No me gusta tu regalo. Significado, origen, ejemplos del uso de unidades fraseológicas.

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no me gusta tu regalo

Proverbios y refranes

fraseologismo: No me gusta tu regalo.

Significado: Lo importante no es el costo y la sofisticación del regalo, sino los sentimientos que pretende expresar.

Origen: Una expresión de la canción popular rusa "A lo largo de la calle del pavimento": "Oh, mi querido es bueno, // Chernobrov, alma, guapo, // Me trajo un regalo, // Querido regalo, // Un anillo de oro de mi mano . // El tuyo no es querido para mí. un regalo, - / Tu amor es querido. / No quiero usar un anillo, / Quiero amar a mi amigo así.

Fraseología aleatoria:

café flor.

Significado:

Sobre una cosa hecha de mala fe por pobreza o tacañería.

Origen:

Este es un modismo usado en Alemania para referirse al café muy débil. La expresión apareció en Sajonia, gracias al patrón floral típico de la era Biedermeier que apareció allá por 1815 en el fondo de una taza de porcelana de Meissen, generalmente se trataba de rosas, nomeolvides, acianos, violetas. Si se ve una flor en el fondo de una taza llena de café, el café se considera débil, "florido". La contradicción entre la costosa porcelana del maestro y los ahorros en café para los invitados se consideraba tacañería.

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"El lanzamiento del nuevo y potente módulo DRAM móvil de 8 GB conducirá a dispositivos móviles emblemáticos de próxima generación de mayor rendimiento en todo el mundo", dijo Yoo Sung Choi, vicepresidente ejecutivo de marketing y ventas de memoria de Samsung Electronics. los últimos dispositivos con características como cámaras duales, video 4K UHD y tecnologías de realidad virtual".

La velocidad de transferencia de datos del nuevo módulo LPDDR4 de 8 GB alcanza los 4266 Mbps, que es el doble de rápido que la DRAM DDR4 para PC, que suele rondar los 2133 Mbps. Siempre que el ancho del bus de memoria sea de 64 bits (x64), esto garantiza la transferencia de datos a una velocidad de hasta 34 GB por segundo.

Las dimensiones de 8 GB LPDDR4 son inferiores a 15x15x1 mm, lo que cumple con los requisitos de tamaño de la mayoría de los dispositivos móviles ultradelgados modernos. Dependiendo de la preferencia del fabricante, se puede usar una pila de DRAM de menos de 1 mm de espesor junto con una unidad flash de propósito general o un procesador móvil para ahorrar espacio en la placa de circuito impreso.

En agosto de 2015, Samsung presentó la primera solución DRAM LPDDR4 de 12 GB en el mercado en 20 nm. El período de desarrollo de la nueva solución DRAM LPDDR16 de 4 GB en tecnología de proceso de 10 nm, así como la DRAM LPDDR8 de 4 GB, fue de 14 meses.

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