La base de los chips de memoria ReRAM con una densidad de 100 Gbit. Biblioteca técnica gratuita Noticias

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Base para chips de memoria ReRAM con una densidad de 100 Gbit

28.06.2017

Sony Semiconductor Solutions habló sobre los desarrollos relacionados con la memoria ReRAM, que combina las ventajas de DRAM y NAND.

Las tecnologías clave desarrolladas por los especialistas de Sony permitirán la producción de chips de memoria ReRAM de alta densidad.

La memoria, creada por Sony Semiconductor Solutions, utiliza iones de cobre. El diseño de la celda incluye solo un elemento de muestra y un elemento resistivo (estructura 1S1R). Esto hace posible fabricar la memoria en forma de una matriz simple de líneas que se cruzan y disponer dichas matrices en varias capas, aumentando la densidad.

Uno de los nuevos desarrollos es una barrera entre el depósito de iones y el electrolito, que reduce la resistencia desigual. Debido a esto, es posible aumentar la densidad de almacenamiento.

La segunda tecnología es el dopaje del elemento de muestreo con boro y carbono, por lo que se reduce la corriente de fuga y se aumenta el recurso.

Según Sony Semiconductor Solutions, las tecnologías desarrolladas permitirán producir memorias ReRAM con un tiempo de escritura de 100 ns, un recurso de 10 millones de ciclos y una densidad de alrededor de 100 Gbps.

Se espera que ReRAM llene el vacío entre DRAM y NAND en términos de costo, rendimiento e integración.

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Según el estudio, el estadounidense promedio de hoy vive en un clima más seco y cálido (1.5 °C) que hace cien años. Cada vez más personas viven en la parte sur del país, que se extiende desde California hasta Florida e incluye ciudades importantes, incluida Austin, la tercera ciudad más grande del país en términos de crecimiento demográfico en 2000-2006. Por separado, los investigadores notaron el hecho de que el crecimiento demográfico y la urbanización en estas zonas climáticas más cálidas y secas aumentaron su ritmo a lo largo del siglo XX y se hicieron especialmente notables en los últimos 30 años.

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