Módulos de memoria G.Skill DDR4-3333 con latencia reducida. Noticias gratuitas de la biblioteca técnica

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Módulos de memoria de baja latencia G.Skill DDR4-3333

23.08.2016

G.Skill presentó en IDF 2016 nuevos kits de memoria DDR4-3333 ajustados para trabajar con la plataforma Intel Broadwell-E. Si bien los módulos con esta frecuencia están presentes en el surtido de G.Skill desde hace dos años, esta vez la empresa prestó atención a otras características: volumen y retrasos.

No es ningún secreto que la latencia de la RAM crece de forma irreversible con cada nueva generación de memoria: hace diez años, 2-2-2-5 se consideraba un valor excelente, ahora es 13-13-13-33 para una Trident Z DDR4 de 3333 GB. -64 kit marcó ocho tablones. Hace un par de años, los módulos de esta frecuencia mostraban retrasos de 16-16-16-36, por lo que hay avances en esta área.

También se incluyen actualizaciones de las familias de módulos G.Skill Trident Z y Ripjaws (SO-DIMM). En el primer caso, el volumen del kit alcanzó los 128 GB, también se llenó con ocho barras y los tiempos aumentaron ligeramente a 14-14-14-34. En el segundo caso, el volumen total de 32 GB requirió solo dos barras y los retrasos fueron 16-18-18-43.

Todos los elementos nuevos se basan en chips de RAM de Samsung y funcionan con un voltaje de 1,35 V.

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Contenido de alcohol de la cerveza caliente. 07.05.2024

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Principal factor de riesgo para la adicción al juego 07.05.2024

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El ruido del tráfico retrasa el crecimiento de los polluelos 06.05.2024

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Chips basados en tecnología 14nm 2 generaciones 20.01.2016

Samsung Electronics anunció el inicio de la producción en masa de chips utilizando un proceso optimizado LPP (Low-Power Plus) de 14 nanómetros. Esta es la segunda generación de tecnología de fabricación FinFET de 14nm.

En el primer trimestre de 2015, la compañía anunció el lanzamiento de la producción del procesador Exynos 7 Octa basado en la innovadora tecnología LPE (Low-Power Early) de 14 nm. Como se señaló, el uso de nueva tecnología ha asegurado un alto rendimiento y eficiencia energética del nuevo procesador Exynos 8 Octa, así como de muchos otros productos desarrollados por socios y producidos con la tecnología Samsung FinFET. Entre ellos se encuentra el procesador Qualcomm Snapdragon 820 de Qualcomm Technologies, que se utilizará en dispositivos móviles en la primera mitad de 2016.

Al incorporar 14D FinFET en los dispositivos semiconductores, se pueden lograr ganancias significativas en el rendimiento mientras se reduce el consumo de energía, dice Samsung. El nuevo proceso LPP de 15 nm ofrece un aumento del 14 % en la velocidad de procesamiento y una reducción del XNUMX % en el consumo de energía en comparación con el proceso LPE de XNUMX nm anterior a través de una estructura de transistor mejorada y optimización del proceso. Además, el uso de transistores FinFET totalmente agotados proporciona ventajas de fabricación adicionales y abre una gran escalabilidad.

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