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PALABRAS ALADAS, UNIDADES FRASEOLOGICAS
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Palabras aladas, unidades fraseológicas. Significado, historia de origen, ejemplos de uso.

Palabras aladas, unidades fraseológicas

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Culpable sin culpa

Fonvizin D.I.
Fonvizin D.I.

fraseologismo: Culpable sin culpa.

Significado: Sobre personas que son acusadas injustamente de algo.

Origen: La expresión tiene raíces folclóricas, y en la literatura rusa se encuentra por primera vez en la obra (act. 5, yavl. 3) "Undergrowth" (1781) de Denis Ivanovich Fonvizin (1744-1792): "Pravdin. Marido e hijo no pudieron ayudar a participar en la villanía... Prostakov. ¡Culpable sin culpa!" La expresión ganó gran popularidad gracias a la obra Guilty Without Guilt (1884) de Alexander Nikolayevich Ostrovsky (1823-1886).

Fraseología aleatoria:

¿Quién organizó el levantamiento?

Significado:

Una protesta contra los honores innecesarios y molestos, con una amenaza fingida contra quien los arregló (en broma, hierro).

Origen:

Se atribuye a I. V. Stalin (1878-1953), quien supuestamente dijo esta frase (primavera de 1946), al enterarse de que en una de las noches literarias en Moscú, la audiencia se puso de pie y, de pie, saludó a la poetisa deshonrada Anna Akhmatova con aplausos.

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Tentativamente, en el primer trimestre de 2017, Intel planea lanzar unidades Brighton Beach habilitadas para PCI Express 3 con dos. líneas. Y no antes de mediados de 2017: actualice Mansion Beach e introduzca una nueva generación de unidades Optane para el mercado empresarial, cuyo nombre en código es Carson Beach. Está previsto que los dispositivos de Carson Beach se implementen en factor de forma BGA, además de M.2.

Las unidades Optane se basan en la tecnología de memoria 3D XPoint anunciada por Intel junto con Micron Technology en julio de 2015. Los socios afirman que 3D XPoint tiene 1 veces la velocidad y 10 veces la resistencia de flash como NAND, que es omnipresente en la electrónica moderna, y XNUMX veces más denso que la memoria de la computadora actual.

En lugar de usar transistores, como en la memoria NAND, la memoria 3D XPoint usa celdas hechas de un material que cambia sus propiedades físicas cuando una corriente eléctrica lo atraviesa. Tal memoria también se llama memoria de fase. No es volátil como flash, pero es más rápido que NAND y más barato de fabricar que DRAM, que se usa en RAM.

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