TB de capacidad de almacenamiento, el doble que el modelo SSD NVMe anterior, que tenía una capacidad de 1,6 TB, dijo Samsung a CNews.

"Al lanzar los nuevos SSD NVMe basados ​​en la tecnología V-NAND, que brindan altos niveles de rendimiento y densidad de almacenamiento, planeamos aumentar significativamente las ventas en el mercado de SSD de alta densidad", dijo Jiho Baik, vicepresidente de la división de marketing de soluciones. almacenamiento de memoria, Samsung Electronics: Samsung planea introducir activamente la tecnología SSD V-NAND, que tendrá un rendimiento y una densidad de almacenamiento aún mayores en el futuro".

En general, el SM1715 es una versión mejorada del XS1715 de Samsung en términos de rendimiento y confiabilidad de la unidad. El SSD NVMe de 3,2 TB ofrece velocidades de lectura secuencial de 3000 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 2200 MB/s. Al mismo tiempo, la velocidad de lectura aleatoria alcanza las 750 operaciones de E/S por segundo y la velocidad de escritura aleatoria alcanza las 130 operaciones de E/S por segundo, dijo la compañía.

Además, el SM3,2 de 1715 TB proporciona 10 escrituras de disco por día (DWPD) durante cinco años. Esto brinda el nivel de confiabilidad que los fabricantes de servidores empresariales requieren para sus soluciones de almacenamiento premium, dice Samsung.

El modelo SM1715 estará disponible en el mercado en dos versiones: 1,6 TB y 3,2 TB. Este modelo amplía la línea de SSD NVMe XS2,5 de 1715" para incluir versiones de 800 GB y 1,6 TB.

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Mini aire acondicionado Sony Reon Pocket 5 09.05.2024

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Energía del espacio para Starship 08.05.2024

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Nuevo método para crear baterías potentes 08.05.2024

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Contenido de alcohol de la cerveza caliente. 07.05.2024

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Noticias aleatorias del Archivo

LMX243x - sintetizadores de frecuencia basados ​​en circuitos PLL 20.03.2003

Una nueva familia de circuitos integrados: sintetizadores de frecuencia basados ​​en circuitos PLL LMX243x de NATIONAL SEMICONDUCTOR. Estos microcircuitos proporcionan un consumo mínimo a frecuencias superiores a 3 GHz.

El chip LMX2434 tiene una frecuencia de operación de 5,0 GHz y una intermedia de 2,5 GHz y consume solo 7 mA. LMX2433 tiene una frecuencia de funcionamiento de 3,6 GHz, intermedia de 1,7 GHz y consume 5,2 mA. El LMX2430 tiene una frecuencia operativa de 3,0 GHz, una frecuencia intermedia de 800 MHz y consume 4,2 mA. La tensión de alimentación para toda la familia es de 2,25 a 2,75 V.

Disponible en paquetes TSSOP-20 o paquetes en miniatura de 3,5x3,5x0,6 mm de tamaño.

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