Memoria HBM2E con ancho de banda de 460 GB/s. Noticias gratuitas de la biblioteca técnica

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Memoria HBM2E de 460 GB/s

19.08.2019

SK Hynix ha anunciado la finalización del desarrollo de la memoria DRAM HBM2E de mayor ancho de banda de la industria. En comparación con la memoria HBM2 que se usa actualmente en supercomputadoras y aceleradores de gráficos, el rendimiento aumentó en un 50 %, hasta 460 GB/s (la velocidad por línea alcanza los 3,6 Gb/s, y el número total de líneas es de 1024 piezas).

La tecnología patentada TSV (Through Silicon Via) le permite crear módulos con una capacidad máxima de 16 GB, empaquetando ocho chips HBM2E con una densidad de 16 Gb cada uno en un paquete. A modo de comparación, el tamaño máximo de los módulos HBM2 actuales es de 8 GB.

SK Hynix describe la memoria HBM2E como "la solución óptima para la cuarta era industrial, compatible con GPU de alto rendimiento, supercomputadoras, sistemas de aprendizaje automático y sistemas de inteligencia artificial que requieren el más alto nivel de rendimiento de la memoria". En otras palabras, esta es una memoria costosa y de alto rendimiento para una nueva generación de supercomputadoras, sistemas de inteligencia artificial y aceleradores de gráficos.

La producción en serie de la nueva empresa de memoria HBM2E SK Hynix promete comenzar el próximo año.

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